SDRAM操作时序(超级认真项Blog)

本文详细介绍了SDRAM的操作时序,包括初始化的模式寄存器设置,读写操作中的行激活、列寻址、数据输出与输入、突发长度、数据掩码和预充电,以及刷新操作的重要性。重点阐述了各步骤之间的延迟时间如tRCD、CAS Latency (CL) 和 tWR,并解释了数据掩码在读写操作中的作用以及预充电的必要性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

SDRAM操作时序

本节用到的英文简写:

英文简写 具体含义
row
column
MRS (mode register set) 模式寄存器设置
tRSC(Register Set Cycle) 模式寄存器设置周期
tRCD(RAS to CAS Delay) 行激活与列读写的时间间隔
CL(CAS Latency) CAS潜伏期
tWR (Write Recovery Time) 写入校正时间
Write Back 写回操作
Burst 突发
BL(Burst Lengths) 突发长度
DQM (Data I/O Mask) 数据掩码技术
Precharge 预充电
tRP(Precharge command Period) 预充电有效周期
Refresh 刷新
tRC 自动刷新周期
AR (auto refresh) 自动刷新
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值