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RSS订阅原创 防抖总结——OIS/EIS/HIS/DIS/机械防抖
防抖技术工作原理优点缺点适用场景光学防抖（OIS）通过内置陀螺仪和加速度计检测抖动，驱动镜头或传感器移动补偿对图像质量无损伤，效果显著，特别是在低光条件下增加设备重量和复杂性，成本较高拍摄照片和低光环境下的视频拍摄电子防抖（EIS）通过加速度计和陀螺仪检测抖动，利用图像处理技术进行数字校正不需要机械部件，适用于小型设备，成本较低依赖数字裁剪，极端抖动条件下可能影响图像质量视频拍摄混合防抖（HIS）结合光学防抖和电子防抖，进行物理和数字层面的防抖。
2024-07-23 19:39:27
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原创 CIS光生电荷
CIS光信号转电信号：CIS图像传感器主要用来把直接发射或物体反射的光子组成的图像转换成电信号。在积分时间内，图像传感器吸收光子并记录电信号，确定积分时间内每一个像素接收到的光子数。线性光电响应确保记录光子数，部分非线性光电响应有助于实现宽动态范围：图像传感器中，我们需要线性的光电响应，以便输出信号与所记录的光子数量成正比。大多数传感器在其响应中具有较小的非线性，不超过几个百分点，但有些类型有意实现更强的非线性，例如对数响应，有助于实现动态范围。光电效应：在高于某特定频率的电磁波 （该频率称为极限频率thr
2024-07-18 19:19:54
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原创 AMBA总线协议与PCIe总线协议的区别
文章目录AMBA总线协议与PCIe总线协议的区别AMBA总线协议与PCIe总线协议的区别区别项AMBA总线协议PCIe总线协议设计目标嵌入式系统和片上系统（SoC）高性能计算设备和外设互连应用场景手机、嵌入式设备、家电等PC、服务器、高性能计算设备主要版本APB、AHB、AXIPCIe 1.0至PCIe 5.0数据传输模式总线仲裁和时分复用（TDM）点对点串行通信传输机制单一和突发传输，主从架构全双工传输，支持多条Lane并行传输数
2024-07-09 17:10:27
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原创 NVMe协议与PCIe协议之间的关系
PCIe是物理传输层协议，提供数据传输通道。NVMe是存储协议，定义了如何高效地通过PCIe通道传输存储数据。二者结合，提供了高速、低延迟、高并发的存储解决方案，特别适用于现代高性能计算需求。
2024-07-09 16:58:45
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原创 验证图像传感器性能
文章目录验证图像传感器性能验证图像传感器性能测试类别测试项目具体方法与描述图像质量测试分辨率测试使用分辨率测试卡（如1951 USAF分辨率测试卡）拍摄图像，分析成像的清晰度。动态范围测试测试传感器在高对比度场景中的表现，通常使用HDR测试图和亮度对比测量。色彩准确度测试拍摄标准色卡（如Macbeth色卡），分析颜色还原的准确性。噪声水平测试在不同ISO设置下拍摄均匀光源图像，分析图像中的噪声水平（包括固定模式噪声和随机噪声）。性能测试灵敏
2024-07-05 17:24:11
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原创 图像传感器系统开发阶段分析
文章目录图像传感器系统开发图像传感器系统开发序号阶段目标活动1需求分析阶段了解并明确产品的应用需求和性能指标。- 收集用户需求和市场调研。- 定义图像质量标准和性能要求（如分辨率、动态范围、帧率等）。- 确定成本、功耗和物理尺寸等约束条件。2系统设计阶段制定系统架构和技术方案。- 选择合适的传感器和ISP芯片。- 设计图像处理流水线和数据流。- 确定硬件和软件的分工和接口。3硬件开发阶段设计并实现硬件平台。- 电路设计和原理图绘制。- PCB设计和制
2024-07-05 17:11:59
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原创 5.2 读出模式
或者可以在两个连续读出之间添加整个传感器的图像积分(图5.2)，在这两种情况下，像素都连续对光敏感，除了从PPD到传感节点的电荷转移期间。正如我们所看到的，在RS模式下，所有行都暴露在光下相同的时间长度，但不是在同一时间。在全局信号捕获的两个应用程序之间的时间间隔内，每个像素都是光敏的。如图5.2所示，在增加的积分时间内，脉冲照明的RS读出是用于进一步描述的表征方法的主要模式。因为使用CDS并提供最佳的噪声性能，滚动快门是最简单的读出模式，也是读取4T像素的常用方式。读出模式与像素和传感器结构紧密耦合。
2024-05-06 14:41:10
