（二）汽车电子学习之电容

  在汽车电子中，电容按功能用途分为高频旁路、低频去耦、滤波、调谐、高频耦合和低频耦合等，简单来说电容在电路中起到缓冲作用，包括提供电流或是吸收电容两种方式。

1，电容的寄生参数

  电容在使用的时候并不是理想的，需要了解电容的等效模型，在等效模型中除电容妇女的容值外还有等效串联电阻ESR、等效串联电感ESL和等效并联电阻SPR。

  ESR 由电容器的引脚电阻与电容器两个极板的等效电阻相串联构成。当有大电流通过时，ESR使电容器消耗能量，因此电容器中常用损耗因子表示该参数。

  ESL 由电容器的引脚电感与电容器两个极板的等效电感串联构成。

  EPR 电容器泄露电阻，在交流耦合应用、电荷存储应用和高阻抗电路中应用时，它是一项重要参数。理想电容器中的电荷应该只随外部电流变化，然而实际电容器中的EPR使电荷以RC时间常数决定速度缓慢泄放。

2，电容的参数

• 标称电容量：电容器产品标出的电容量值，需与额定电压一起才有意义，通常电解电容的容量较大但精度较低，陶瓷电容容值较小但精度较高。电容的精度编号如下：D == 005级 == ±0.5%；F== 01级 == ±1%；G== 02级 == ±2%；J== I级 == ±5%；K== II级 == ±10%；M==III级 == ±20%；
• 电容温度范围：电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围；有三个参数较为常用：最大工作温度、最小工作温度和额定温度，其中额定温度是指可以连续施加额定电压的最高环境温度。
• 额定电压：在最小工作温度至额定温度之间的任意温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。
• 损耗因数：也称为损耗角正切，是在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。损耗因数也是ESR同容性阻抗的比值，因此与ESR有关。
• 漏电流：是指在给定额定电流下流过电容的直流电流值，与电容上的电压、电容的容量和电容的温度有关，以下式可以进行估计：I_LEAK=k×V_DC×C，其中k是常数，C是电容的容量。

3，电容的分类

• 独石电容器：也称为多层陶瓷电容器（MLCC），优点：体积小、容量大、可靠性高和高温特性好，在汽车电子电路中大量使用；
• 铝电解电容：有正负极，容量超大，能耐受大的脉动电流；容量误差大并且受寿命影响，存在较大的泄露电流。价格低，寿命短。
• 钽电解电容器：与普通电解电容相比，在容量误差、体积、寿命、温度特性、频率特性和可靠性上均占有优势，最为突出的是漏电流极小，储存性良好。最大缺点是耐压特性差，特别石对脉动电流的耐受能力非常弱，失效后短路状态的概率较高。

4，数字噪声的来源

• 噪声的本质是数字电路中形成的瞬间冲击电流，主要有两个成因：负载电流和穿透电流；
• 负载电流：当输出为容性负载时，状态切换时电容的充电电流和放电电流，数字电路中的电流波动很大一部分是由负载电流的变换引起的。
• 穿透电流：输出级控制逻辑输出的PMS和NMOS短时间同时导通，电源与地线之间瞬时短路产生瞬态尖峰电流。
• 同步开关噪声和变化电流噪声
• 地弹噪声：信号从高电平变为低电平，负载电流和穿透电流同样在传输线、地平面、等效电感L_GND以及内部NMOS管形成一回路，芯片内部至PCB地节点前产生参考电平被抬高的扰动，该扰动在电源系统中被称为地弹噪声。
• 实际电源系统中，芯片引脚、PCB走线、电源层、地层等任何互连线都存在一定电感值，就整个电源分布系统来说，这就是所谓的电源电压塌陷噪声。添加电容的作用就是尽量避免噪声的影响扩散至整个电源线路环节。

5，去耦和旁路电容

• 在实际的电路中，常建议使用两个电容并联作为旁路电容和去耦电容；
• 去耦电容：主要起到一个小电池的作用，满足电路中电流的变化，避免相互间的耦合干扰。如果去耦电容放置在芯片附近，其主要目的是满足芯片在工作中的电流需求，包括输出电流和穿通电流变换两部分。
• 旁路电容：旁路电容一般是指高频噪声旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。
• 一般来说旁路电容要比去耦电容小很多；
• 通常通过大容值、大封装的去耦电容和小容值、小封装的旁路电容的并联，来解决抗干扰和潜在的EMC问题；

