说在开头：关于量子（1）
时间终于来到了20世纪， 1900年4月27日，开尔文男爵76岁了，已经是白发苍苍，他在阿尔伯马尔街皇家研究所演讲了这篇《在热和光动理论上空的19世纪乌云》，这两朵著名的小乌云，分别指的是：经典物理在光以太和麦克斯韦-玻尔兹曼能量均分学说上遇到的难题。第一朵乌云，我们在之前已经分享了，它直接导致了爱因斯坦相对论产生以及爱因斯坦与洛伦兹的纠葛，并且最终完全否定了以太的存在。第二朵乌云是人们在黑体辐射的研究中遇到的困境，这最终导致爆发了量子论革命。
我们知道一个物体之所以有颜色，是因为它反射了特定波长的光波，而如果看上去是黑色的，那么这个物体对所有频率的光波都不反射（吸收了），所以物理上定义的黑体，是指那些可以吸收全部外来辐射的物体，如太阳就可以看成一个黑体。我在初中上学的路上会路过一个铁匠铺，由于当年梦想着打造一柄属于自己的神兵利器，以便长大后仗剑走天涯，所时常在放学途中停下来观摩：偷学打铁技艺！咳，扯远了。我记得铁块在高温炉火中刚拿出来的时候是白色的，随着铁锤有节奏的敲打，铁块温度慢慢降低，会变成橙色，再打一会就会变成红色、暗红色，此时就要把铁块再次扔回到炉子里去了。所以在那时我得出一个结论：铁块的温度跟它的颜色是有关系的。
19世纪末，人们对黑体的热辐射发生兴趣，那些比我聪明无数倍的物理学大拿们，肯定也发现了温度与辐射频率是有关系的，而且他们还要研究出温度和辐射之间的具体数学关系。最初对黑体辐射的研究是基于热力学基础之上，美国人发明的热辐射计是非常好的测量工具，可以得到精确的热辐射能量分布曲线。
“黑体辐射”这个概念是基尔霍夫大师提出并由斯特藩总结和研究的，最初维恩从经典力学的思想出发，假设黑体辐射是由一些服从麦克斯韦速率分布的分子（玻尔兹曼分子假说）发射出来的，然后通过数学推导在1894年提出了辐射能量分布定律，这就是著名的“维恩分布公式”；科学家们初步对固体的热辐射进行了测量，结果很好地符合了维恩的公式，但是他却面临一个难题：他的分子假设与公认的光是波的现实格格不入（用粒子来解释波），果然维恩的同事很快又做出了另外一个事实：测到的短波范围曲线与维恩公式符合的很好，但是长波方面，实验与曲线出现了偏差。长波时维恩公式预言：当波长趋向无穷大（低频段）时，能量密度和温度无关。
这个结果引起了英国物理学家瑞利的关注，他试图修改公式以满足长波结论：瑞利抛弃了玻尔兹曼的分子运动假设，简单地从麦克斯韦理论出发，最终也得出了自己的公式。跟另一位物理学家金斯计算出了公式里的常数，得到“瑞利-金斯”公式。该公式在长波范围内成正比的实验结果，但是短波方面却失败的一塌糊涂。他预言黑体在高频段（短波）释放出无穷大的能量。
现在终于要轮到我们的大帅哥：普朗克上场了。（参考自：曹天元-上帝掷骰子吗）
二，半导体再深入理解
上面是对PN型半导体以及PN结的初步理解，是不是觉得半导体的知识也不过如此，一般来说硬件工程师对半导体的认知止于“初步理解”，因为硬件工程师所需的数据，器件资料（Datasheet）都以参数的形式给到我们，我们只需要根据参数选择器件，而并不需要理解不同器件为什么会有不同的参数。
有一天我看到了IGBT这个网红神器，产生了一个疑问，说是IGBT集合了BJT和MOSFET的优点：BJT（三极管）的优点是低饱和电压（导通电阻低，通流能力大），MOSFET（MOS管）部分的优点是开关速度高，驱动功率小。在我个人以往的认知和工作经验中，MOSFET明显是全方位碾压BJT，在缓启动电路中，在开关电源电路中应用的MOSFET通流能力至少是50A以上，100A以上也非常常见，但BJT只用过小电流的，而且BJT饱和导通时Vce至少要0.3V……。凭什么说BJT的导通能力大，饱和电压小？
