CIS
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CIS基础
光之大主宰
混沌开天辟地,大主宰劈开了一道光
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5.2 读出模式
或者可以在两个连续读出之间添加整个传感器的图像积分(图5.2),在这两种情况下,像素都连续对光敏感,除了从PPD到传感节点的电荷转移期间。正如我们所看到的,在RS模式下,所有行都暴露在光下相同的时间长度,但不是在同一时间。在全局信号捕获的两个应用程序之间的时间间隔内,每个像素都是光敏的。如图5.2所示,在增加的积分时间内,脉冲照明的RS读出是用于进一步描述的表征方法的主要模式。因为使用CDS并提供最佳的噪声性能,滚动快门是最简单的读出模式,也是读取4T像素的常用方式。读出模式与像素和传感器结构紧密耦合。原创 2024-05-06 14:41:10 · 307 阅读 · 9 评论 -
camera千问千答(一)
每一篇10个问题,共计100篇文章。原创 2024-04-11 09:55:34 · 800 阅读 · 0 评论 -
光学与人类视觉感知特性基础
HDR图像的直观感受:更自然,更亮,色彩和细节更丰富,对比度(层次感)更高。原创 2024-01-11 16:57:44 · 914 阅读 · 0 评论 -
1/f和随机电报噪声
简而言之,1/f噪声是由晶体管通道中载流子数量的波动引起的,这些波动是由于界面状态的捕获和释放,载流子迁移率的波动,或两者兼而有之。实验表明,载流子波动模型更适合我们主要感兴趣NMOS,并且它们的1/f噪声仅具有较弱的温度依赖性。电子元件中的另一个重要噪声是1/f噪声,因其噪声功率的频率依赖性而得名。由于噪声功率下降为1/f,因此电压噪声密度。尽管RTN在图像传感器中的影响已经被考虑过,但在接下来的章节中,我们只处理白(热)和1/f噪声。在白噪声和1/f噪声同时存在的情况下,总噪声功率密度。原创 2023-12-19 13:46:23 · 1502 阅读 · 0 评论 -
CIS散粒噪声
为了产生散粒噪声,载流子必须彼此独立到达,这意味着它们要么必须独立产生,就像来自单个陷阱的暗电流一样,要么它们必须穿过屏障,不能在两个方向上自由移动,就像pn结中的正向电流一样。这是观察到的高能光子(x射线,伽马)能够产生多个电子空穴对,因为载流子产生的事件不是独立的,而是由能量守恒定律相关的。与热噪声类似,散粒噪声是白色的,遵循高斯统计,在非常低的电流下转变为泊松分布。如果每个光子产生一个光电子,就像硅中的可见光一样,收集到的电子的数量“继承”了光子的泊松分布。的光子所产生的电子数的标准差小于泊松分布(原创 2023-12-19 13:30:44 · 1117 阅读 · 0 评论 -
热噪声和复位噪声
的减小,电子RMS中的复位噪声也会减小,但即使对于非常小的电容,复位噪声仍然相当大。如果复位噪声不是很大,应用程序可以容忍,我们可以接受它,但在大多数CIS中,复位噪声过高,可以使系统中的所有其他噪声源相形见绌。噪声功率(RMS噪声电压的平方)与噪声功率带宽成正比,我们将对图4.1(a)中所示的普通但经常遇到的RC低通滤波器进行研究。其中,k为玻尔兹曼常数,T为绝对温度,Bn为噪声功率带宽,单位为赫兹,与振幅带宽不同。这是我们计算噪声方式的结果——我们使用噪声功率,即噪声电压的均方,而不是瞬时噪声幅度。原创 2023-12-19 11:12:00 · 1305 阅读 · 0 评论 -
反射barrier
深p阱上方产生的电荷将会损失,因为它要么被收集在n阱中,要么被收集在NMOS晶体管的漏极和源极中。当图3.8中轻掺杂外延层中产生电子-空穴对并开始扩散时,电子被反射回来,而空穴被吸引到p阱和衬底上。大多数图像传感器建立在p型外延片上,其中轻度掺杂的外延层生长在极低电阻率(≪1 Ω.cm)、高掺杂的p型衬底上。由于DPW是高掺杂且电中性的,因此顶部的n阱影响很小,DPW从p阱和下面的中性外延硅中获得电势。对于例3.6中的值,电子电流被抑制了1000倍,这意味着0.1%的电子没有被反射和丢失。原创 2023-12-18 15:43:37 · 758 阅读 · 0 评论 -
暗电流温度倍增
这对于粗略估计是有用的,但在一定的温度升高下翻倍意味着幂定律,而不是指数依赖,因此只是近似值。利用耗尽暗电流(3.18)和扩散暗电流(3.30)的表达式,可以根据理论依赖关系计算出倍增温度。如图3.7所示,倍增温度变化明显,仅当耗尽电流在0℃左右时,倍增温度为7℃。对于扩散电流,由于指数更陡,倍增温度大约是原来的一半。在60℃时,倍增温度分别为11℃和6℃。通常,暗电流加倍的温度变化被用来深入了解其起源,并预测不同温度下的电流。通常的经验法则是,在硅中,温度每升高7°C,暗电流就会翻倍。原创 2023-12-18 14:32:30 · 148 阅读 · 0 评论 -
PPD pinning暗电流抑制
