(二)SDRAM——SDRAM操作时序
说明:个人学习笔记
参考内容:正点原子手把手教你学FPGA系列视频
目录
1 SDRAM初始化
SDRAM芯片上电之后需要一个初始化的过程,其初始化阶段的时序如下:
SDRAM上电
上电后进入一个输入稳定期(此处为200us),在此期间不可对其进行任何操作;
在输入稳定期结束后,立刻对所有Bank进行预充电,预充电时间为tRP;
预充电结束后,立刻连续执行多次刷新操作(此处为8次),刷新一次耗费的时间为tRC
刷新结束之后,进行模式寄存器设置操作(此时需要等待一段时间才能向SDRAM发送新的指令),这段时间称为模式寄存器设置周期(tRSC)
SDRAM进入正常工作状态
模式寄存器设置
模式寄存器设置用于配置SDRAM芯片的工作方式,就是设置SDRAM的工作模式,读写数据时要用到。
模式寄存器设置参数包括突发长度BL、突发传输方式BT、CAS潜伏期CL以及操作模式。
模式寄存器设置参数由行列地址线和Bank地址线提供
突发长度为 “全页”表示一个Bank中一行存储单元的数量,即一个Bank中的列数
突发传输方式为 “顺序” 时,按n,n+1,n+2…,n+BL的地址依次传输的数据;
突发传输方式为 “交错” 时,按n,n+2,n+4…,n+2*BL的地址依次传输的数据,这种传输方式很少用,了解即可;
2 SDRAM读写操作
2.1 行激活
要对SDRAM芯片执行读操作或者写操作,必须先激活(Active)SDRAM芯片中的一行,使该行处于有效状态(因此行激活也称为行有效)。
SDRAM行激活时序: