技术前沿：半导体前道检测和量测设备修复技术

半导体前道检测设备是目前除光刻机外，国产渗透率较低的环节之一，近年来我国初步实现国产突破。前道检测相对后道检测环节壁垒更高，国内多家涉及后道测试，涉及前道检测和中道检测相对较少。

检测设备和量测设备：

1）检测设备

检测设备的主要功能系检测晶圆表面或电路结构中是否出现异质情况，如颗粒污染、表面划伤、开短路等对芯片工艺性能具有不良影响的特征性结构缺陷。

2）量测设备

量测设备的主要功能系对被观测的晶圆电路上的结构尺寸和材料特性做出量化描述，如薄膜厚度、关键尺寸、刻蚀深度、表面形貌等物理性参数的量测；在精密加工领域，量测设备主要功能是精密结构件的三维尺寸量测。

光学检测是半导体质量控制核心技术。半导体检测主要分为光学检测以及电子束检测两种。光学检测在速度上具备明显优势，同时也是全球龙头产业技术发展的趋势所向。科磊半导体的总裁RickWallace（任职2008年至今）曾直接提及光学技术的检测速度可以较电子束检测技术快1,000倍以上。而科磊半导体自1998年通过收购AmrayInc公司获得电子束检测技术后，一直未拓展其发展，而研发的核心领域依旧在光学检测上。

根据VLSIResearch，2016年度至2020年度期间所有电子束检测设备在全球半导体检测和量测设备市场中的占比分别为19.3%、20.4%、21.0%、17.4%和18.7%，光学检测是最大的市场，占比75%以上，电、X光在部分细分需求领域有一定互补。    

先进制程以及先进封装发展，对检测精度、速度、三维化等要求提升将带动设备研发和价值量提升以及迭代需求。集成电路检测和量测技术的发展呈现出以下趋势：随着集成电路器件物理尺度的缩小（如摩尔制程、Chiplet），需要检测的缺陷尺度和测量的物理尺度也在不断缩小；随着集成电路器件逐渐向三维结构发展（比如叠层封装），对于缺陷检测和尺度测量的要求也从二维平面中的检测逐渐拓展到三维空间的检测。

随着工艺不断进步，产品制程步骤越来越多，微观结构逐渐复杂，生产成本呈指数级提升。为了获取尽量高的晶圆良品率，必须严格控制晶圆之间、同一晶圆上的工艺一致性，因此对集成电路生产过程中的质量控制需求将越来越大。未来检测和量测设备需在灵敏度、准确性、稳定性、吞吐量等指标上进一步提升：

1）光学检测技术分辨率提高：随着DUV、EUV光刻技术的不断发展，集成电路工艺节点不断升级，对检测技术的空间分辨精度也提出了更高要求。目前最先进的检测和量测设备所使用的光源波长已包含DUV波段，能够稳定地检测到小于14nm的晶圆缺陷，并且能够实现0.003nm的膜厚测量重复性。检测系统光源波长下限进一步减小和波长范围进一步拓宽是光学检测技术发展的重要趋势之一。此外，提高光学系统的数值孔径也是提升光学分辨率的另一个突破方向，以图形晶圆缺陷检测设备为例，光学系统的最大数值孔径已达到0.95，探测器每个像元对应的晶圆表面的物方平面尺寸最小已小于30nm。未来，为满足更小关键尺寸的晶圆上的缺陷检测，必须使用更短波长的光源，以及使用更大数值孔径的光学系统，才能进一步提高光学分辨率。

2）大数据检测算法和软件重要性提升：达到或接近光学系统极限分辨率的情况下，最新的光学检测技术已不再简单地依靠解析晶圆的图像来捕捉其缺陷，而需结合深度的图像信号处理软件和算法，在有限的信噪比图像中寻找微弱的异常信号。晶圆检测和量测的算法专业性很强，检测和量测设备对于检测速度和精度要求非常高，且设备从研发到产业化的周期较长。因此，目前市场上没有可以直接使用的软件。业内企业均在自己的检测和量测设备上自行研制开发算法和软件，未来对检测和量测设备相关算法软件的要求会越来越高。    