在PPD中,表面暗电流大大降低,高质量硅中的体阱浓度可以忽略不计。注入的pinning是永久性的,不像表面反转提供的空穴浓度。假设界面空穴和信号电子永远不会相遇(因为它们会重新组合,信号将被破坏),这是一种非常好的抑制暗电流的方法。通过表面反转可以产生空穴饱和,并广泛用于某些类型的CCD(称为“反转”或“multi-pinned”模式),以抑制暗电流超过三个数量级。在完全耗尽的传感器中,随着p++衬底的移除,扩散电流几乎被消除。然而,在每个界面上提供相当厚度的中性半导体通常是不可能的或不实际的。原创 2023-12-18 14:27:14 · 64 阅读 · 0 评论 -
CIS表面暗电流
由于Si和SiO2之间的晶格不匹配,它们之间的界面具有许多电活性陷阱,称为界面态。不同于体阱的离散能量位置,其状态能量位置遵循连续分布,呈特征u形分布,在中间间隙处有最小值。像素设计采用了几种措施来消除耗尽的Si-SiO2界面,例如p阱来包裹STI(如图3.4所示),最重要的是PPD-pinning p+ 注入。为了计算复合速率,我们可以使用SRH理论,不同之处是,表面复合速率是以每面积每秒载流子的单位(与体中耗尽暗电流(3.15)相比,增加了πkT项,使温度依赖性的指数前项由。下面的示例说明了这一点。原创 2023-12-18 10:58:32 · 76 阅读 · 0 评论 -
CIS扩散暗电流
在耗尽半导体中,自由载流子(电子和空穴)的浓度几乎为零,在耗尽区和无场区之间的边缘载流子浓度也是如此。在图3.6中结的p侧,任何到达这一边缘的电子都会被电场扫走,空穴被推回到无场区。因此,少数载流子在结的无场区域外的扩散引起电流流动,称为扩散暗电流。在p侧深处,远离耗尽边缘,电子浓度由(3.23)给出,而在耗尽边缘则为零。我们在第一章中已经看到,扩散长度可以是数百微米,但在大多数装置中,中性区域要短得多。左右,厚度为数百微米。经典公式(3.26)假设中性区比扩散长度长得多,因为在(3.25)中,只有在。原创 2023-12-18 10:01:08 · 818 阅读 · 0 评论 -
CIS耗尽暗电流
电子-空穴对仍然不断产生,但在中性半导体中,产生的电子-空穴对的数量等于重新组合的数量,这使载流子保持在平衡浓度。通常,暗电流表示为电流密度(每个光电二极管面积的电流,或每个像素面积),以消除对尺寸的依赖,并允许更容易地比较设计和技术。通过深度为w,面积为a的耗尽区的GR电流为单位时间内体积内产生的电荷,等于产生率(3.13)乘以该区域的体积AW。随着反向偏置的增加,耗尽覆盖了更多的陷阱,而中性半导体中保留的陷阱更少,如图3.5所示。这里我们假设一个单一的陷阱类型,浓度为Nt,位于价带上方的能量位置Et。原创 2023-12-15 11:03:06 · 842 阅读 · 0 评论 -
CIS暗电流的来源
CMOS传感器也应该能够提供类似的低暗电流,但在- 45°C以下的数据不多,并且在较低温度下的性能尚未得到令人信服的证明。产生暗信号的更特殊但在很大程度上可以预防的原因包括晶体管发光[3]、光泄漏(例如,来自不完美的黑暗外壳)或令人尴尬的事情,如忘记在传感器上发光的LED——我们不考虑这些。硅的体缺陷和表面缺陷被认为是暗电流的主要来源。表面暗电流很大程度上取决于Si-SiO2界面上的自由载流子浓度,这就是为什么从转移栅下的氧化物中产生的暗电流与重掺杂p阱和pinning 注入的氧化物分开考虑的原因。原创 2023-12-14 16:34:54 · 1215 阅读 · 1 评论 -
CIS光电流
产生的电子不会离开光电二极管,而是释放其电容,并降低其上的电压。在实际的光敏器件中,如pn结、PPD和MOS电容器,由于其有限的厚度和前表面的光反射,不能保证完全的光吸收。扩散很慢,降低了传感器的空间分辨率,因为相邻像素产生的电荷会混合在一起,如果我们想要一个清晰的图像,最好避免这种情况。在图3.2所示的光电二极管中,由于中性硅的漂移和有效扩散的结合,外延层中产生的电子被充分收集。在深度为w的耗尽区产生的电流对被迅速分离并作为漂移电流收集,而在中性区产生的电流对在收集前必须先扩散出去,从而产生扩散电流。原创 2023-12-14 15:21:09 · 913 阅读 · 1 评论 -
高动态范围
由于低噪声像素中的最大饱和信号受到读出路径的限制,而不是PPD的FWC,因此HDR的解决方案通常在于列读出电路,而不是新的像素架构。在这里,一个低噪声5T像素图像阵列由两个列放大器提供:一个增益为1,另一个增益为30,它们的输出由单独的11位adc数字化。每个信号处理通道的DR仅为64 dB(高增益)和74 dB(低增益),但合并后的DR为92 dB,噪声仅为。其中最具创意的一种方法是同时使用电子和空穴收集,分别应用不同的转换增益,在3.2 μm像素内实现115 dB的DR。例如,[35]中的像素实现了。原创 2023-12-14 13:19:31 · 920 阅读 · 0 评论 -
Photodiode APS(3T)
对CIS像素结构的3T APS进行深入讲解原创 2023-12-05 17:51:56 · 1074 阅读 · 0 评论