电子基础知识详解

MOS管

全称：金属氧化物半导体场效应晶体管
NMOS高电平导通，PMOS低电平导通

原理

工科男孙老师 原理
原理
n沟道就是nmos，如下图所示，其两边为n，中间填充的为p，当中间给他高电平时，中间的电子就被吸引，形成n沟道，电路导通。箭头朝内，其中箭头代表电子流动的方向，所以源极接负。他的输入几乎不取电流，这就是现在的芯片内部集成的都是MOS管。
PMOS，中间低电平时导通（判断的都是GS之间的电压差）。

1、栅极这里接了正极，就将P里的电子吸引过来了，就形成了N沟道（可以看成是一整块的N型半导体），导通（单独的一个N型半导体是可以导通的）。不然这里有PN节，截止的

区别

区别
注意下面这张图，nmos（放在下面，因为G要比s大才能导通，这样s就接地了）和pmos（放在上面）的位置

使用芯片用PMOS作为上管更合适，既可以良好的接地，又可以完全掐断VCC的电源