CMOS管原理，及其在推挽电路中的应用

最新推荐文章于 2024-09-05 12:41:33 发布
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分类专栏： 模电 单片机
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本文介绍了门电路的基本原理，通过分析开关模型展示了高电平和低电平的形成。特别提到了CMOS技术，解释了其如何通过两个互补的开关实现理想的电阻状态，从而在推挽电路中实现0和1的逻辑转换。CMOS在输出寄存器的控制下，能够通过P沟道和N沟道MOSFET实现反相输出，确保了信号的稳定传输。
摘要由CSDN通过智能技术生成

1. 门电路

首先用一个简单的模型来输出一高一低的电平

  1. 当s打开的时候，v0与VCC导通，此时R分压，此时理想情况是R无限趋近于0，VCC=v0

  2. 当S闭合，v0拉到地，低电平，但此时又需要R的存在，而且不能无限趋近于零，否则都会造成短路

在这里插入图片描述

2. 由门电路引出cmos

这里上面靠近VDD的开关就可以构成我们想要的理想的R

  1. 当下面闭合的时候上面打开，上面的开关是无穷大的电阻，
  2. 当上面闭合的时候下面打开，上面开关是R=0的电阻，Vout=Vdd

在这里插入图片描述

所以像在推挽电路中

  1. 输出寄存器输出0，低电平，P导通，输出高电平1
  2. 输出寄存器输出1，高电平，N导通，输出低电平0
  3. 0-1,1-0，所以是反相器

在这里插入图片描述

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