1/f和随机电报噪声

1/f和随机电报噪声

电子元件中的另一个重要噪声是1/f噪声，因其噪声功率的频率依赖性而得名。如果你喜欢音频，它也被称为闪烁噪声或粉红噪声。由于噪声功率下降为1/f，因此电压噪声密度$e_n$与$1/\sqrt{f}$成正比，因此必须使用(4.6)来计算带宽上的噪声电压均方根。

闪烁噪声不仅局限于电子学，也存在于各种各样的物理系统中。实验测量的噪声功率在部分或整个频谱中往往偏离纯粹的1/f依赖关系，可以表示为$\propto 1/f^{\gamma }$，其中γ在0.8到1.2之间。

在白噪声和1/f噪声同时存在的情况下，总噪声功率密度$e_n^2$可以写成：

$$e_n^2=e_{nw}^2+e_{nf}^2/f\text{\hspace{1em}(4.17)}$$

其中描述1/f噪声的参数$e_{nf}$的尺寸为伏特。由于热噪声(即白噪声)始终存在，因此参数$e_{nf}$可以由白噪声密度和频率$f_{nc}$表示，它们具有相等的幂，例如$e_{nw}^2=e_{nf}^2/f_{nc}$。这导致：

$$e_{nf}=e_{nw}\sqrt{f_{nc}}\text{\hspace{1em}(4.18)}$$

4.17就可以写为：

$$e_n^2=e_{nw}^2(1+f_{nc}/f)\text{\hspace{1em}(4.19)}$$

频率$f_{nc}$被称为噪声角频率，如图4.5所示，其中噪声密度与对数-对数尺度上的频率相对应。注意，频率每降低两个数量级，1/f噪声密度就增加一个数量级。

实验测量时，噪声密度通常与频率相关，如图4.5所示。低噪声设备的一个好标志是它的噪声角频率越低越好。

1/f和随机电报信号(RTS)噪声都存在于MOS晶体管中。人们对它们进行了深入的研究，并发表了数千篇关于它们的起源和影响的论文。简而言之，1/f噪声是由晶体管通道中载流子数量的波动引起的，这些波动是由于界面状态的捕获和释放，载流子迁移率的波动，或两者兼而有之。实验表明，载流子波动模型更适合我们主要感兴趣NMOS，并且它们的1/f噪声仅具有较弱的温度依赖性。

在非常小的晶体管中，已经观察到1/f光谱看起来“凹凸不平”，这是由于单个陷阱捕获和释放载流子。当信号在两个或多个电平之间“跳跃”时，这种效应在时域中也很明显，这就是RTS，它会产生随机电报噪声(RTN)。单个陷阱的噪声功率谱具有洛伦兹谱和$1/f^2$依赖性。当晶体管通道中存在多个RTS源时，它们的联合效应可以近似为1/f噪声。

尽管RTN在图像传感器中的影响已经被考虑过，但在接下来的章节中，我们只处理白(热)和1/f噪声。

参考书目：

1. CMOS image sensor，Konstantin D Stefanov，2022