硬件电路设计基础：二极管半导体

在自然界中，根据导电能力来分，可以分为导体，半导体，以及绝缘体。
导体有我们常常知道的电阻，半导体需要特定条件才能导电，还有一种完全不能导电比如木材(干燥的)，在介绍二级管之前，我们需要了解一下p n型半导体，p型半导体，最外层电子为3，很容易失去电子，表现为正电，n型的半导体，最外层电子数为5，容易得到电子，表现为负电，那么根据他们的特点在半导体中参杂杂质，使其表现为带电性，也就是p型空穴大于电子数，n型电子大于空穴，那么把p n两种半导体结合就会形成pn结，这就得到了二极管的基本结构。
在p n这两者间会因为电荷的不均匀会产生流动，还有一种会因为内部电势差，在电场力的作用下产生移动，最终会达到一种平衡状态。
设这个内部的电压为e，把二极管正向偏置取外场电压为E，e与E的方向相反，所以只有让E大于e时，才能让内部电压消除，使二极管导通，这就是我们常说二极管有一个正向0.7的导通电压，接下来就是反向偏置，这样会使得e与E方向相同，加强了内部电场，是的阻碍电子流动，就是截止状态。
上面所讲的是二极管的单向导通性，利用这一性质，我们可以进行半波整流，还有电压的嵌位，具体例子可以电脑带电池的保护充电。
我们进行实验，得到二极管的伏安特性，发现它的反向特性有一个特点：在电流变化大时，它的电压变化不大，就产生了另外一个作用，即稳压。
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• 伏安特性

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以上是伏安特性曲线,由上图
(1) 正向特性
　　当VD＞0 即处于正向特性区域，正向区又分为两段：
①当0＜VD＜Vth时，外电场不足以克服PN结的内电场，
　　正向电流为零，Vth称为死区或开启电压
②当VD＞Vth时，内电场大为削弱，
　　开始出现正向电流，并按指数规律增长。
Si二极管的死区电压Vth=0.5 V左右，Ge二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。
(2)反向特性
　　当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。
(3)反向击穿特性
当PN结的反向电压增加到一定数值时（VD ≤VBR），反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。要注意反向击穿，一旦热击穿，就损坏。
使用上面的特点，我们来进行具体电路分析：

————半波整流。利用二极管的单向导电性就可以解释此现象。

——-双限幅保护电路也可以利用单向导电性解释，下面是黑线是输入波形，红色是输出波形。

———-二极管隔离电路
如果a端接5v，b端接4V,那么谁大谁先导通这么个说法可知，b端的二极管会截止，那么也就是把4v电压隔离了。

• 二极管中稳压特点

  在伏安特性曲线中我们可以知道，在反向区，电流在一定范围变化，电压的变化不会很大，那么我们来分析一实际电路:
  

在电路中，如果输入电压UI变大，那么输出U0也就变大，那么在稳压管上的反向电压变大，电流也就变大，由基尔霍夫电流定理可以知道，在限流电阻上的电流变大，也就是分压变大，使得增加的部分加在R上，那么从而使输出电压基本稳定。

我们设分别反向稳压电压为5.5v,8.5V，输入电压为10V,那么：

1）
谁先导通，电压就是谁的,那么由此可得左边a是正向的，也就是0.7V,右边的是5.5V.
2）用相同的方法，因为不管正向还是反向，都有一支管子正向导通，那么也就是0.7V.

3）
一样，左边的是2*0.7=1.4v，右边的是5.5+8.5=14v.
4）左边的是5.5+0.7=6.2v,右边的是8.5+0.7=9.2v