电路设计_光敏电阻学习笔记

学习要求

1、学习光敏电阻的基本工作原理并完成对其的测量

2、掌握光敏电阻的光照特性、伏安特性和时间响应特性等基本特征并完成其特性的测量

3、运用光敏电阻器件进行光电检测

具有光电导效应的材料

如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等

元素符号

镉：Cd，铅：Pb，硒：Se，硫：S，硅：Si，锗：Ge。

光敏电阻结构

光敏电阻分类

本征型光敏电阻 —— 一般在室温下工作适用于可见光和近红外辐射探测

非本征型光敏电阻——通常在低温条件下工作常用于中、远红外辐射探测

紫外光光敏电阻——硫化镉、硒化镉

红外光光敏电阻——硫化铅、碲化铅、硒化铅、锑化铟

可见光光敏电阻——硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌

光敏电阻受光照的影响变化，光照越强，它的电阻值越低

分为亮电阻和暗电阻

亮电阻越小越好，暗电阻越大越好

光敏电阻的特性曲线

光照特性：

伏安特性：

伏安特性曲线为直线

时间响应特性：

光敏电阻是半导体光电器件中时间响应特性最强（或惯性最大）的器件

弱辐射：2ms；强辐射：4ms

光谱特性：

光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性，亦称为光谱响应

频率特性：

光敏电阻的光电流不能随着光强改变而立刻变化，即光敏电阻产生的光电流有一定的惰性，这种惰性通常用时间常数表示。 大多数的光敏电阻时间常数都较大， 这是它的缺点之一。 不同材料的光敏电阻具有不同的时间常数(毫秒数量级)， 因而它们的频率特性也就各不相同。 

温度特性：

光敏电阻和其它半导体器件一样，受温度影响较大。温度变化时，影响光敏电阻的光谱响应，同时光敏电阻的灵敏度和暗电阻也随之改变，尤其是响应于红外区的硫化铅光敏电阻受温度影响更大。

稳定特性：

光敏电阻的阻值随温度变化而变化的变化率 ， 在弱光照和强光照时都较大 ， 而中等光照时 ， 则较小。

当环境温度在0～+60℃的范围内时，光敏电阻的响应速度几乎不变；而在低温环境下，光敏电阻的响应速度变慢。

额定功率：

光敏电阻的允许功耗，随着环境温度的升高而降低。

噪声特性：

光电导探测器的噪声主要有三个噪声源贡献：产生 - 复合噪声、热噪声、 1/f    噪声。

几种典型的光敏电阻

1、 CdS 和 CdSe

低造价、可见光辐射探测器，是可见光波段内最灵敏的光电导器件

光电导增益比较高 (10 3 ～ 10 4 )

响应时间比较长 ( 大约 50ms)

2 、 PbS ：近红外辐射探测器

是近红外波段内最灵敏的光电导器件

波长响应范围在 1 ～ 3.4μm ，峰值响应波长为 2μm

内阻（暗阻）大约为 1MΩ

响应时间约 200μs

3 、 InSb

在 77k 下 , 噪声性能大大改善

峰值响应波长为 5μm

响应时间短（大约 50×10 -9 s ）  

4 、 Hg x Cd 1-x Te 探测器

化合物本征型光电导探测器 ， 它是由 HgTe 和 GdTe 两种材料混在一起的固溶体 , 其禁带宽度随组分 x 呈线性变化。

当 x=0.2 时响应波长为 8 ～ 14μm， 工作温度 77k ，用液氮致冷。  

5、PbSe

广泛应用于自动控制灯光、自动调焦。

6、PbSnTe

碲锡铅，为碲化铅和碲化锡的连续固溶体，氯化钠型结构，为直接带隙半导体。变换x值，可使其带隙由0变到0.22eV，非掺杂晶体如富金属则呈n型，富碲则呈p型，在碲化铅衬底上采用气相外延、分子束外延等方法制取。

主要用于制作红外激光器和探测器。

使用注意事项

1、用于测光的光源光谱特性必须与光敏电阻的光敏特性匹配；

2、要防止光敏电阻受杂散光的影响；

3、 要防止使光敏电阻的电参数 ( 电压、功耗 ) 超过允许值；

4、根据不同用途,选用不同特性的光敏电阻。

常见光敏电阻参数

Cds 5539

亮电阻：50--100K；暗电阻：5M

响应时间：上升：20ms，下降：30ms

照度--电阻特性