多通道主控的多CE NAND Flash 动态块模型

     基于多通道主控的多CE NAND Flash动态块模型建设，旨在更高效的进行坏块管理，从而提高坏块管理性能，为SSD的更高效的性能做保障。

图1：没有坏块的模型

     如图1所示，在没有坏块的情况下，多通道下的多CE的PB0（physical Block）共同组成LBT0, 多通道下的多CE的PB1共同组成LBT1,以此类推，多通道下的多CE的PBn共同组成LBTn。而这里的块模型我们称之为静态块模型。

图2：有坏块的快模型

     当出现坏块的时候，LBT会根据坏块的分布，而动态的调整块模型。调整的基本原则是保证一份LBT的完整性，即LBT包含的物理块个数需要保持恒定。如例子中的每个LBT需要保证16个物理块。图2所示，当通道1的CE1在LBT0出现坏块（PB0）的时候，块模型会自动向下取块，进而保证LBT个数的完整性。所以LBT0包含的块由16个PB0变成了15个PB0和一个PB1（如图2所示）。所以其他LBT都需要做出调整，并且LBT的最大值等于一个CE下的PB最大值减去同一CE下的坏块个数，

LBT_max=PB_max-PB_bad

      对于在凑齐了完整的LBT_max以后剩余的块，一般不够一个LBT，一般有两种处理方式。如果是容量优先，就需要利用起剩余的块，由于不在一个完整的LBT内，所以需要单独操作，这样会降低一定的性能。具体的操作方式为将剩下的不足一个LBT的块集合起来建立一个另外的一个LBT模型，这里叫它Other_LBT，即将剩下的块都映射到Other_LBT里面，这样所有的块都可以用完，保证了容量。

      如果是性能优先，对于剩余的块，可以搁置不用。

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