速度比晶体管快1000倍,新型单光子开关登上Nature

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来源:机器之心

作者:CHARLES Q. CHOI

一种新型光学开关每秒钟的运行次数达到 1 万亿次,要比现在商用的顶级硅芯片快100到1000倍,这项研究未来或许可以催生出基于光而不是电的新一代计算机。

在如今人们应用最为广泛的计算机架构中,晶体管通过开和关两种状态表示数字0和1,用光开关代替传统晶体管的光计算机理论上可以比普通计算机运行更快,因为在常规条件下光子传播速度比电子要快很多倍。

在俄罗斯科学家的一项研究中,「光晶体管」是由夹在两个反射镜之间的35纳米宽的有机半导体聚合物薄膜组成的,其结果是形成了一个微小的空腔,旨在尽可能长时间地将射入光困在里面,以帮助它与空腔的材料耦合。

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该设备的发光源是两个激光器,一个明亮的泵浦激光器和一个非常弱的种子激光器。当泵浦激光照射在微腔上时,它的光子可以与腔材料内的激子(电子与其带正电的对应物、空穴的结合)强烈耦合。这会产生一种被称为激子极化子的短寿命准粒子。

激子-极化子簇可以形成所谓的玻色 - 爱因斯坦凝聚体(Bose–Einstein condensate),这是玻色子粒子在通常冷却到接近绝对零度时呈现出的一种气态的、超流性的物质状态,其中每个粒子的行为都像一个原子。从种子光束发出的光可以在两种可测量状态之间切换这种凝聚体,视作0或1。

新研究的重要之处在于,它不仅速度很快,而且平均只需输入一个光子就可以进行切换。相比之下,晶体管通常需要数十倍的能量来进行切换,而且使用单电子进行切换的速度也要慢很多。

该研究的论文《Single-photon nonlinearity at room temperature》已发表在近期的《自然》杂志上。

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论文链接:

https://www.nature.com/articles/s41586-021-03866-9

「这项研究最令人惊讶的发现是,我们可以用最少的光——单个光子来触发光开关,」该研究作者之一、莫斯科斯科尔科沃科学技术研究院物理学家Pavlos Lagoudakis说道。

相比之下,使用单个电子的晶体管通常需要庞大的冷却设备,考虑到功耗的提升效率较低。而俄罗斯人提出的光开关可以在室温条件下工作。

不过Lagoudakis提醒道,完全的光计算距离我们还很远。「第一个电子晶体管从实验室进入个人计算机花费了40年,在这期间是许多政府机构和公司,以及数以千计研究人员与工程师的大量投入,」他说道。「人们经常无法理解基础物理研究的发现需要多长时间才能进入市场。」

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论文作者之一Pavlos Lagoudakis

虽然前路漫漫,但Lagoudakis还是认为他们的研究是通向「光学加速器」的正确道路,很快就会发展出比传统电子计算机更快的算力。他指出:「光学计算可用于消除现今通常依赖超算大规模并行处理的计算瓶颈。」

除了光加速器和全光计算,Lagoudakis表示,新型光开关对光的超灵敏性表明它可以用作光探测器,可用于激光雷达扫描仪,应用在无人机、自动驾驶汽车的传感器上。

参考内容:

https://spectrum.ieee.org/optical-switch-1000x-faster-transistors

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速度饱和效应是指当电子在mos晶体管中运动速度达到极限时出现的现象。当晶体管中的电压增加时,电场强度也随之增加,加速了载流子的移动速度。然而当电场强度达到某一特定值后,电子与晶格之间发生碰撞,从而减慢了其运动速度,导致速度饱和效应的发生。 速度饱和效应对mos晶体管IV特性可能产生以下影响: 首先,速度饱和效应导致了晶体管的饱和区的伏安特性曲线的弯曲。在速度饱和的情况下,电子的移动速度不再线性增加,而是趋于饱和,因此在饱和区的电流增加不再与电压成比例,而是呈现出饱和特性。 其次,速度饱和效应会降低晶体管的跨导。在速度饱和时,电子的移动速度不再随电压变化,因此增加输入电压对输出电流的影响变得较小。这会导致晶体管的跨导减小,即输入电压变化对输出电流的增益减小。 最后,速度饱和效应会增加晶体管的截止电压。由于速度饱和效应的存在,晶体管的电流随着电压增加会趋于饱和,这意味着晶体管需要更高的电压才能使其进入饱和状态。因此,速度饱和效应会增加晶体管的截止电压。 综上所述,速度饱和效应对mos晶体管的IV特性产生明显影响,包括饱和区特性曲线的弯曲、跨导的降低和截止电压的增加。研究和了解这些影响可以帮助我们更好地理解和设计mos晶体管在电子器件中的应用。

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