电子技术基础—半导体二极管及其基本电路2—PN结

    杂质半导体包括N型半导体&P型半导体。

    在本征半导体中掺入五价元素，如磷元素，形成N型半导体。四个价电子和硅或者锗形成共价键，剩余一个电子成为自由电子。所以，每掺入一个磷原子，就产生一个自由电子，产生自由电子的同时不产生空穴。由于磷原子贡献一个电子，所以被称为施主杂质。施主杂质因提供电子而带正电荷成为正离子。同时，半导体内还有硅或锗本身产生的自由电子、空穴对。所以，自由电子数目较多，成为多子，空穴数目较少，成为少子。

    同理，在本征半导体中掺入三价元素，如硼元素，形成P型半导体。硼原子被称为受主杂质，受主杂质因提供空穴而带负电荷成为负离子。

    在半导体两个不同的区域分别掺入三价和五价元素，分别形成P区和N区，在交界处就出现了自由电子和空穴的浓度差别。P区的多子是空穴，浓度高，少子是自由电子，浓度低；N区的多子是自由电子，浓度高，少子是空穴，浓度低。载流子由于浓度的差别而产生的运动成为扩散运动，自由电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散。换句话说，就是自由电子从N区向P去扩散，空穴从P区向N区扩散。在扩散的过程中，在交界面处自由电子和空穴复合，自由电子和空穴同时消失。

    P区失去空穴，留下不能移动的硼离子，带负电。N区失去电子，留下不能移动的磷离子，带正电。这样，会在半导体内部产生由N区指向P区的电场，成为内电场。内电场会阻碍扩散运动的进行。在内电场的作用下，P区的少子自由电子会受到一个从P区指向N区的作用力，N区的少子空穴将受到一个从N区指向P区的作用力。载流子在电场的作用下的运动称为漂移运动。

    扩散运动和漂移运动最后会形成动态平衡，此时硼离子和磷离子的区域宽度保持不变，这个区域被称为PN结，又称为耗尽层，势垒区或空间电荷区。

    给PN结加正向电压和反向电压时，都会打破动态平衡。

    加正向电压时，与PN结内电场方向相反，削弱了内电场，内电场对于扩散运动的阻碍减弱，动态平衡被打破，扩散运动大于漂移运动，扩散电流大于漂移电流。因为扩散电流由多子扩散运动形成，漂移电流由少子的漂移运动形成，所以扩散电流远大于漂移电流，所以在回路中总电流的真实方向总是从P区流向N区。加反向电压时，回路中的总电流的真实方向是从N区流向P区。

    PN结正偏时，电流较大，呈低阻性；PN结反偏时，电流较小，呈高阻性。可以认为PN结呈单向导电性。

    PN结的伏安特性曲线：（待补）

    PN结的反向击穿

    PN结上所加的反向电压达到某一数值时反向电流激增时反向电流激增的现象称为PN结的反向击穿。有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式。

 

    

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