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原创 LDO功率管选取NMOS和PMOS区别

假设VDD为3.3V, vout为2.5V，采用nmos即使gate端最大为2.97，vth假设为0.7，vout为2.27V，drop电压很大，效率低，不能实现2.5V的输出。在dc-dc应用中，可以使用一个同步的charge-pump把nmos的gate电压抬高到vdd+vgs或者更高,在ldo中这样实现就不现实，所以LDO都是用pmos。用NMOS Souce的输出电压要比Gate至少低Vth，而不用辅助电路的话gate电压最高为vdd，因此输出电压最多为vdd-vth。

原创 失调与噪声

mos管作跨导管时，gm越大，噪声越小；mos管作电流镜时，gm越小，噪声越小。输入对管的呃Vod越小，offset越小；电流镜的Vod越大，失调越小；

原创 dnw后仿真寄生diode问题

原创 mos管参数仿真

mos参数仿真电路和过程

原创 【MOS管线性区如何让调整】

但要注意VDD够不够整条支路上所有管子的Vds来分压，其中支路上MOS Diode的Vdsg；

原创 【锁相环学习记录】

锁相环优质硕士论文

原创 温度计码和独热码

独热码，在英文文献中称做 one-hot code, 直观来说就是有多少个状态就有多少比特，而且只有一个比特为1，其他全为0的一种码制。通常，在通信网络协议栈中，使用八位或者十六位状态的独热码，且系统占用其中一个状态码，余下的可以供用户使用。独热码 onehot code。

原创 版图快捷键

顶层版图选中某一个block后，Shift+x进入下一层版图和对应的SCH。Shift+f显示正常图层版图。Ctrl+f版图都不显示。

原创 【蒙特卡洛仿真的corner】

ttg，ssg，sfg，fsg 和mc corner只有跑蒙特卡洛仿真时，才会体现统计分布的数据，用ttg跑corner本质还是一个点，因为关于高斯分布的数据设置都为0。ss，tt，sf，fs只是一个点，ttg，ssg，sfg，fsg corner是一个晶圆内的一个范围。smic40ll工艺中，ttg，ssg，sfg，fsg corner只包含mismatch。local variation指的是同一个晶圆内的不同管子之间的mismatch。蒙特卡洛仿真的corner。

原创 Calibre后仿和DSPF后仿

CALIBREVIEW和DSPF后仿的区别，流程，常见问题以及巧方法

原创 【提高bandgap精度的方法】

bandgap使用chopping技术降低offset和噪声。对电压的绝对值没有影响，是将Vbg的输出电压更加集中。

原创 LDO频率分析

和gm都会受Iout的影响，负载大(Iout大)的时候输出电阻(1/gm或者rds)就会变小 2.在这里似乎意思是主极点为Pea，在重载情况下ldo输出电阻小，次极点Pout的位置离Pea很远，此时相位裕度很大；但当轻载的时候，如1.中所说的，ldo的输出电阻会变大，Pout很可能会变得很靠近主极点，这样的话相位裕度会很小就不稳定，就需要补偿让这个系统在最坏的情况下(重负载)也能满足稳定性。LDO重载和轻载指的是负载电流的大小，重载意味负载电流大，轻载意味负载电流小。

原创 自偏置电流镜、wilson和cascode电流镜、低压自偏置电流镜

Vout最小值都为2Vod+Vt。输出阻抗、最小输出电压对比。

原创 拉扎维第二章笔记

空穴迁移率约为电子的1/2，所以PMOS具有较低的电流驱动能力。

原创 开关电容共模反馈

保持阶段，运放正常工作，C1与C2的并联参与共模反馈，反馈效果最好；加入反馈环路的稳定性较低，需要将次极点的位置远离单位增益带宽，但是由于次级点固定，所以可以降低单位增益带宽，降低红色管子的跨导，但是会影响主运放的特性，因此partial feedback。a1为保持阶段：ph1=0,ph2=1，C1与C2的并联参与共模反馈，相当于一个Vdc，电容越大，存储的电荷越多，抑制能力越强。n越大，并且一般C1=4C2，使得Vcmout-VCMFB与VCM-Bbn1的固定偏差趋于一致，达到共模反馈的效果。

原创 【失调存储技术】

失调存储技术：在采样态，失调电压存储在Cs下级板，保持态时，该点存储的失调电压一起被放大。运放增益越大，可以虚短；实际上A不会无穷大，但是运放增益越高，失调对输出的影响越小。即使Cs=CH，失调也会放大两倍。

原创 非线性建立与线性建立时间

如果设计时，想要使信号直接进入线性，必须使压摆率特别高，需要消耗很多电流，功耗较大；所以一般设计时，使管子先进入摆动状态，再进入线性工作区，可以节省电流。非线性建立阶段：放大器处于摆动slew状态，放大器相当于恒流源给负载电容充电，运放的负端输入管子截止，此时运放不能用小信号模型分析。线性建立阶段：放大器输出端与负端连接，充电到使得输入对管的负端也开启，运放进入线性阶段，时域上输出信号呈指数关系变化。运放在T/9内从最小电压摆到最大电压。带宽指标的电流指标和建立速度的指标。

原创 斩波稳定技术

自动归零技术/失调存储技术：采样频率越高，低频噪声相对于高频采样可以看成热噪声，但却带来热噪声混叠。C-D：信号调制回4.88k，并且经过放大，低频噪声调制到高频500k处。偶数次积分可以使offset一正一负消除，应用斩波使得输出更线性。对A,B,C,D四个点以1MHz频率采样，然后进行快速傅里叶变换。B-C:输入信号在500k放大，并引入低频噪声。输入信号经过方波两次调制，噪声经过一次调制。A-B：输入信号从4.88k调制到500k。另一种降低失调和噪声的办法：斩波稳定技术。

