ESD与EOS（surge）防护器件选型

ESD:electronstatic discharge 静电放电

• 现象：有限的大量的电荷在不同电位体之间快速转移的一种放电现象。

• 产生原因：摩擦，接触，耦合感应等。

• 特点：时间短（ns级），电压高（kv）,电流大（A）。

• 测试规范与方法：IEC61000-4-2，ESD GUN

EOS：electrical over stress 电性过应力

• 现象：高压或者大电流导致芯片内部损坏，发热，从而伴随着外部烧糊的现象。

• 产生原因：感应，累计浪涌等。

• 特点：时间长（us级），电压跟电流视情况而定。

• 测试规范与方法：IEC61000-4-5，EOS tester（surge generator）

ESD模拟方法：静电枪（ESD GUN）也是ESD保护能力测试工具。

ESD保护能力等级评估：

ESD选型重要参数：

A：钳位电压：决定保护系统的能力。

注意：图中表的+6KV时候的钳位电压为11.5V，放在现在相当于+8KV的钳位电压。

B：Vrwm：被保护的电源或讯号线的最高工作电压。
VRWM是指reverse stand-off voltage，用来只是该颗料可以工作在什么电压范围内。
信号线的电平：

1.5V：DP USB3.0：TX/RX

3.3V:HDMI USB2.0:D+/D-

C：单向或双向：被保护电源或讯号线是否可能出现正电压或者负电压。
单向的信号区域只是正的，而双向TVS的信号区域可以是正或者负的。
可以从TVS的模型看出来:
只有一个齐纳二极管的是单向的，有两个齐纳二极管背靠背或者正对着的是双向的。

例如RS232 Audio等需要用双向的。

D：电容值：电容值越低，在高速应用中，对信号完整性得到影响越低。

电容值应该从规格书上怎样读出来呢：

注意：是红色框框里面的值。

E：Ipp：是否有EOS（surge）防护的需求。

注意：很多国产的datasheet会标出Ppk，这是没有参考意义的，为什么呢，请自己思考下，然后留言你的看法，或者后台回复“Ppk”查看答案。

F：封装与脚位：尽量选择集成高的array，就是选择多通道，小封装的意思；尽量方便layout。
最好采用Feed-Through Package Design,如下图type-c:

最后注意，在设计ESD跟EOS的时候，记得预先了解需要达到的ESD等级：
如空气8KV，接触4KV，需要达到class A或者是class B.

EOS 是在ESD的基础上面加强去防护EOS的，所以EOS可能能够防护ESD，而ESD不一定能够防护EOS。

文末注明：本文所举例子为AZC099-04S，需要对应规格书的可后台回复“AZC099-04S”