半导体器件基础07：三极管基础（1）

说在开头：关于玻尔原子模型（2）

玻尔关于原子结构的新理论登场后，并不怎么受到物理学家们的欢迎，因为这个理论试图推翻麦克斯韦体系，甚至他的导师卢瑟福也拒绝对此发表评论。但是量子的力量超乎任何人的想象，首先玻尔的推导完全符合巴尔末公式所描述的氢原子谱线，而且它的预言和实验值仅相差千分之一；不仅如此，玻尔的模型更是预测了一些新谱线的存在，这些预言都很快被实验物理学家们所证实。人们现在已经知道了原子的化学性质取决于它的核电荷数而非原子量，基于玻尔理论的电子壳层模型也一步步发展了起来。但是还有几个小困难需要解决：比如氢原子的光谱并非一根线，而是可以分裂成许多谱线（如《关于PN结的那些事》章节中所述的能带），但很快玻尔和索末菲证明了，所有这些都可以顺利的包容在量子体系之内。

新的报告和实验证据都在进一步证实量子模型的正确性，玻尔俨然已成为原子物理方面的带头人，他拒绝了卢瑟福为他介绍的在曼彻斯特的职位，成为了哥本哈根大学的教授，并决定建造一所专门研究所，用于理论物理方面的研究。这个研究所正如我们后来所看到的那样，它将成为欧洲最为闪亮的明珠，它将吸引整个欧洲最聪明的年轻人汇聚到此，并迸发出璀璨的光辉。

玻尔规定：当电子处在某个定态的时候，它是稳定的，不会放射出任何形式的辐射而失去能量，但是允许电子在不同能量态之间转换（跃迁），电子从E2跃迁到E1，就释放出E2-E1的能量来，反过来当电子吸收了E2-E1的光子能量，它就可以从能量低的状态攀升到能量较高的状态。但是电子从E2跃迁到E1并非是如卫星变轨一样连续地挪过去的（能量连续），而是电子直接从E2变魔术般的瞬间到了E1（从E2能量态“消失”，然后直接从E1能量态“出现”）。

不仅能量是量子化的，甚至连空间中的运动方向都必须加以量子化。在玻尔-索末菲模型中，必须假定电子的轨道平面具有特定的“角度”：其法线要么平行与磁场防线，要么和它垂直。这听上去又显得非常怪异：就像飞机只能沿着地球的0°经线飞行。1922年斯特恩和盖拉赫进行了一次经典的实验：将一束银原子通过一个非均匀磁场，如果电子的运动方向是随意而连续的，那么原子应该随机地向各个方向偏转才是（因为电子绕原子运动，相当于一个小电流，会产生一个微小的磁矩，使得原子在磁场总会发生偏转，如《阻容感基础：电感特性原理》所述）；然而在实验中，发现原子数分成了有规律的两束：每一束的强度都是原来的一半。很明显电子只有两个特定的角度：在往上偏转的原子里，所有的电子都是“上旋”，而在下偏转的院子里，则都是“下旋”。这个实验不仅支持了玻尔的定态轨道原子模型，而且为后来的“电子自旋”铺平了道路。（参考自：曹天元-上帝掷骰子吗）

一，三极管结构和工作原理

三极管全称半导体三极管。我们从它众多的名字中可以看出一些三极管的结构特性：它相对于二极管多了一极——三极；

如果从这个定义出发，我们广义的来看三极管，它包括了很多种类的器件：双极型晶体管（BJT），达林顿管，晶闸管，场效应管（MOS）以及IGBT。

但当你听到有人说电路中需要用到一个三极管，那他绝不是需要一个达林顿管，晶闸管，MOS管和IGBT；他就是特指：双极型晶体管（BJT），以至于大多数人都忘记它本来的名字，你可知“Triode”不是它真姓；双极型晶体管全称：双极性结型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）；我们先从它的本名出发来分析BJT的结构特性：

1. 双极性：“自由电子”和“空穴”两种载流子流动参与导电（MOS管是单极性）；

2. 结型：由两个PN结背靠背组成。

我们从功能角度来给三极管下一个定义：一种与其它电路元件结合使用时可产生电流增益、电压增益和的信号功率增加以的多结半导体器件；因此三极管是有源器件（二极管是无源器件）。

我们现在看来似乎非常简单的三极管其实并不简单：1947年12月，贝尔实验室的科学家们发明了点接触形式的双极性晶体管；1948年，肖克利发明了采用结型构造的双极性晶体管。BJT是电子学历史上具有革命意义的发明，其发明者：威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。

