二极管电路研究2-2

  本文是搜集网上的一些资料总结而成，特此声明。

  一、图中二极管的作用。

   

   这叫续流二极管，就是这样反接的！首先，你要明白这种buck型DC/DC电路的拓扑结构：LM2756相当于高速断开和闭合的开关，连接在Vin与Vout脚之间。

  1. 在开关闭合时，电流经1脚Vin、2脚Vout、电感L1，到达+5V输出端，流到负载再到地，二极管D1反接不起作用。根据电磁感应定律，电感对突变电流起阻碍作用，电流是逐渐升高的。没等电流稳定，开关就断开了（要是等电流稳定了，输出端就不是+5V了，而是+12V直接就过来了）。

  2. 当开关断开时，Vin不再提供电流到Vout。但根据电磁感应定律，电感对突变电流起阻碍作用，电感L1会产生感应电流且与原来方向相同，L1相当于电源。任何电路的电流都是要有回路的，此电感产生的感应电流总要回到电感，就是靠这个二极管回流的，其电流经过L1、5V输出端、负载到地，再经二极管D1回到电感L1，此时二极管相对于感应电流就是正向连接了！没等这个电流消失，开关又闭合（要是电流消失，+5V就变成0V了）。

 3. 重复以上过程……

 看来，你不理解DC/DC电源的工作原理，需要去学习一下！比如BUCK型，BOOST型，这些拓扑结构对硬件设计师是必须要懂的！

   这个二极管，称作续流二极管。
在开关电路导通时，输入电源向L1充电。开关电路截至瞬间，由于电感的电流不能突变的特点，这个截至会在L1 的左端产生很高的电位，有时候这个瞬间高压电位会导致内部开关管击穿。加了这个二极管之后，就能保证电流持续（电流从地到L1 左端），也就将这个瞬间高压限制在-0.3V以下。

  

     当U16B电压跟随器输出大于AVD5时钳位A_DIFFI+为AVD5，当电压跟谁器输出负压时钳位为AGND，也就是说控制A_DIFFI+电位在0~5V

二、肖特基二极管BAT54S

     BAT54S是肖特基二极管，肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 

    

      

    是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

     一个对TTL电平的UART数据总线保护例子

   

       对1-wire总线的保护案例

       

 三、二极管在单片机复位电路中的应用。

　　Mega16已经内置了上电复位设计。并且在熔丝位里，可以控制复位时的额外时间，故AVR外部的复位线路在上电时，可以设计得很简单：直接拉一只10K的电阻到VCC即可(R0)。

　　为了可靠，再加上一只0.1uF的电容(C0)以消除干扰、杂波。

　　D3(1N4148)的作用有两个：作用一是将复位输入的最高电压钳在Vcc+0.5V 左右，另一作用是系统断电时，将R0(10K)电阻短路，让C0快速放电，让下一次来电时，能产生有效的复位。