2SK2463-VB一款N-Channel沟道SOT89的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

2SK2463-VB 是一款中功率、单N沟道MOSFET，采用SOT89封装。其设计采用了Trench技术，具有高效的开关性能和低导通电阻，适用于中功率应用场景。该MOSFET具有60V的漏源电压（VDS），能够在较低的栅极电压下提供可靠的导通性能。其最大漏极电流（ID）为5.5A，栅源电压（VGS）为20V（±），门限电压（Vth）为1.7V。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2463-VB
- **封装**: SOT89
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 60V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **门限电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 88mΩ @ VGS=4.5V, 76mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**: 5.5A
- **技术**: Trench

### 应用领域及模块

2SK2463-VB MOSFET 具有中功率和高效的特性，适用于以下领域和模块：

1. **电源管理系统**：在需要中功率开关和稳定性能的应用中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，适用于家用电源适配器、工业电源和中功率电源供应器。

2. **电机驱动**：在需要处理中功率的电机控制和驱动应用中，该MOSFET能够提供高效的开关和控制特性，适用于电动工具、小型电动车和其他中功率电机控制模块。

3. **LED驱动**：用于LED照明系统中的开关和控制电路，2SK2463-VB能够提供高效的能量转换和稳定的电流控制，适用于室内和室外LED照明系统。

4. **医疗设备**：在需要中功率开关和稳定性能的医疗设备中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，适用于各种医疗设备的电源管理和控制模块。

通过这些应用示例，可以看出2SK2463-VB MOSFET 适用于需要中功率、高效开关特性的多种电子和工业应用场景。