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原创 HDRplus ——简述（一）
手机摄像头动态范围受限的原因描述光圈光圈小，限制收集光子的数目，暗光下图像具有噪声像素像素小，限制每个像素可以存储的电子的数目，限制动态范围本文对动态范围的优化：提出pipeline系统，能够捕捉、对齐、合并一个burst的画面，减少噪声，增加动态范围。关键特性描述不使用包围曝光连续低曝光，对齐更加鲁棒，且避免blow out。merge后的图片具有清晰的阴影和高bit depth，可以应用标准的HDR tone mapping方法处理bayer raw而不是RGB或YUV。
2024-01-17 19:59:42
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原创 应用光学研读——第二章 球面和共轴球面系统
Q为阿贝不变量，对于一个折射球面，物空间和像空间的Q值相同，数值随共轭点的位置不同而不同。为了使确定光线位置的参量更有确切的含意，使以后推导出的光线的光路计算公式不论是凸折射面或凹折射面、光线与光轴交点的位置在顶点的左边还是右边、光线在光轴以上还是以下均能。故轴上一点以有限孔径角的光束经过单个折射面成像时，一般是不完善的，这种现象称为球面像差，简称，球差。：绝大部分光学系统由球面和平面（折射面和反射面）组成，各球面球心在一条直线上，形成系统的对称轴，即光轴，这样的系统称为共轴球面系统。
2024-01-17 17:38:56
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原创 应用光学研读——第一章：几何光学的基本定律和成像概念
垂直于波面的光线束(法线集合)经过任意多次反射和折射以后，无论折射面和反射面的形状如何，出射光束仍垂直于出射波面，保持光线柬仍为法线集合的性质:并且入射波面与出射波面对应点之间的光程均为定值。设计对有限大小物体成完善像的光学系统是非常困难的，对一定大小的物体成像时，不能对物体上所有的点满足等光程条件，不能成完善像。光从椭圆的焦点S经过反射到P，其经过椭圆上任意点反射到P的距离为定值，可知其光程的一阶导和二阶导为0。几何光学基本定律：光的直线传播定律、光的独立传播、光的折射定律、光的反射定律。
2024-01-16 15:25:58
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原创 Gamma校正
gamma校正主要思想为增大对于纯黑到中灰的信息记录，适度减少中灰到白光的信息记录，使得纯黑到中灰从只具有20%的灰阶扩展到具有50%的灰阶，中灰到纯白从具有80%的灰阶压缩到50%的灰阶，使得中灰对应的自然光线被映射到0.5的取值，也就对应128的灰阶。但是，实际生产与应用的位宽是有限的，一个像素的R通道只有8位，图像的灰阶是极其有限的，想要在有限的灰阶上表现出近似于自然界的亮度，就需要对灰阶的分配进行设计，这就是gamma校正的意义。这是一种在传统的LDR显示设备上被广泛使用的转换函数。
2024-01-15 09:20:48
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原创 MIPI CSI-2 研读——11.3 RGB图像数据
在RGB444的情况下，一个数据2513字的长度是16位，而不是8位。即，不是每2514字节(8位)翻转一次，而是每两个字节(16位)翻转一次。在RGB565中，一个数据字的长度是16位，而不是8位。即，不是翻转每个字节(8位)，而是翻转每两个字节(16位)。在RGB666中，一个数据字的长度是18位，而不是8位。即，不是翻转每个字节(8位)，而是翻转每个18位像素值。在RGB555中，一个数据字的长度是16位，而不是8位。即，不是翻转每个字节(8位)，而是翻转每两个字节(16位)。5(18位)顺序传输。
2024-01-14 19:48:38
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原创 MIPI CSI-2 研读——11.4 RAW图像数据
14位RAW数据是通过将14位像素数据打包成8位切片来完成的。每个数据包的长度必须是表中值的倍数。10位RAW数据是通过将10位像素数据打包成8位数据格式来完成的。20位RAW数据是通过将20位像素数据打包成10位数据格式来完成的。12位RAW数据是通过将12位像素数据打包成8位数据格式来完成的。24位RAW数据是通过将24位像素数据打包成12位数据格式来完成的。28位RAW数据是通过将28位像素数据打包成14位数据格式来完成的。16位RAW数据是通过将16位像素数据打包成8位数据格式来完成的。
2024-01-14 17:53:18
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原创 MIPI CSI-2 研读——4 CSI-2概览
