MOS管发热主要原因和解决办法

1，原因

忽略杂散电感，由于GS之间存在小电容，所以驱动回路就变成了RC低通滤波器，如下图，RC滤波器特点是当输入90度上升沿时，输出会变得缓慢，下降沿同理。这就是MOS管发热主要原因，因为此时MOS管并未完全导通，DS之间电阻RDSon比较大，DS两端的电压不小，电流也很大，这就会导致MOS管发热

 可以通过示波器来分析这个缓慢上升的阶段

得到波形图如下，紫色为电流。开始时PWM为0，黄色波形为0V，MOS管完全关断，这时电压VDS就应该等于电源电压。右边部分MOS管完全导通时VGS=5V，VDS=0V。中间黄色波形，即VGS上升过程分为三个阶段，第一个阶段VGS由0上升到VGS(th)，MOS管还没有开通，VDS等于电源电压，电流为0；第二个阶段黄色波形很平，此时MOS管处于半开半关状态，相当于一个电阻，可以看紫色曲线电流在这个阶段是不小的，这个阶段是MOS管发热的主要原因；第三个阶段就是MOS管完全导通，虽然电流比较大但是VDS等于零 P=UI为0。

很多时候希望PWM频率越大越好，例如开关电源领域PWM频率越大功率就越大，成本更低。而VGS的上升沿和下降沿时间就成了频率提升的最大障碍。所以为了减少MOS管的发热，就要减小VGS上升沿和下降沿所用的时间

2，解决办法

第一种方法就是减小电阻R2，以此来减小RC的时间常数，上升沿就可以更陡，但是太小就有可能引起振铃。所以要尝试更换电阻阻值，折中处理(如果电阻超过100Ω振铃仍然很大，就要令找问题了)

我们可以在电阻两端并联一个二极管，这样可以让下降沿变得更陡。这是因为当IO口电压为0时，G端电压高于IO口，这时二极管就回导通，二极管右端也就是G端电压就变成了0.7V 

第二个方法是减小MOS管的Cgs电容。选择Ciss更小的MOS管

第三个方法是增大G端的驱动电压和电流。可以用专门的栅极驱动芯片(比如EG3013)。对于单片机来说输出电压只有3.3V，电流20mA，做慢速开关是可以的，但是做PWM驱动就很局限，只能驱动小功率MOS管