此后基于BJT又发明了开关速度更快、损耗更小的MOSFET；从此，BJT和MOSFET除了作为开关器件应用的同时，也成为了现代大规模集成电路的基本逻辑单元。

接下来分析的“三极管”特性均是指：双极型晶体管（BJT）。

1，三极管的结构

如下图所示，三极管有三个掺杂不同的扩散区和两个PN结，根据两个PN结组成结构的不同，可分为两种不同结构的三极管：NPN型和PNP型；简单来说三极管就是在一块半导体基片上制作出两个相距很近的PN结：

1. 发射结（BE结）；

2. 集电结（BC结）。

从两个PN结看，将整块半导体分成了三部分：

1. 基区；

2. 发射区；

3. 集电区。

同时对外呈现三个电极：

1. B极：基极（Base）；

2. C极：集电极（Collector）；

3. E极：发射机（Emitter）。

从上图三极管的简化结构图中，以NPN为例我们看到：基区（B）的宽度很小，掺杂浓度中等（P+），发射区的掺杂浓度最高（N++），集电区掺杂浓度最低（N）。这些特性都对三极管工作特性有非常大的作用。

如下图为集成电路工艺制造的NPN型三极管的截面图，我们可以明显看到实际结构并不像简化结构中那么简单；造成实际结构复杂的原因有两个：

1. 各端口引线要做在表面，为降低半导体电阻和引线与半导体的接触电阻，必须要有重掺杂的N++型掩埋层；

2. 一片半导体材料上要制造很多个三极管，彼此之间要隔离开来，需要通过添加P+型区形成反偏的PN结或添加氧化物，来实现器件的隔离。

通过上图，我们看到三极管并非是对称的器件：虽然从示意图中可以是2个N型半导体夹1个P型半导体，但发射区和集电区的掺杂浓度和几何形状都是有很大的不同。所以三极管并非是有两个二极管简单拼凑而成，如下图所示，每个区都有各自不同的特点：

1. 发射区高掺杂：发射区半导体掺浓度高（载流子多）、面积小，便于放射电子；

2. 基区尺度很薄：3~30μm，掺杂浓度低；

3. 集电结面积大：集电区半导体掺杂浓度低（载流子少）、面积大，便于收集电子。

2，三极管工作原理

首先我们需要思考一个问题：如果将两个二极管背靠背放置，从中间引出一根信号线加上电压（如下图所示），那它是否会变成一个三极管，导通并具有放大的功能？很显然，这样的两个二极管组合后并不能变成一个三极管；那为什么在特殊结构下就能变成三极管呢？

在分析三极管之前，我们再来回顾下关于PN结导电机制：PN结正、反偏时，多数载流子和少数载流子充当的角色，决定了PN结的单向导电特性；

1. 正偏时：多数载流子载流导电，电流大；

2. 反偏时：少数载流子载流导电，电流小；而此时少数载流子无需抵消PN结的内建电场，反向通过PN结比多数载流子正向通过要容易的多。

2.1 放大状态工作原理

接下来我们以NPN型三极管为例（PNP原理相同，将“空穴”看成“正电子”）来推导其导电理论，在典型情况下发射区、基区和集电区的典型掺杂浓度分贝是：10¹⁹ cm⁻³，10¹⁷ cm⁻³和10¹⁵ cm⁻³，如下图所示。

如下左图所示，正常情况下在BE之间加正电压（0.7V），在BC之间加正电压（放大状态），所以B-E结是正偏，B-C结是反偏的，这种情况称为正向有源模式：

1. 发射结（B-E）正偏，而发射区（E区）掺杂浓度很大，所以大量“自由电子”越过发射结注入基区（B区）；

2. 基区（B区）本身非常薄（几um级别），所以在基区的“空穴”不足以将从发射区（E区）涌入进来的大量“自由电子”全部复合，其实绝大部分“自由电子”都不能被基于的空穴捕获；

——假如放大倍数是100倍，那么有大约1%的“自由电子”被基区捕获。

3. 集电结（B-C）反偏，所以B-C结边界少子——“自由电子”的浓度为0，如下右图所示：大的电子浓度梯度（有载流子浓度的梯度，说明就有载流子运动）表明从发射区（E区）注入的“自由电子”越过基区（B区）扩散到集电结（B-C）的空间电荷区中；