  实际电容的网络阻抗特性：在频率较低时，呈现电容特性，即阻抗随频率的增加而降低；在某一点发生谐振，在这点电容的阻抗等于等效串联电阻ESR；在比谐振点更高的频率上，由于ESL的作用电容阻抗随频率的升高而增加，这是电容呈电感的阻抗特性。在谐振点以上，由于电容的阻抗增加，因此对高频噪声的旁路作用减弱，甚至消失。电容的谐振频率由ESL和C共同决定，电容值或电感值越大谐振频率越低，高频滤波效果越差。

  在实际设计中，如果只考虑1mhz以内的噪声，一般去耦和旁路电容的设计规则可以简化为只用0603封装的0.1µF电容去旁路每一个芯片。同时元件摆放和电路布局也是需要注意的：电路板上的铜线存在一定的寄生电感，并且任何电流路径上的电感与该路径的闭环面积成正比，故需要将这两个电容尽量贴近芯片。

6，陶瓷MLCC电容

• 由于使用多层介质叠加的结构，高频时电感非常低，具有非常低的等效串联电阻，因此可以使用在高频率波电路上；
• 无极性，可以使用在高纹波电路或交流电路上，在汽车电子中反接时也能保证不损坏；
• 封装较小，由于耐压相对较高和容值变换较小，因此不需要大幅度间降额使用；
• 当电容击穿时，不燃烧，不爆炸，安全性较高；

  多层陶瓷电容的特性主要是由内部介质决定的，在汽车电子中能够使用的主要有两种介质的电容：一类电介质，二类电介质。

• 一类电介质：电气性能最稳定，基本不随温度、电压和时间的改变而改变，容量较小；
• 二类电介质：电气性能较稳定，在温度、电压和时间改变时性能的变化并不显著，由于其属于强电介质，因此容量较大；

  在设计和选择使用陶瓷电容时需要注意的几个问题：

• 大容量的电容意味着封装较大，所以与板边需有一定的距离，以避免受分板时剪切应力的影响；
• 需要考虑容量下降对短时电压的影响；
• 选择电容时应该将容值和耐压值两个参数一起考虑，特别需要注意的是不要选用各种电容最大的容值。
• 由于大量的陶瓷电容用于端口，既需考虑电容的额定电压大于稳定时的使用电压，也要考虑瞬态时电容的抗压能力。一般在端口上的电容额定电压值都选100V；在电源端往往将MOV和TVS放置在前，因此电容相对较为稳定。

7，钽电容使用中可能存在的问题

• 场致失效：钽电容加上高的电压，会在内部形成很高的电场，易于造成局部击穿。
• 热致失效：钽电容的介质氧化膜有单向导电性能，当有充放电的大电流通过介质氧化膜时，会引发热失效。
• 自愈失效：钽电容是有自愈反应的，在电压和温度的作用下，导电二氧化锰负极氧化，从而转化为具有更高电阻的锰氧化物。
• 浪涌击穿：在高浪涌低阻抗的应用条件下，介质层的击穿过程要比自愈作用过程快，会导致钽电容硬短路或全面的热击穿，从而导致其损坏。

  在汽车电子中钽电容的应用经验

• 在汽车电子中钽电容需要仔细考虑降额幅度，需降额到1/2或1/3，在12V电源线上不允许使用钽电容，因为瞬态钳位的安全值在40V左右，这对钽电容来说是一个非常高的电压，在需要低ESR的抵压电源上使用钽电容；
• 反向电压：钽电容是有极性的，在汽车电子中负压问题必须考虑，因此在输出电路含有滤波和保护作用时不能使用钽电容，需要充分考虑可能存在反向电压的情况。
• 在使用钽电解电容器时，应该在电容器规定的允许纹波电压内使用。
• 带一定的感性负载，在开关过程中都会产生过渡状态下的瞬时电压，这个值通常较大，因此在输出口会这段电路可以耦合到的附近区域，需要注意钽电容的使用。

参考文献
[1] 朱玉龙，汽车电子硬件设计[M].北京航空航天大学出版社，2011.