半导体材料有硅(Si)、锗(Ge),他们是元素半导体。砷化镓(GaAs)是化合物半导体。它们之所以能够形成半导体是由其外围的价电子数决定的(价电子数为4)。金属元素的价电子数少于4个,他们最外层的电子极易摆脱原子核的束缚形成自由电子,在外电场的作用下产生定向移动形成电流,因此导电能力最强。绝缘体中的元素价电子数是8个,最外层电子受原子核束缚力很强,很难形成自由电子,所以导电能力差。半导体元素硅(Si)、锗(Ge)的价电子数都是4个,它们的最外层电子既不像导体那样容易摆脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚的那么紧,因而导电性介于两者之间。
共价键中的电子称为束缚电子,若束缚电子获得能量,摆脱原子核的吸引,在晶体中可以自由移动。这种不受共价键影响的电子称为自由电子。半导体到点分为两个方面,一是自由电子的定向运动,二是束缚电子的定向运动。运载电荷的粒子称为载流子,半导体中的载流子有自由电子和束缚电子两种。在描述半导体导电过程中束缚电子的运动不太方便,所以我们用假想的、带正电的、与束缚电子反方向运动的那么一种粒子来描述电子的运动比较方便,这种粒子起名为’空穴‘。有了空穴的概念,以后就可以这么说,半导体中的载流子有自由电子和空穴两种,并且成对出现(原因是共价键中的电子是成对的,一个成为自由电子,另一个必然成为束缚电子,也对应着空穴)。
半导体的特性:热敏性、光敏性、掺杂特性,三种方式均能够使本征半导体中的载流子数目增加。