半导体工艺技术的路线发展,无论是在存储技术的途径上,朝着 3D NAND 和 DRAM 前进,或是往逻辑器件的 FinFET 和 GAA(Gate-All-Around)结构迈进,工艺技术越先进,对于晶圆缺陷检测与控制的技术要求越高。
晶圆缺陷检测技术分为光学和电子束技术。传统检测技术是以光学检测为主,透过光学原理可以很快地大范围检测。然而,随着半导体制程不断往下微缩,光学检测在先进工艺技术的图像识别的灵敏度明显递减,因此给了电子束检测技术一个大显身手的机会。
相较于光学检测技术,电子束检测技术的优势是灵敏度高,但检测的速度较慢。

电子束的原理,是利用电子束扫描待测元件,得到二次电子成像的影像,通过对二次电子的收集,以呈现的图像来解析晶圆在制程中的异常处。电子束检测的优势,是比较不受某些表面物理性质的影响,且可以检测很小的表面缺陷,如栅极刻蚀残留物等。
因此,现在针对先进制程芯片的生产流程,会同时使用光学检测与电子束检两种技术,来互相辅助,进而快速找到晶圆生产的缺陷并控制和改善。尤其,也追求能即时检测出缺陷,且尽可能在线上检测并进行控制。