### 一、2SK2373ZE-TL-E-VB 型号的产品简介
2SK2373ZE-TL-E-VB 是一款单通道N型功率MOSFET,采用沟槽技术,具有低压、高性能和高可靠性的特点。其封装形式为SOT23-3,适合在各种低压、低功率的功率控制和开关应用中使用。
### 二、2SK2373ZE-TL-E-VB 型号的详细参数说明
- **封装形式(Package):** SOT23-3
- **配置(Configuration):** 单N型通道(Single N-Channel)
- **漏源电压(VDS):** 60V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 0.3A
- **技术(Technology):** 沟槽(Trench)
### 三、适用领域和模块示例
2SK2373ZE-TL-E-VB 功率MOSFET适用于以下领域和模块:
1. **低功率电源管理:** 在各种低功率电源管理模块中,2SK2373ZE-TL-E-VB 可用作功率开关,提供高效、稳定的电源输出。
2. **小型电动设备:** 该器件适用于小型电动设备中的功率控制模块,如电动工具、玩具等,提供可靠的功率控制。
3. **便携式电子产品:** 在便携式电子产品中的功率控制模块中,2SK2373ZE-TL-E-VB 可提供稳定可靠的功率控制。
4. **医疗设备:** 在小型医疗设备中,2SK2373ZE-TL-E-VB 可用于功率控制模块,确保设备的稳定工作和高效能运行。
5. **LED照明控制:** 在小型LED照明系统中,该MOSFET可用于功率控制模块,实现对LED灯的高效能控制和调节。
6. **传感器模块:** 2SK2373ZE-TL-E-VB 适用于传感器模块中的功率控制,提供对传感器的稳定电源输出。
综上所述,2SK2373ZE-TL-E-VB 具有低压、高性能和高可靠性的特点,适用于各种低压、低功率的功率控制和开关应用领域。