然后又引出了更多的问题：BJT又称为双极性晶体管，为什么叫双极性？ MOSFET结构同BJT类似（PNP或NPN）为什么不是双极性？搞得我一个头两个大，烦躁不已。
我有觉得对于硬件知识来说最重要的是基础概念，所以我们重新回到半导体的基础概念重新再来理解一遍。
1，本征半导体
我们从半导体材料重新开始，用更深入更基础的概念来理解：到底什么样的材料能成为半导体呢？
1. 半导体材料必须是位于元素周期表Ⅳ族的元素半导体材料或化合物，因为只有4价的元素/化合物形成的共价键才是不会剩余“自由电子”或“空穴”，才能成为半导体；
——其中大部分化合物半导体材料是Ⅲ族（3价）和Ⅴ族（5价）元素化合形成的，组成了最外层电子数量为8个，效果同4价的硅、锗一样。
2. 固体可分为：无定形、多晶和单晶固体三种基本类型；
1, 无定形固体：只在几个原子或分子尺度内有序；
2, 多晶材料：在许多原子或分子的尺度上有序；
3, 单晶材料：在整体范围内都有很高的几何周期性，其优点在于其电化学特性通常比非单晶材料要好；半导体材料是单晶固体，整体必须要有有序的结构，链形态完整。
3. 单晶材料中原子的周期性排列称为晶格，如下图所示，考虑三种晶格结构，不同的晶体结构和晶格尺寸，决定晶体的不同特征；
1, 简立方，如下左图；
2, 体心立方，如下中图；
3, 面心立方结构，如下右图。
4. 常用半导体材料：硅、锗；具有金刚石晶格结构；如下图所示，这种结构基本上是缺四个顶角原子的体心立方结构；四面体中的每个原子都有四个与它最邻近的原子；
5. 晶体中的原子之所以能结合在一起，是因为它们之间存在着：结合力和结合能。带正电的原子核和带负电的电子必然要和周围其他原子的原子核和电子产生静电库仑力（电磁力），其中起主要作用的是各原子的最外层电子；有化学键：离子键（H2O），共价键，金属键；物理键：范德华键、氢键；
1, 共价键：原子之间通过共用电子对或电子云重叠而产生的键合，有方向性和饱和性。靠共价键结合的晶体称为共价晶体或原子晶体；原子晶体有熔点高，硬度大，导电性差的特点；
——单晶半导体形成的是共价键。
2, 金属键：由失去价电子的原子核和自由电子组成的电子云之间的静电库仑力而产生的结合。无方向性和饱和性。
——金属最显著的物理性质是具有良好的导电性和导热性。
3, 离子键：正负离子依靠静电库仑力产生键合，特点是没有方向性和饱和性；主要依靠静电库仑力而结合的晶体称为离子晶体。离子晶体结构稳定，宏观性质上有熔点高，硬度大，导电性差的特点；大多数离子晶体对可见光透明；
4, 范德华键：通过“分子力”而产生的键合。
通过这些分析，我们初步了解了固体材料的一些基本概念，这些概念有助于更加深入理解半导体本身。
2，P型N型半导体
对于P型或N型半导体，同样有一些问题需要更加深入思考；
1. P型半导体的多数载流子是“空穴”，那“空穴”能导电么？
——N型半导体的导电机制与金属一样，我们很容易理解其导电的原理；但是空穴本身并不能移动，它被紧紧锁定在原子周围，所以按理来说“空穴”越多则“自由电子”越少，直观理解P型半导体的导电性能就越差；但实际情况非常却违反直觉：“空穴”同样能够导电，且“空穴”浓度越大导电性能越强。接下来详细分析P型半导体的导电机制：
1, 如图下所示为P型半导体，在外加电场的作用下“自由电子”在电极负端进入P型半导体共价键空穴（自由电子被空穴捕获），空穴相邻位置价电子会在电场作用下继续移动填充至空穴，从而产生新的空穴，这个过程可以等效为：空穴移动，因此空穴也被认为成是正电荷。在模型中空穴看成正电子，工作原理同自由电子相同，运动方向与自由电子相反。
2, 我们将“正电子”看成是一个真实存在，从“正电子”角度再来理解空穴导通状态：“正电子”从外加电场的电极正端输入流向电极负端。
2. 那么我们既然将“空穴”等同于“自由电子”一样看作真正的粒子，那么在同样电场作用下它们的移动速度一样么？（正电子和自由电子的质量是否一样？）
