带运放的带隙基准设计

本实验主要学习带运放的带隙基准设计,并学会从仿真结果中算出温度系数、电压灵敏度(即电源抑制比)等重要参数。

1.1电路分析

图1.1带运放的带隙基准的完整电路图

文本框:   图1.1带运放的带隙基准的完整电路图

带运放的带隙基准主要由三部分组成,分别是:带隙基准的主要部分(包括运放)、偏置电路、启动电路。带运放的带隙基准完整的电路图如图1.1所示:

1、偏置电路

在图1.1所示的电路中,最右边的部分,即M15, M16, M17和电阻R1构成了运放的偏置电路,给运放提供vb1和vb2两个偏置。

2、启动电路

在图1.1的最左边,即M18, M19, M21, M22, M23构成了带隙基准的启动电路,因为带隙基准在开始始可能会工作在零电流状态,为了让电路摆脱这种状态,就必须给它加启动电路。其中M9, M10为运放的输入管,在开始工作时,偏置电路通过M21给运放的输入加一个电压,待运放稳定工作后,M21的电流相对于整个带隙的电流来说非常小,所以它不会影响电路的工作状态,这一点在仿真结束可以打印电流来观察,事实确实如此。

3、带隙基准的主要部分

除了偏置电路和启动电路之外的部分就是带隙基准的主要部分。其中电阻R2的电阻值为电阻R3的三倍,这样流过R3的电流就是R2的两倍。Q2的面积时Q1的八倍,设为八倍是为了版图上的设计方便,可以设计成3×3的阵列。除了电阻和pnp晶体管外的部分就是两级运放,其中运放的输出接M20构成的共源放大器。这个电路有很高的电源抑制比。比如,如果电压电压升高,则运放输出升高,那么M9, M10的栅压也升高,但是由于电阻R4的电压上升速度比晶体管Q1快,又因为M9是反相输入端,所以就会导致输出下降。

4、基准电压

在图1.1中,R2=3R3,所以,I3=3I2。

,∴

 最后得出:

               (1)

因为在室温下Vbe对温度的倒数约为-1.5mV/oK,而VT对温度的倒数约为+0.087mV/oK,所以要想达到零温度系数,VT的系数大约为17.2,这样可以求得R3/R4≈1.81。此电路的设计要先设计好运放,要求增益尽量高,本设计中运放的增益为82.2dB,这样可以抵制失调电压等因素的不利影响。

1.2电路仿真

在电路仿真之前要先设置好电路元件的参数,仿真环境也要设置好,这里就不再重复了。

1、在tt, bjt_tt工艺角下的基准电压随温度变化的曲线如图1.2所示:

图1.2 tt,bjt_tt工艺角下的基准电压随温度变化的曲线

文本框:   图1.2 tt,bjt_tt工艺角下的基准电压随温度变化的曲线

从图中可以看出,当温度从负40度变化到125度时,基准电压的最大值和最小值之差仅为1.5mV。

2、直流分析

①扫描电源电压,vdd从0变化到5V,这样可以大致观察出vdd在多大范围内,电路就可以正常工作,波形如图1.3所示:从图1.3可以看出当电源电压从1.5V变化到3.4V时,基准电压几乎是一条平坦的曲线,也就是说在这个范围内,基准电路基本上都可以正常工作。在此设计中我们用的是simc18库中的1.8V的模型。可以看出此电路的工作范围很宽,即电源抑制比很大。在波形窗口中选择菜单栏的Marker->Place->Trace Marker,然后再点击你想看的波形中的某点,这样就可以标出他的横坐标和纵坐标,如图1.3所示。

②使电源电压从1.6V变化到2.1V,再做一次直流扫描,而这次扫描的目的是为了看在正常的工作范围内,基准电压随电源电源的变化,并可以计算出电压灵敏度(或者叫电源抑制比)。波形如图1.4所示:在波形窗口中选择菜单栏的Trace->Delta Cursor,可以精确观察曲线中两点的横坐标,纵坐标及其横坐标之差,纵坐标之差。

图1.3 直流扫描曲线1

文本框:   图1.3 直流扫描曲线1

图1.4直流扫描曲线2

文本框:   图1.4直流扫描曲线2

3、瞬态分析

给电源电压加一正弦信号,频率为1k,峰峰值为20mV,观察基准输出电压,基准电压的输出波形如图1.5所示:从两个波形的峰峰值仍然可以算电压灵敏度。图1.5中电压源的瞬态波形也打印出来了。从图可以看出,当电压源的峰峰值为20mV时,基准电压输出的峰峰值仅为1.56191967uV,这个值非常小,所以此电路的电源抑制比非常好。

4、工艺角分析

这里仅给出三种组合即ttt, sss, fff组合的情况,其实一共有四十五中组合,自己可以试着做做看。波形如图1.6所示:

图1.5电源电压加一正弦信号时的输出瞬态响应

文本框:   图1.5电源电压加一正弦信号时的输出瞬态响应

图1.6工艺角分析波形

文本框:   图1.6工艺角分析波形

1.3结果分析

1、温度系数

从图1.2的波形可以算出在tt, bjt_tt工艺角下带隙基准的温度系数。计算公式如(2)所示:单位是ppm/℃(ppm代表百万分之..part per million)

                    (2)

经计算,在tt,bjt_tt工艺角下,此设计的温度系数为7.497347ppm/℃。

2、电压灵敏度

电压灵敏度也即电源抑制比,是表征电源变化对基准输出的影响。从直流扫描结果可以计算电压灵敏度,计算公式如(3)所示:

                            (3)

在此设计中,用的电源电压为1.8V,由图1.4的直流扫描曲线,可以计算出电压灵敏度为6634(76.4dB), 而从瞬态分析中也可算出电压灵敏度,为78.7dB,两者相差不大。从而可以看出此电路的电源抑制比还是比较大的。

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