4. 关于集电结（B-C）反偏，我们再换一种解释：由于从发射结越过到基区（B区）非常多的“自由电子”，而对基区来说“自由电子”是少子，当集电结反偏时，基区的少子：“自由电子”就非常容易穿越空间电荷区进入集电区（C区），从而打通C-E的电流路径；此时集电极C电流Ic的大小主要取决于发射区E载流子对基区的发射与注入，几乎与集电极C电位的高低没有什么关系。

5. 三极管Ib与Ic之间的固定比例关系，主要取决于基极B的构造：

1, 在放大状态下，三极管的电流主要由发射极E经基极B再到集电极C的“自由电子”，电流在穿越基极时会被截流，存在截流比（ Ib：Ie）问题；

2, 基极B拦截下来的电流是电流Ib，其余的穿过基极B到达集电极C的电流就是Ic；

3, 只要三极管的内部结构确定，电流放大倍数值就确定，是固定不变的（会随IC，温度等变化）；因此放大倍数β的值主要与基极B的疏密度（掺杂浓度及厚度）有关：基极B越密（掺杂浓度高）则β值越低（被截留比例越高），基极B越疏（掺杂浓度低）则β值越高（被截留比例越低）。

我们看到对于三极管来说，电流传输以B区为界分为两部分：

1. B-E处于正偏状态：由于电流调制效应， “空穴”和“自由电子”均参与了电流传输（双极）；

2. B-C处于反偏状态：只有“自由电子”参与了电流传输（单极）。

2.2 其它状态工作原理

上述为三极管放大状态的分析，但在饱和状态：B-E结正偏， B-C结正偏；截止状态：B-E结反偏，B-C结反偏；放大状态的理论分析是否还适用呢？

1. 当NPN三极管工作在截止区时：少子分布如上左图所示，由于B-E结和B-C结均反偏，于是每个空间电荷区边界少子的浓度为0；所以基区（B区）没有少子——“自由电子”，B-C反偏就不可能有电流产生。

2. 当NPN三极管工作在饱和区时：少子分布如上右图所示，由于B-E结和B-C结均正偏，因此每个空间电荷区边界少子的浓度都不为0；由于基区（B区）的少子-“自由电子”的浓度还是存在浓度梯度，所以有“自由电子”从基区（B区）扩散到集电区（C区）；

3. 关于饱和区的工作原理，我们用PN结正、反导通理论来解释：由于B-E结和B-C结均正偏，按道理来说，发射区（E区）和集电区（C区）的“自由电子”都会穿越空间电荷区到达基区（B区），所以电流的流向应该是B->E和B->C，但实际上并不是这样的，电流方向是C->B->E；那为什么会这样呢？

1, 我们知道PN结的载流子运动分为两个：漂移运动和扩散运动；漂移运动取决于电场而扩散运动取决于载流子浓度梯度；

——举个栗子：新家装修后如何最快速度消除甲醛？答案是：开窗通风；因为要制造尽量大的板材与房间空气甲醛浓度差，这样甲醛才能尽快地从板材扩散到空气。

2, 在实际应用中，B-E正偏电压为0.7V，而B-C正偏电压为0.4V左右（Vce = 0.3V）；那么B-E正偏电压已足以打通B-E空间电荷区，而B-C正偏电压不足以打通B-C空间电荷区；所以集电区（C区）不会有“自由电子”穿越B-C空间电荷区到达基区（B区）；

3, 同时在发射区（E区）不断向基区（B区）注入“自由电子”，其“自由电子”浓度变的非常大，甚至远大于集电区（C区）的“自由电子”浓度，此时平衡被打破：扩散运动大于漂移运动，形成了“自由电子”从基区（B区）到集电区（C区）的电流。

 还有一种特殊的情况，即如下图所示NPN三极管工作在反向有源模式，此时B-C结正偏，B-E结反偏。此时可以看成三极管的C极和E极接反了，那在这种情况下的三极管还能正常工作么？

“自由电子”从集电区（C区）注入基区（B区），与正向有源模式相比，基区（B区）中少子的电子浓度梯度方向刚好相反；一般来说B-C结面积比B-E结面积要大的多，因此不是所有“自由电子”都能被发射极收集，而且集电区（C区）和发射区（E区）的掺杂浓度也很不相同，所以在反向有源模式下（E极和C极接反的情况下），虽然也能工作，但三极管的特性会完全不同。