原创 电路中的噪声

PSD：噪声功率谱密度曲线上每个点代表该频率处1Hz频带内的噪声能量。非相关噪声是能量的叠加，相关噪声是幅值叠加。

原创 开关电容放大器

2.采样后，Cs被充电到Vref-Vin；CH左右极板都为Vref，电荷量为0，Cs左极板电子被Vin抽走，堆积了不能移动的正质子，右极板堆积的电子由运放的输出端提供，因此电子的流向为：从运放输出端由负反馈流向Vin，电流流向与之相反；3.保持态时，Cs右极板堆积的电子跑到CH的左极板，CH排挤走的电子被Vout，即运放的输出端吸走。1.刚开始，两个电容都处于floating状态，极板上积累的电子数量相同，即电荷量为0；位数越高，反馈系数f越小，对运放的增益要求越大。

原创 比较器理论

常用的电压域比较器有和。Strong ARM结构凭借其结构简单、无静态功耗的特点受到广泛应用，Strong-ARM结构的比较器结构简单、速度快、功耗低，被广泛地应用在各种类型的ADC中。为了解决单级结构的Strong-ARM比较器存在回踢噪声和不适合低压设计的 缺点，两级结构的Double-tail比较器被提出。

原创 频谱混叠和奈奎斯特采样

“时域的相乘等于频域的卷积，时域的卷积等于频域相乘”

原创 运放失调消除技术

给出了Auto zero失调消除技术具体的时序和计算过程，以帮助更好的理解

原创 连续型SD-ADC和离散型SD-ADC

离散时间型Σ-Δ ADC采用开关电容积分器，采样电容位于积分器输入之前，与连续时间型不同采样之前需要经 过抗混叠滤波以防止频谱混叠，如图 1-3 所示，由于电容匹配性相对电阻较好， 故离散时间Σ-ΔADC能够实现较高的精度，但由于采用开关电容积分器，电容充电稳定时间较长，较难在高精度的同时实现高速率，一般应用于中低速高精度应用场景，目前离散时间Σ-Δ ADC一般可以实现16位以上的精度。这种优势源于CT Δ Σ M的阻性输入阻抗，得益于此，前级不再面临驱动开关电容负载的前景。

原创 均方根噪声与峰峰值噪声

从统计学的角度来讲rms噪声和峰峰值噪声之间可以相互转换。其中最常用的转换是将rms噪声。6.6，其表示的是99.9%的概率下，噪声峰峰值不会超过6.6。峰峰值噪声表示了噪声在时域波形中出现的最大值与最小值之差。均方根噪声等于噪声波形直方图的一个标准差。

原创 单极运放、电路中高阻点、低阻点

高阻点一般接容性负载，低阻点一般接阻性负载。共源极、共栅级、共源共栅输出一般是高阻，共漏级（源随器）输出一般是低阻。

原创 【ADC性能参数换算】

参考1dc、ac下分别计算

原创 【cadence noise summary】

noise summary

原创 增量式+扩展技术文献调研

为了保留IADC1的优点，在IADC1之后使用奈奎斯特率ADC进行扩展计数可以非常显著地缩短转换时间，以较好的能效实现高分辨率。：利用2 - C DAC的优势，提出了一种将IADC重构为2 - C SAR ADC进行扩展计数的方法。0.18 μ m工艺，Fo M为175.8 d B，Walden Fo M为0.25 p J /转换步长，信噪比为96.6 d B。为了减小积分器的输出步长，引入了两抽头FIR路径F ( z ) ,为了使信号传递函数( STF )恢复为1，加入了J ( z )

原创 gm/id方法

参考：gm/id

原创 零极点、相位裕度、系统稳定性

在相位变化180°之前，系统增益降低为1，则系统稳定。

原创 RS锁存器

与非门初始S=R=1，两种状态都稳定；或非门初始S=R=0，两种状态都稳定；将S置为0，Q=1;将S置为1，Q=1;将R置为0，Q=0;将R置为1，Q=0;

原创 【两相不交叠时钟产生电路】

原创 增量式Σ-Δ ADC

增量式Σ-Δ ADC

原创 时域、s域、z域

1/z^n意味着延迟n个采样周期。1/z意味着时间域的一个延迟。

原创 class AB输出级

class AB输出级两种偏置

原创 【Vds、Vod、Vdssat、亚阈值区】

只需要考虑一阶效应，Vod(也有称做Vov, over-drive voltage)=Vgs-Vth≈Vdsat.

原创 二阶温度补偿带隙基准

带隙基准二阶补偿

原创 【ADS1120】寄存器配置

DRDYM配置为1，OUT/ DRDY可以当作数据就绪指示器。当数据转换完成就绪后，OUT/ DRDY为低。多1120时：当CS较高时，DOUT / DRDY不能用来指示何时有新的数据可用，与配置寄存器中的DRDYM位设置无关。只有专用的DRDY引脚表明新的数据是可用的，因为即使在CS较高时，DRDY引脚也是主动驱动的。

原创 【bandgap】无运放带隙基准电路

M6，M7，Q3支路为M3，M4提供偏置电压，同时起负反馈作用，使节点①电压等于节点②电压。假设节点③电压不等于节点⑤电压，如果V⑤＞V③，由VBE1＜VBE3得到I1＜I5，而由VGS3＞VGS7得到I1＞I5，与前面得到的结论相矛盾，所以，V⑤＝V③，I1＝I5，VGS1＝VGS6，从而得到节点①电压等于节点②电压。因为M3和M4传输同样的电流，漏极电压又相等，它们接在同一个栅极电压上，所以，V④＝V③。刚接通电源时，节点⑥为低电平。图2中，M1，M2，M5，M6宽长比的比例为2∶1∶1∶2。