EEPROM,NAND,NOR,QSPI FLASH的区别

本文详细介绍了各种存储器的区别,包括RAM、SRAM、DRAM、ROM、NorFlash、NandFlash以及EEPROM。其中,EEPROM允许电擦除和编程,适用于小容量存储;NandFlash具有较高的擦写次数和速度,常用于数据存储;而NorFlash则支持随机寻址,适合存储和运行程序。文章还提到了SPI Flash和它们的硬件接口特性。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

一,常见存储器 
      RAM —— 特点:可以存储数据,掉电丢失,速度快 
      SRAM:静态存储器 。访问之前无需进行复杂的初始化工作 直接访问 
      DRAM:动态存储器特点:访问之前必须要初始化,只需初始化对应的控制器(此控制器又称内存控制器) 
        SDRAM,DDR... 
        ROM 
        NorFlash 
硬件接口:采用总线方式接口,和内存一 样,有地址线和数据线, 所以在NorFlash是可以运行+程序的,但是速度相对于内存要慢不少。擦写次数:10万次。没有坏块一说,相对于Nand非常稳定。              NandFlash 

二,名词解释

ROM:Read Only Memory,只读存储器,手机、计算机等设备的存储器,但现在的所说的ROM不只是Read Only了,也是可以写入的。

RAM:Random Access Memory,随机存取存储器,手机、计算机的运行内存。

SRAM:Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器,只要供电数据就会保持,但断电数据就会消失,也被称为Volatile Memory

DRAM:Dynamic Random Access Memory,

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

寒听雪落

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付:¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足,请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值