（二）SDRAM——SDRAM操作时序

（二）SDRAM——SDRAM操作时序

说明：个人学习笔记

参考内容：正点原子手把手教你学FPGA系列视频

1 SDRAM初始化

SDRAM芯片上电之后需要一个初始化的过程，其初始化阶段的时序如下：

1. SDRAM上电

2. 上电后进入一个输入稳定期（此处为200us），在此期间不可对其进行任何操作；

3. 在输入稳定期结束后，立刻对所有Bank进行预充电，预充电时间为tRP；

4. 预充电结束后，立刻连续执行多次刷新操作（此处为8次），刷新一次耗费的时间为tRC

5. 刷新结束之后，进行模式寄存器设置操作（此时需要等待一段时间才能向SDRAM发送新的指令），这段时间称为模式寄存器设置周期（tRSC）

6. SDRAM进入正常工作状态

模式寄存器设置

模式寄存器设置用于配置SDRAM芯片的工作方式，就是设置SDRAM的工作模式，读写数据时要用到。

模式寄存器设置参数包括突发长度BL、突发传输方式BT、CAS潜伏期CL以及操作模式。

模式寄存器设置参数由行列地址线和Bank地址线提供

突发长度为 “全页”表示一个Bank中一行存储单元的数量，即一个Bank中的列数

突发传输方式为 “顺序” 时，按n,n+1,n+2…,n+BL的地址依次传输的数据；

突发传输方式为 “交错” 时，按n,n+2,n+4…,n+2*BL的地址依次传输的数据，这种传输方式很少用，了解即可；

2 SDRAM读写操作

2.1 行激活

要对SDRAM芯片执行读操作或者写操作，必须先激活（Active）SDRAM芯片中的一行，使该行处于有效状态（因此行激活也称为行有效）。

SDRAM行激活时序：

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