代码执行方式及存储器

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前言

经常接触到诸如Flash, SRAM, SDRAM, ROM等关键词，但在以往的应用开发中很少有较深入的了解，这里笔者做一下相关笔记。

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一、存储器映射

下图是存储器映射，代码无法在外设、设备、系统存储区执行。若运行于RAM\SRAM区域，取指令需要一个额外的周期。

二、代码执行方式

1.BootROM方式

易知，代码从0x0000 0000，偏移0x4的bootrom开始执行。人为的，我们将程序段从相应存储区域映射到对应地址，如eflash的0x0800 0000地址。

bootloader + app 方式

boot至内部flash启动（例如0x0800 0000） >> 配置外部RAM存储器（SDRAM/SRAM） >> RAM拷贝App代码（SDCARD/SPI-FLASH/外部ROM）就地执行

用户App应与外部RAM链接

1.1完全映射

运行时，将所有代码从非易失性存储器(flash/rom)复制到ram中。

LR_IROM1 0x20000000  0x000E0000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x20000000 0x000E0000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
  }
  
  RW_IRAM1 0x20010000 0x00020000  {  ; RW data  sram  
   .ANY (+RW +ZI) 
  }
}

1.2部分映射

按需分页，代码部分复制到ram中。若访问产生页错位，则代码和数据都放入ram。

//待补充
//xxxx.sct

1.3内部flash执行

设内部flash映射地址0x0800 0000，bootloader将程序指针跳转到0x0800 0000，偏移0x4开始执行，即执行汇编xxx.s文件，配置c语言等环境。

相应的.sct文件编辑如下，

//08EFM.sct
LR_IROM1 0x08000000  0x00020000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x08000000 0x00020000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
  }
  
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000  {  ; RW data  sram  
   .ANY (+RW +ZI) 
  }
  
  RW_ERAM1 0x80000000 0x00200000 { ; 外部SDRAM
  .ANY (EXRAM) ;选择EXRAM 节区
  }
}

其中：Code为程序代码部分
RO-data 表示 程序定义的常量const temp;
RW-data 表示 已初始化的全局变量
ZI-data 表示 未初始化的全局变量

.map文件如下，

2.XIP方式

XIP(eXecute In Place), 芯片内执行，指MCU直接从存储器中读取程序代码执行，无需从存储器中先读到ram再从ram执行代码。

//待补充

Nand FLASH（✘）
读取操作基于扇区，速度相对较慢（us级），不适合实现XIP。数据线地址共用，写速度比Nor快，适合做成存储和下载系统。类似于SPI FLASH。
Nor FLASH（✔）
数据线地址线分开，随机寻址，按块擦除慢，读取时序接近SRAM（约100ns）。可以进行字节寻址，代码可以在Nor FLASH运行。
QSPI FLASH（✔）
类似于Nor Flash？

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总结

如有错误，欢迎指点一二

参考

1. 内核启动流程-程序员ITS201
2. XIP技术-数字IC设计学习之路
   
3. Cache-血糯米冰酪
4. XIP与BootROM-sudaroot
5. FLASH区别-寒听雪落
6. 单片机内存解释-dtj-ee
7. 《ARM Cortex-M3/M4权威指南》