第一个选项，在本规范中称为“D-PHY物理层选项”，通常是具有一个2线时钟通道和一个或多个2线数据通道的单向差分接口。图1说明了CSI-2发射器和接收器之间的连接，它们通常是一个相机模块和一个接收器模块，是移动电话引擎的一部分。第二个高速数据传输接口选项，在本规范中称为“C-PHY物理层选项”，通常由一个或多个单向3线串行数据通道组成，每个通道都有自己的嵌入式时钟。两个物理层选项的相机控制接口(CCI)是一个双向控制接口，与I2C标准和/或MIPI I3C规范兼容。定义了两个高速串行数据传输接口选项。
2024-01-04 18:53:52
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原创 1/f和随机电报噪声
简而言之，1/f噪声是由晶体管通道中载流子数量的波动引起的，这些波动是由于界面状态的捕获和释放，载流子迁移率的波动，或两者兼而有之。实验表明，载流子波动模型更适合我们主要感兴趣NMOS，并且它们的1/f噪声仅具有较弱的温度依赖性。电子元件中的另一个重要噪声是1/f噪声，因其噪声功率的频率依赖性而得名。由于噪声功率下降为1/f，因此电压噪声密度。尽管RTN在图像传感器中的影响已经被考虑过，但在接下来的章节中，我们只处理白(热)和1/f噪声。在白噪声和1/f噪声同时存在的情况下，总噪声功率密度。
2023-12-19 13:46:23
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原创 CIS散粒噪声
为了产生散粒噪声，载流子必须彼此独立到达，这意味着它们要么必须独立产生，就像来自单个陷阱的暗电流一样，要么它们必须穿过屏障，不能在两个方向上自由移动，就像pn结中的正向电流一样。这是观察到的高能光子(x射线，伽马)能够产生多个电子空穴对，因为载流子产生的事件不是独立的，而是由能量守恒定律相关的。与热噪声类似，散粒噪声是白色的，遵循高斯统计，在非常低的电流下转变为泊松分布。如果每个光子产生一个光电子，就像硅中的可见光一样，收集到的电子的数量“继承”了光子的泊松分布。的光子所产生的电子数的标准差小于泊松分布(
2023-12-19 13:30:44
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原创 热噪声和复位噪声
的减小，电子RMS中的复位噪声也会减小，但即使对于非常小的电容，复位噪声仍然相当大。如果复位噪声不是很大，应用程序可以容忍，我们可以接受它，但在大多数CIS中，复位噪声过高，可以使系统中的所有其他噪声源相形见绌。噪声功率(RMS噪声电压的平方)与噪声功率带宽成正比，我们将对图4.1(a)中所示的普通但经常遇到的RC低通滤波器进行研究。其中，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，Bn为噪声功率带宽，单位为赫兹，与振幅带宽不同。这是我们计算噪声方式的结果——我们使用噪声功率，即噪声电压的均方，而不是瞬时噪声幅度。
2023-12-19 11:12:00
1515
原创 反射barrier
深p阱上方产生的电荷将会损失，因为它要么被收集在n阱中，要么被收集在NMOS晶体管的漏极和源极中。当图3.8中轻掺杂外延层中产生电子-空穴对并开始扩散时，电子被反射回来，而空穴被吸引到p阱和衬底上。大多数图像传感器建立在p型外延片上，其中轻度掺杂的外延层生长在极低电阻率(≪1 Ω.cm)、高掺杂的p型衬底上。由于DPW是高掺杂且电中性的，因此顶部的n阱影响很小，DPW从p阱和下面的中性外延硅中获得电势。对于例3.6中的值，电子电流被抑制了1000倍，这意味着0.1%的电子没有被反射和丢失。
2023-12-18 15:43:37
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原创 暗电流温度倍增
这对于粗略估计是有用的，但在一定的温度升高下翻倍意味着幂定律，而不是指数依赖，因此只是近似值。利用耗尽暗电流(3.18)和扩散暗电流(3.30)的表达式，可以根据理论依赖关系计算出倍增温度。如图3.7所示，倍增温度变化明显，仅当耗尽电流在0℃左右时，倍增温度为7℃。对于扩散电流，由于指数更陡，倍增温度大约是原来的一半。在60℃时，倍增温度分别为11℃和6℃。通常，暗电流加倍的温度变化被用来深入了解其起源，并预测不同温度下的电流。通常的经验法则是，在硅中，温度每升高7°C，暗电流就会翻倍。
2023-12-18 14:32:30
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原创 PPD pinning暗电流抑制
