添加wellcap和endcap作用

添加wellcap和endcap作用

在28 nm以及更小尺寸的工艺中，为了保证栅以及氧化层的一致性，需要在标准单元Row两端放置EndCAP。它相当于一种Dummy管子，用来保证两边的标准单元左右环境的一致性。避免在光刻时，由于最两端标准单元左右环境的不一致导致其性能有所差异。

1：有些标准单元的版图没有画阱接触孔和衬底接触孔,而是把这两个孔做成单元,这样在做PR时可以节约面积,如果不加,那么会发生latch-up效应,芯片变硅片啦.
latch-up效应：即闩锁效应，又称自锁效应、闸流效应，它是由寄生晶体管引起的，属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流，这不仅能造成电路功能的混乱，而且还会使电源和地线间短路，引起芯片的永久性损坏。防止：在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触。

2：ENDCAP是用于处理triple nwell的，不一定是指block level，对于多个nwell设计，因为阱电位可能不一致，需要确保每个nwell都是NWELL-enclosed，所以在row的end加上ENDCAP。