热噪声和复位噪声

热噪声和复位噪声

热(或约翰逊)噪声是在导体中产生的，如电阻，由于其中的载流子的随机热运动。它以随机电压的形式产生在电阻的两端。热噪声电压的平均值为零，因此不产生直流电压1，但均方根(RMS)不为零。

载流子几乎都是电子，但在p型半导体中空穴起着同样的作用。热噪声在高于绝对零度的任何温度下都存在，它与电流是否流过电阻器或制作电阻器的材料无关。电容器不表现出热噪声，因为它们的阻抗只是无功的，没有任何有功(电阻)成分。

电阻为R的电阻器的开路平均热噪声电压由公式给出：

$$\overline{v_n}=\sqrt{4kTR{B}_n}\text{\hspace{1em}(4.1)}$$

其中，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，Bn为噪声功率带宽，单位为赫兹，与振幅带宽不同。术语$e_n=\sqrt{4kTR}$称为电压噪声密度，热噪声与频率无关;这就是为什么它是“白色”的原因——它没有光谱，因此没有“颜色”，就像可见光一样。任意白噪声(包括同样为白噪声的散粒噪声)的均方根噪声电压由噪声电压密度en乘以噪声带宽的平方根得到:

$$\overline{v_n}=e_n\sqrt{B_n}\text{\hspace{1em}(4.2)}$$

这个定义使得噪声电压密度有奇怪的单位伏特每根赫兹($V/Hz$，或$V/rtHz$)。这是我们计算噪声方式的结果——我们使用噪声功率，即噪声电压的均方，而不是瞬时噪声幅度。

噪声功率(RMS噪声电压的平方)与噪声功率带宽成正比，我们将对图4.1(a)中所示的普通但经常遇到的RC低通滤波器进行研究。该滤波器具有幅度(即信号)带宽，定义为与更低的频率相比，输出幅度减少$\sqrt{2}$(等于- 3dB)的频率:

$$B_{-3dB}=\frac{1}{2\pi RC}\text{\hspace{1em}(4.3)}$$

输出幅值作为频率的函数由：
$$v_0=\frac{v_i}{\sqrt{1+(2\pi RC{)}^2}}\text{\hspace{1em}(4.4)}$$

如果滤波器的输入是功率为$\overline{v_i^2}$的噪声电压，则输出端的噪声功率为：
$$\overline{v_o^2}=\frac{\overline{v_i^2}}{1+(2\pi RC{)}^2}\text{\hspace{1em}(4.5)}$$

在(4.5)中乘以输入噪声功率vi2的项是功率传递函数$|H(f){|}^2$，它决定了有多少输入功率将被输出。在噪声密度和功率传递函数都与频率相关的情况下，噪声功率计算为：

$$\overline{v_n^2}={\int }_0^{\infty }{e}_n^2(f)|H(f){|}^{2}df\text{\hspace{1em}(4.6)}$$

式(4.6)将在本章后面广泛使用，用于计算各种读出电路的输出噪声。对于白噪声，$e_n^2(f)$与频率无关，因此常数$e_n^2(f)=e_{nw}^2$;任何频率依赖都意味着噪声具有“颜色”。

为了计算噪声功率带宽，我们假设将密度为$e_{nw}$的白噪声电压$v_i$加到RC低通滤波器的输入端。由于$e_{nw}$是常量，我们可以将(4.6)写成：

$$\overline{v_o^2}=e_{nw}^2{\int }_0^{\infty }|H(f){|}^{2}df=e_{nw}^2{\int }_0^{\infty }\frac{df}{1+(2\pi fRC{)}^2}=\frac{e_{nw}^2}{4RC}\text{\hspace{1em}(4.7)}$$

乘以噪声密度的项等于噪声功率带宽$B_n=1/4RC$。我们可以立即看到$B_n$比信号带宽$B_{-3dB}$(4.3)高$\pi /2=1.57$倍。现在，如果输入噪声电压不是来自外部，而是由电阻本身产生，如图4.1(b)所示，我们得到：

$$\overline{v_o^2}=\frac{e_{nw}^2}{4RC}=\frac{4kTR}{4RC}=\frac{kT}{C}\text{\hspace{1em}(4.8)}$$

式(4.8)具有深远的影响，包括描述了臭名昭著的kTC噪声。它告诉我们，在RC网络中，热噪声电压的均方根值为：

$$\overline{v_n}=\sqrt{\frac{kT}{C}}\text{\hspace{1em}(4.9)}$$

有趣的是，它并不依赖于电阻，尽管电阻实际上产生了噪声。这是因为噪声功率与电阻成正比，但噪声带宽与它成反比，所以电阻抵消了。

kTC噪声可以在使用电阻器、电容器和开关(它们总是有一些电阻)的地方找到，这基本上是大多数电子产品。在图像传感器中，kTC噪声在确定其读出噪声和选择最佳读出技术方面起着重要作用。

如图4.2(a)所示，3T和4T CIS中的传统读出电路在电荷收集或转移之前使用晶体管重置感测节点。复位产生kTC噪声，又称复位噪声，它主导着3T CIS的噪声性能。

当开关接通时，复位晶体管(图4.2(b))在线性状态下工作并表现为电阻，其电阻$R_{on}$在千欧姆范围内。对于交流信号，$R_{on}$和检测节点电容$C_{sn}$并联连接到源从动器(SF)的栅极，如图4.2©所示。这与我们用来推导kTC噪声公式的图4.1(b)相同，因此，假设单位SF增益，我们期望在输出处看到相同的结果。

图4.3显示了经过周期性复位的感测节点的理想信号。当复位晶体管关断时，复位过程中的高噪声被中断，信号在瞬时噪声电压下被“冻结”。光产生的信号预计会出现在复位之间，但为了清晰起见，这里没有显示。如果我们只对复位之间的信号进行采样，则连续采样之间的差异∆v将是复位关断时瞬时噪声电压之间的差异。这相当于在随机复位期间仅仅采样，因此输出信号将包含由(4.9)给出的全部复位噪声，$C=C_{sn}$。

如果复位噪声不是很大，应用程序可以容忍，我们可以接受它，但在大多数CIS中，复位噪声过高，可以使系统中的所有其他噪声源相形见绌。为了方便地将其量化，我们可以将式(4.9)给出的RMS噪声转换为等效噪声电荷(ENC)，使用$\overline{Q_n}=C_{sn}\overline{v_n}$，然后用电子RMS表示$Q_n$，除以基本电荷:
$$Q_n=\frac{C_{sn}}{q}\sqrt{\frac{kT}{C_{sn}}}=\sqrt{\frac{kT{C}_{sn}}{q}}\text{\hspace{1em}(4.10)}$$

表4.1给出了大范围检测节点电容的预期复位噪声。也许与直觉相反，更高的伏特重置噪声对应于更低的电子重置噪声!这不是一个错误，而是告诉我们，当以伏特有效值表示时，噪声可能不能给我们最好的测量;使用电子更基本，因为它更容易与传感器接收到的光子数量联系起来。

随着$C_{sn}$的减小，电子RMS中的复位噪声也会减小，但即使对于非常小的电容，复位噪声仍然相当大。简单看一下商用传感器的数据表就会发现，它们的噪声至少可以降低一个数量级。其原因是4.2节中描述的相关双采样(CDS)技术，该技术允许在4T和其他使用电荷转移的图像传感器中完全抑制复位噪声。CDS在3T像素下不能很好地工作，相比之下它们的噪声性能也会受到影响。

参考书目：

1. CMOS image sensor，Konstantin D Stefanov，2022