GJB~元器件降额

提到降额,可能大家不是很了解,但是电容耐压的降额,都会有些概念了。

降额设计:目的是为了提升产品的可靠性。

让元器件应用中所承受的应力(电应力和温度应力)低于元器件本身的额定值,从而延缓器件的参数退化,增加工作寿命。
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确定参数降额量值的基础:

A类:对大量使用数据进行过分析,并对元器件的应力与可靠性关系有很好的认识。

B类:供分析的使用数据有限,或结构较复杂。但对元器件的应力与可靠性关系有一定的认识。

C类:由于技术较新,或收到器件所在设备中组合方式的限制,至今尚无降额的应用数据可供参考。但研究了它们的结构和材料,作出降额的工程判断。
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GJB/Z 35-1993元器件降额准则》中,降额程度由降额等级和降额因子的值来表征。

降额等级的划分:

Ⅰ级降额:最大的降额,对元器件使用可靠性的改善最大。超过它的更大降额,通常对元器件可靠性的提高有限,且可能使设备设计难以实现

Ⅱ级降额:中等降额,对元器件使用可靠性有明显改善。Ⅱ级降额在设计上较Ⅰ级降额易于实现。

Ⅲ级降额:最小的降额,对元器件使用可靠性改善的相对效益最大,但可靠性改善的绝对 效果不如Ⅰ级和Ⅱ级降额。Ⅲ级降额在设计上最易实现。

对于不同的可靠性要求、使用条件以及其他约束,可以采用不同的降额等级。

例如,某项目要求最低使用Ⅱ级降额,那么就不能使用Ⅲ级降额,但是可以采用Ⅰ级降额。

GJB/Z35推荐的降额等级为:

航天器与运载火箭:Ⅰ级;

战略导弹:Ⅰ~Ⅱ级;

战术导弹系统、飞机与舰船系统、通信电子系统、武器与车辆系统:Ⅰ~Ⅲ级;

地面保障设备:Ⅱ~Ⅲ级;
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特别注意的是:低质量产品要慎重使用,不能用降额补偿的方法来解决低质量元器件的使用问题。

降额因子:也称应力比;元器件工作应力与额定应力之比。

注意:同样降额等级,不同元器件或者不同降额参数的降额因子是不一样的。
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举例电阻电容器:关键参数分别是功率跟直流工作电压。
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1 第6章 重要电路与元器件的防护设计 主讲:庄奕琪 电子设计可靠性 电子设计可靠性 工程 工程 2 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 本章目次 6.1 高速数字IC防护设计 6.1.1 去耦电容设计 6.1.2 PCB去耦设计 6.1.3 时钟电路考虑 6.1.4 接口电路考虑 6.2 感性负载开关电路防护设计 6.3 数模混合电路防护设计 6.3.1 可靠性设计要点 6.3.2 数模混合芯片的接地 6.4 微处理器防护设计 6.4.1 概述 6.4.2 看门狗 6.4.3 过压欠压控制 6.4.4 软件防护设计 6.5 电源防护设计 6.5.1 概述 6.5.2 线性电源防护 6.5.3 开关电源防护 6.5.4 电源通断防护 6.6 放大器防护设计 6.6.1 概述 6.6.2 过压过流保护 6.6.3 隔离与屏蔽 6.6.4 接地与去耦 6.6.5 其它 6.7 接口防护设计 6.7.1 网络接口防护 6.7.2 串行接口防护 6.7.3 ADSL接口防护 6.7.4 USB接口防护 6.8 继电器防护设计 3 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 6.1 高速数字IC防护设计 6.1.1 去耦电容设计 6.1.2 PCB去耦设计 6.1.3 时钟电路考虑 6.1.4 接口电路考虑 4 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 6.1.1 去耦电容设计 去耦电容的作用 去耦 增加电源和地的交流耦合,抑 制数字电路开关工作时出现在电源与 地线上的穿通浪涌和负载浪涌,需具 备足够的瞬态电流容量,因此容值相 对偏大,用于可靠性防护 旁路 电容给高频交流信号提供低阻 抗通路,缩小高频环路面积,需具备 足够的高频上限频率,无需具备足够 的瞬态电流容量,因此容值相对偏 小,用于电磁兼容性加固 去耦+旁路 一般情况下,电源-地的 去耦电容和旁路电容可合二为一 去耦电容 为高频穿 通电流提 供泄放通 道 去耦电容 为负载电 流提供电 荷(充电 时)或接 收电荷 (放电 时) 2 5 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 6.1.1 去耦电容设计 效果比较 无去耦电容:电源电流中的直流成分与瞬变成分均通过电源线和地线,形成浪涌电压,并构成大面积的 高频电流环路 有去耦电容:电源电流中的瞬变成分均通过去耦电容旁路,不再通过电源线和地线,并大大缩小了高频 电流环路面积 6 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 接去耦电容后(电压波动±0.3V) 未接去耦电容(电压波动±0.8V) 6.1.1 去耦电容设计 效果比较(续) 1.5V电源的数字IC的电压波动统 计分布 5V电源的数字IC的电压时间波形 7 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 6.1.1 去耦电容设计 图解 为数字IC的电源端加去耦电容 银行太远,一定要有自己随身携 带的零用钱盒子(数字IC一定要 有自己的去耦电容) 钱 盒 子 要 能 很 快 地 打 开 (去耦电容在与开关浪涌 对应的频率范围内具有足 够低的阻抗) 钱盒子里的钱要足够多才 够用(去耦电容要有足够 的数量和容量) 8 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 Copyright by Yiqi Zhuang 2013 V1.0 6.1.1 去耦电容设计 容值估算:公式 t V I C Δ Δ Δ 压变化最大值 正常工作允许的电源电 是数字 上升沿或下降沿宽度) 的开关时间(输出信号 是数字 差 开关电流

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