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CIS暗电流的来源
暗电流，顾名思义，在完全黑暗的情况下在传感器中产生信号。术语“暗电流”通常用于难以规避的根本原因，例如大块半导体和界面中的缺陷，或固有载流子浓度。产生暗信号的更特殊但在很大程度上可以预防的原因包括晶体管发光[3]、光泄漏(例如，来自不完美的黑暗外壳)或令人尴尬的事情，如忘记在传感器上发光的LED——我们不考虑这些。
暗电流通常以电子每像素每秒( e − p i x e l − 1 s − 1 e^-pixel^{−1} s^{−1} e−pixel−1s−1)为单位进行测量，这对于大多数用途来说非常方便。为了能够比较具有不同像素尺寸的传感器，暗电流通常表示为面积密度，单位为电流每平方厘米( A c m − 2 A cm^ {- 2} Acm−2)。由于消除了像素尺寸，电流密度可以用作工艺技术的特征，而不是给定的传感器，只要使用相同厚度的有源硅。电流密度也可以用 e − c m − 2 s − 1 e^-cm^{−2} s^{−1} e−cm−2s−1的单位表示，但通常不使用，因为数字会变得有点麻烦。
暗电流以指数形式依赖于温度，因此，陈述一个没有测量温度的数字是没有意义的。“室温”这个词也应该谨慎使用，因为在世界上不同的地方，正常的室温可能会有很大的不同。如果“室温”的范围在18°C到27°C之间，则暗电流的差异可以超过两倍。大多数情况下使用20°C (293 K)或27°C (300 K)代替。
暗电流是不可避免的，但可以通过冷却使其非常小。这是天文学中长期观测的常规做法，或者是在信号很小的生命科学中，即使是很小的暗信号也会干扰结果。天文传感器通常是CCD，可以低温冷却以达到极低的暗电流。例如，哈勃太空望远镜WFC3中的CCD在−83°C时每像素每小时只有2个电子的暗电流。CMOS传感器也应该能够提供类似的低暗电流，但在- 45°C以下的数据不多，并且在较低温度下的性能尚未得到令人信服的证明。最近的一个例子在- 40°C下有 0.01 e − p i x e l − 1 s − 1 0.01 e^-pixel^{−1} s^{−1} 0.01e−pixel−1s−1 ( 36 e − p i x e l − 1 h − 1 36e^-pixel^{−1} h^{−1} 36e−pixel−1h−1)。
硅的体缺陷和表面缺陷被认为是暗电流的主要来源。杂质、点缺陷[6]、缺陷团簇和Si-SiO2界面上的晶体失配会在带隙中产生电活性中心，称为生成-重组(GR)中心(简称中心)。它们也被称为“陷阱”，因为它们能够捕获和发射自由电子或空穴。它们的行为由Shockley - Read-Hall (SRH)理论描述。
如图3.3所示，陷阱辅助的热生成和复合在两步过程中产生电子-空穴对。首先，电子必须从价带跃迁到陷阱，这与从陷阱到价带的空穴发射是一样的。接下来，被捕获的电子被发射到导带。空穴捕获是指价带失去了一个空穴;这相当于一个电子从陷阱跃迁到价带并重新结合。空穴发射与电子从价带向阱跃迁相同;价带得到一个空穴，陷阱带负电荷。陷阱只能捕获一个电子或空穴;因此，陷阱必须释放它所持有的载流子，以便捕获另一个载流子。
如果新产生的电子-空穴对没有被重新捕获，并且电子到达电荷收集单元，它将显示为暗电流。由陷阱产生并由SRH理论描述的暗电流称为GR暗电流。GR机制在接近零的自由电子和空穴浓度下运行，这是耗尽半导体的特征;因此又称耗尽暗电流。
Si-SiO2界面上的陷阱被称为界面态，或简称为“态”，并通过与耗尽暗电流相同的GR机制引起暗电流。然而，由于两个原因，这种表面暗电流被单独处理:(a)它的产生与半导体的表面积成正比，而不是与半导体的体积成正比;(b)界面态在带隙中具有连续分布，不像块阱具有离散能级。通常，状态、陷阱和中心这三个术语可以互换使用。
陷阱并不是产生暗电流的唯一方法;它甚至可以存在于完美的硅中，没有任何体积或表面陷阱。这是因为在任何半导体中，电子-空穴对都是不断热产生的;在超纯、未掺杂的硅中，在300 K时，电子和空穴的自然浓度为 n i = 1.45 × 1 0 10 c m − 3 n_i = 1.45 × 10^{10} cm^{−3} ni=1.45×1010cm−3。载流子在热平衡状态下不断出现和重组，没有任何陷阱存在。如果这些载流子中的一些扩散到有电场的区域，它们可以被收集为扩散暗电流。
总暗电流Id为损耗、扩散和表面分量之和：
I
d
=
I
d
e
p
+
I
d
i
f
f
+
I
s
(3.11)
I_d = I_{dep}+I_{diff}+I_{s}\tag{3.11}
Id=Idep+Idiff+Is(3.11)
图3.4显示了PPD的示意图和不同暗电流源的位置。体积陷阱和表面陷阱被假设均匀地分布在外延层或Si-SiO2界面上。在PPD耗尽范围内产生大量暗电流(a);在外延层的中性区(b);在底物中©通过扩散。表面暗电流产生在pinning 注入和浅沟绝缘(STI)上方(d)和转移栅下方(e)的Si-SiO2界面上。
表面暗电流很大程度上取决于Si-SiO2界面上的自由载流子浓度，这就是为什么从转移栅下的氧化物中产生的暗电流与重掺杂p阱和pinning 注入的氧化物分开考虑的原因。在室温下，耗尽界面的表面暗电流密度通常在几 n A . c m − 2 nA.cm ^{- 2} nA.cm−2的范围内，但它在PPD中它被严重抑制。结合高质量外延层极低的整体暗电流，室温下ppd的暗电流规律在 p A c m − 2 pA cm^{−2} pAcm−2范围内。由于在高温下的应用，例如汽车和工业，暗电流也通常指定在60°C。
如果没有额外的措施，图像传感器中的表面暗电流可能占主导地位。这就是为什么要特别注意提高质量和最小化Si-SiO2界面的面积。例如，可以减少STI面积[8]或完全消除STI，以实现在60°C下的暗电流密度低于30$ pA .cm^{−2}$[9]，在20°C下的暗电流密度低于1 p A . c m − 2 pA .cm^{−2} pA.cm−2。
暗电流通常是不均匀的，一些像素显示出比阵列的平均值高得多的暗电流。它们被称为“热像素”，可以被看作是黑暗图像中的“星场”。
参考书目：
- CMOS image sensor，Konstantin D Stefanov，2022
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