Fab中的检测（Inspection）和量测（Metrology）小科普

一、区别

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在半导体制造过程中，检测（Inspection）和量测（Metrology）是两个非常重要的环节，它们的主要区别如下：

1. |目的不同|：

   - |检测|：主要目的是在晶圆表面上或电路结构中识别是否存在异质情况，如颗粒污染、表面划伤、开短路等对芯片工艺性能具有不良影响的特征性结构缺陷。

   - |量测|：则是对被观测的晶圆电路上的结构尺寸和材料特性进行量化描述，例如薄膜厚度、关键尺寸、刻蚀深度、表面形貌等物理性参数的量测。

2. |关注点不同|：

   - |检测|：更侧重于发现和识别缺陷，比如异物缺陷、气泡缺陷、颗粒缺陷等。

   - |量测|：更侧重于对特定参数的精确测量，比如光刻套刻偏移量（OVL）、薄膜厚度（THK）、三维形貌等。