SDRAM操作时序
本节用到的英文简写:
英文简写 | 具体含义 |
---|---|
row | 行 |
column | 列 |
MRS (mode register set) | 模式寄存器设置 |
tRSC(Register Set Cycle) | 模式寄存器设置周期 |
tRCD(RAS to CAS Delay) | 行激活与列读写的时间间隔 |
CL(CAS Latency) | CAS潜伏期 |
tWR (Write Recovery Time) | 写入校正时间 |
Write Back | 写回操作 |
Burst | 突发 |
BL(Burst Lengths) | 突发长度 |
DQM (Data I/O Mask) | 数据掩码技术 |
Precharge | 预充电 |
tRP(Precharge command Period) | 预充电有效周期 |
Refresh | 刷新 |
tRC | 自动刷新周期 |
AR (auto refresh) | 自动刷新 |