其实还是不一样的，由如下两个方面决定：
1, 假如有个“粒子”在电场作用下不受任何阻碍，那么该“粒子”可以被不断的加速，直至接近光速；但实际上半导体中载流子在受到电场力作用加速后，每过一段距离就会与半导体中其它粒子（原子）发生碰撞，从而降低了漂移速度（漂移电流），但漂移速度还是正比于电场强度，比例因子u称为迁移率；
2, 虽然空穴的移动直观上是由于自由电子的移动所导致的，如下图所示，实际测试及理论分析空穴的等效质量要大于自由电子质量，所以在相同电场作用下空穴迁移率一般要低于自由电子迁移率。
——这是为什么MOS管采用N沟道和晶体管使用NPN比较多的原因，N沟道更容易制造出大电流器件。
3. 我们从前面对半导体的学习中，了解到多子占据了杂质半导体的绝对地位（106
：1），那么半导体导电只是多子的运动么？或则说少子就不重要了么？
1, 首先半导体的导电不只是多子的运动，举个栗子：在反向漏电/击穿情况下，甚至是少子占了主要作用；
2, 在正向导通情况下：以N半导体为例，多子（自由电子）受外加电场的作用从负极移动到正极，少子（空穴）从正极移动到负极；在这种情况下N型半导体的少子对电流几乎没有帮助；
3, 在结合成为PN结后：由于少子扩散作用，N型半区的多子（自由电子）扩散到P型半区成为少子，迫使P区增加空穴浓度以保持电势平衡，对二极管形成电导调制效应，对导通电压及电流产生非常重大的影响（关于电导调制，具体下面PN结详细分析）。
3，PN结
又来到了PN结，其实说起PN结，它无时不刻透出了一股神秘的气息，越想要搞明白它，它反而越会让你产生更多的疑问。来吧，集中精神、以气驭剪，我们继续来看看还有哪些疑问。
1. PN结中最神奇的就是空间电荷区，那它是如何形成并稳定的呢？
1, 在P和N型半导体接触之前，P型半导体有很高浓度的“空穴”，N型半导体有很高浓度的“自由电子”；当P和N型半导体接触，以N半区为例：“自由电子”会从浓度高的N区向浓度低的P区运动；
——这种由于浓度梯度导致的载流子扩散运动产生的电流称为扩散电流，扩散电流的大小只与浓度梯度有关；
2, 由于扩散运动后，P区留下负离子，N区留下正离子，在PN之间形成内建电场，方向为N区指向P区；内建电场会使P区的“自由电子”向N区移动，N区的“空穴”向P区移动。
——这种由电场作用使载流子产生漂移运动形成电流称为漂移电流，漂移电流与电场强度相关；
3, 空间电荷区是：多子“扩散电流”和少子“漂移电流”的平衡；以N半区为例：“自由电子”（多子）会不断从N区扩散到P区，但是内建电场会使“自由电子”漂移回到N区，并形成动态平衡；同时在空间电荷区内本征激发的空穴-电子对，会在内建电场的作用下返回到各自P区和N区，在空间电荷区保持耗尽的平衡状态。
2. 那我们从扩散电流和漂移电流的原理出发，如何解释正向导通和反向截止？
1, PN结外加正向电压：外加电场减小了PN结内建电场，从而削弱了反向漂移电流，而扩散电流保持不变（只与浓度梯度有关）；同时在外加正向电场作用下负极向外强势输出自由电子，正极向内强势吸入自由电子（输出空穴），在PN结外区域保持持久的扩散运动和漂移运动；
2, 上图中A-处，“自由电子”注入到半导体B-区，“自由电子”在外电场和扩散运动的推动下，向中心移动，挤压中间空间电荷区；在A+处，在外电场吸引和扩散运动推动下，“自由电子”从B+区被吸走（“空穴”注入到B+区）；“空穴”也在外电场和扩散运动的推动下，向中心移动，挤压中间空间电荷区；
3, 图中C处空间电荷区在受到挤压情况下，宽度变小，内建电场也相应变小，漂移电流变弱；此时平衡被打破，扩散运动强于漂移运动；净效果是，B-区大量“自由电子”和B+区大量“空穴”扩散注入到空间电荷区，在此相遇并复合（小注入情况）；由于扩散运动影响，B-区的自由电子（多子）会扩散至B+区（变成少子）形成浓度梯度，同理B+区空穴（多子）会扩散至B-区（变成少子）形成浓度梯度，电流越大其对应的少子浓度越大（大注入情况）；