3）设备检测速度和吞吐量的提升：半导体质量控制设备是晶圆厂的主要投资支出之一，设备的性价比是其选购时的重要考虑因素。质量控制设备检测速度和吞吐量的提升将有效降低集成电路制造厂商的平均晶圆检测成本，从而实现降本增效。因此，检测速度和吞吐量更高的检测和量测设备可帮助下游客户更好地控制企业成本，提高良品率。

半导体检测分类

根据不同工序，半导体检测分为前道量检测、后道检测及实验室检测，其中，前道量检测主要应用于晶圆加工环节，目前以厂内产线在线监控为主;后道检测主要应用于晶圆加工后的芯片电性测试及功能性测试，目前主要分为第三方测试和厂内产线在线监控:实验室检测主要针对失效样品进行缺陷定位和故障分析，目前主要分为第三方实验室检测和厂内自建实验室。

质量控制贯穿晶圆制造全过程，是芯片生产良率的关键保障。

按Kaempf标准，晶圆缺陷可分为随机缺陷和系统缺陷，其中，随机缺陷主要由附着在晶圆表面的颗粒引起，其分布位置具有一定随机性;系统缺陷主要来自光刻掩膜和曝光工艺中的系统误差，一-般出现在具有亚分辨率结构特征的区域，通常位于-片晶圆上不同芯片区域的同一位置。    

按缺陷表征，晶圆缺陷可分为形貌缺陷、污染物和晶体缺陷，其中，形貌缺陷包括微小粗糙面、凹坑，污染物缺陷包括分子层面的有机层和无机层等污染物、原子层面的离子、重金属缺陷等，晶体缺陷包括硅原子失位/错位、非硅原子掺杂等。

前道量检测设备具有两大类功能，一是确保IC产线量产良率，二是定量监控生产设备，为设备验收、维保提供依据。前道量检测设备可按基本功能、技术手段和缺陷类型等方式进行分类，本文将重点对比光学/电子束、明场/暗场、有图形1无图形等三类设备。

    

光学检测目前是主要方案

光学检测速度快、无接触，目前是主要检测技术。光学检测技术通过对光信号进行计算分析获得检测结果，具有速度快、无接触、易于在线集成等优势，根据中科飞测招股书，光学技术的检测速度可以较电子東技术快1000倍以上，可以应用于28nm及以下全部先进制程，在技术成熟度、通用性、可靠性等方面均已获得晶圆厂的普遍认可，目前是半导体质量控制的主要检测技术，根据中科飞测招股书，2020年全球光学检测技术市场规模为57.5亿美元，在量检测设备中的市场份额为75.2%。然而传统光学检测技术因其检测原理受限于瑞利散射，难以保证对先进节点晶圆缺陷的高灵敏度，并且其检测结果通常含有大量噪声缺陷(非杀伤性缺陷)，进而干扰杀伤性缺陷的检测。

电子束检测适用于高精度场景    

电子東技术检测精度较高，然而速率较慢、设备成本高。电子東检测技术是通过聚焦电子束至某一探测点，逐点扫描晶圆表面产生图像以获取检测结果。电子束的波长远短于光的波长，电子東显微镜分辨率更高，测量精度优于光学技术;然而测量速度慢、设备成本高，鉴于电子東检测通常接收的是入射电子激发的二次电子，无法区分具有三维特征的深度信息，因而部分检测无法采用电子東技术，主要采用光学检测技术，如三维形貌量测、光刻套刻量测和多层膜厚量测等应用。根据中科飞测招股书，2020年全球电子東检测技术市场规模为14.3亿美元，在量检测设备中的市场份额为18.7%。

电子東和光学检测技术可以互补。实际应用中，电子東检测技术一部分应用于研发环节，旨在检测出尽可能多的缺陷，一部分应用于关键区域抽检和复查，与光学检测技术形成互补。根据MMR，2022年全球电子東检测市场中，1nm以下应用占比过半，随着先进制程、复杂器件的持续发展，电子東检测技术优势愈发明显，2022-2029年全球电子東检测市场有望快速增长，CAGR预计为19.9%，2029年市场规模有望增至25.8亿美元，届时10nm以上应用将成为电子東技术的主要市场。