在PPD中，表面暗电流大大降低，高质量硅中的体阱浓度可以忽略不计。注入的pinning是永久性的，不像表面反转提供的空穴浓度。假设界面空穴和信号电子永远不会相遇(因为它们会重新组合，信号将被破坏)，这是一种非常好的抑制暗电流的方法。通过表面反转可以产生空穴饱和，并广泛用于某些类型的CCD(称为“反转”或“multi-pinned”模式)，以抑制暗电流超过三个数量级。在完全耗尽的传感器中，随着p++衬底的移除，扩散电流几乎被消除。然而，在每个界面上提供相当厚度的中性半导体通常是不可能的或不实际的。
2023-12-18 14:27:14
82
原创 CIS表面暗电流
由于Si和SiO2之间的晶格不匹配，它们之间的界面具有许多电活性陷阱，称为界面态。不同于体阱的离散能量位置，其状态能量位置遵循连续分布，呈特征u形分布，在中间间隙处有最小值。像素设计采用了几种措施来消除耗尽的Si-SiO2界面，例如p阱来包裹STI(如图3.4所示)，最重要的是PPD-pinning p+ 注入。为了计算复合速率，我们可以使用SRH理论，不同之处是，表面复合速率是以每面积每秒载流子的单位(与体中耗尽暗电流(3.15)相比，增加了πkT项，使温度依赖性的指数前项由。下面的示例说明了这一点。
2023-12-18 10:58:32
94
原创 CIS扩散暗电流
在耗尽半导体中，自由载流子(电子和空穴)的浓度几乎为零，在耗尽区和无场区之间的边缘载流子浓度也是如此。在图3.6中结的p侧，任何到达这一边缘的电子都会被电场扫走，空穴被推回到无场区。因此，少数载流子在结的无场区域外的扩散引起电流流动，称为扩散暗电流。在p侧深处，远离耗尽边缘，电子浓度由(3.23)给出，而在耗尽边缘则为零。我们在第一章中已经看到，扩散长度可以是数百微米，但在大多数装置中，中性区域要短得多。左右，厚度为数百微米。经典公式(3.26)假设中性区比扩散长度长得多，因为在(3.25)中，只有在。
2023-12-18 10:01:08
835
原创 CIS耗尽暗电流
电子-空穴对仍然不断产生，但在中性半导体中，产生的电子-空穴对的数量等于重新组合的数量，这使载流子保持在平衡浓度。通常，暗电流表示为电流密度(每个光电二极管面积的电流，或每个像素面积)，以消除对尺寸的依赖，并允许更容易地比较设计和技术。通过深度为w，面积为a的耗尽区的GR电流为单位时间内体积内产生的电荷，等于产生率(3.13)乘以该区域的体积AW。随着反向偏置的增加，耗尽覆盖了更多的陷阱，而中性半导体中保留的陷阱更少，如图3.5所示。这里我们假设一个单一的陷阱类型，浓度为Nt，位于价带上方的能量位置Et。
2023-12-15 11:03:06
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原创 CIS暗电流的来源
CMOS传感器也应该能够提供类似的低暗电流，但在- 45°C以下的数据不多，并且在较低温度下的性能尚未得到令人信服的证明。产生暗信号的更特殊但在很大程度上可以预防的原因包括晶体管发光[3]、光泄漏(例如，来自不完美的黑暗外壳)或令人尴尬的事情，如忘记在传感器上发光的LED——我们不考虑这些。硅的体缺陷和表面缺陷被认为是暗电流的主要来源。表面暗电流很大程度上取决于Si-SiO2界面上的自由载流子浓度，这就是为什么从转移栅下的氧化物中产生的暗电流与重掺杂p阱和pinning 注入的氧化物分开考虑的原因。
2023-12-14 16:34:54
1436
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原创 CIS光电流
产生的电子不会离开光电二极管，而是释放其电容，并降低其上的电压。在实际的光敏器件中，如pn结、PPD和MOS电容器，由于其有限的厚度和前表面的光反射，不能保证完全的光吸收。扩散很慢，降低了传感器的空间分辨率，因为相邻像素产生的电荷会混合在一起，如果我们想要一个清晰的图像，最好避免这种情况。在图3.2所示的光电二极管中，由于中性硅的漂移和有效扩散的结合，外延层中产生的电子被充分收集。在深度为w的耗尽区产生的电流对被迅速分离并作为漂移电流收集，而在中性区产生的电流对在收集前必须先扩散出去，从而产生扩散电流。
2023-12-14 15:21:09
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原创 高动态范围
由于低噪声像素中的最大饱和信号受到读出路径的限制，而不是PPD的FWC，因此HDR的解决方案通常在于列读出电路，而不是新的像素架构。在这里，一个低噪声5T像素图像阵列由两个列放大器提供:一个增益为1，另一个增益为30，它们的输出由单独的11位adc数字化。每个信号处理通道的DR仅为64 dB(高增益)和74 dB(低增益)，但合并后的DR为92 dB，噪声仅为。其中最具创意的一种方法是同时使用电子和空穴收集，分别应用不同的转换增益，在3.2 μm像素内实现115 dB的DR。例如，[35]中的像素实现了。
2023-12-14 13:19:31
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空空如也
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