4, 外加反向电压时：在外部电场作用下，从N区抽走“自由电子”，从P区抽走“空穴”；N区的“自由电子”和P区的“空穴”向外侧移动；同时空间电荷区宽度增加，内建电场变大，漂移电流增加（二极管反向电流）。
3. 在杂质半导体中少子浓度远小于多子，但为什么PN结少子浓度为什么能表征了正向导通电流的大小？
1, 当PN结外加正偏电压时：注入的“自由电子”和“空穴”会随电压增加逐渐穿过空间电荷区，并复合空间电荷区存在过剩载流子；随着外加正偏电压增大，P区“空穴”（多子）穿过空间电荷区注入N区内“空穴”（变成少子）的数量也会增加，“空穴”扩散到N区内，并与N区“自由电子”（多子）发生复合，形成动态的平衡；所以问题中所说的“少子”浓度是指：P区的多子扩散到了N区变成的“少子”，而不是P区半导体原本就存在的“少子”；同理N区内少子（自由电子）也经历了同样的过程；
2, 如下图所示，由于PN结正向导通后载流子的扩散运动，P区中的少子(自由电子)，N区中的少子(空穴)，伴着远离空间电荷区浓度逐渐减少：即离PN结越近少子浓度最大，离PN结越远少子浓度指数级减少，呈现一定的浓度梯度；当正向电压增加时，N区将有更多的多子（自由电子）扩散到P区，成为P区少子（自由电子）的浓度梯度增加；反之正向电压减少，浓度梯度减小；
3, 流过PN结的电流为：电子电流和空穴电流之和；假定PN结内电子电流与空穴电流是连续的（定值），所以PN结的电流即为x=0处的少子空穴扩散电流和少子电子扩散电流之和（假设空间电荷区以外区域的电场为0，忽略任何少子漂移电流成分）；
4, 计算空间电荷区边缘处的少子扩散电流密度：P区与N区的“少子扩散电流”密度随着距离指数衰减（远离PN结越远，被多子复合掉的概率越大），但PN结的总电流为常量，所以：总电流-少子扩散电流=多子漂移电流；
5, 远离PN结区域的P区“多子空穴漂移电流”既提供了穿过空间电荷区向N区注入的空穴，又提供了因与过剩少子（自由电子）复合而损失的空穴；该原理同样适用于N区内电子的漂移电流；根据双极输运理论推导，在确定PN结的电压-电流关系式时，主要考虑的是少子的运动。
6, 少子扩散效应，对二极管/三极管特性的影响：
(1) 扩散电容：随着外加电压的变化，其P区与N区“少子”电量Q也发生变化：ΔQ；少子电荷存储量的变化与电压变化量的比值称为：扩散电容（nF级别，比势垒电容大3~4数量级，影响二极管/三极管开关频率，影响开关电源效率）；正向电压与扩散电容成指数级关系。
(2) 电导调制：在小电流时二极管的电阻主要是P区和N区的欧姆电阻，其阻值相对较高且保持不变，所以此时二极管正向导通电流随压降的上升而线性增加：I=U/R。
——当PN结流过正向电流较大时，由于P区多子注入并积累在N区变成的少子（空穴）浓度将大增，此时在N区靠近空间电荷区的电势要远高于N区电极端，所以导致有更多的“自由电子”会从负极进入N区，整体上在N区的“自由电子”浓度大幅增加，直至N区内部电场与扩散电流建立平衡，此时PN区的电阻率明显下降，即电导率大大增加，二极管正向导通电流随压降的上升急剧增加。
——根据电导调制的原理解释了：三极管饱和压降小于MOS管，通流能力大于MOS管的原因。
不可否认，这部分内容烧脑了很多，“多子”与“少子”不断来回折腾，多子穿越了空间电荷区又变成了少子，这个少子由于要被多子复合，所以为了保持其平衡需要有更多的多子进来。所以：犯困时，不要看；精力不足时，不要看；激烈运动之后，也不建议看。
下一章节，更烧脑哦~
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