新手必看!三极管在电路中的应用分析

 

新手必看!三极管在电路中的应用分析

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一、什么是三极管
 


半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。
在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。



注:以上两个两极管背靠背接起来时,仅仅起示意作用,否则如何来的三极管的放大功能呢。也就是说,三极管与背靠背接起来的两个两极管不一样!

 

二、三极管的作用分析
 

1、开关作用


注:所有的三极管均能起开关作用,控制一段回路的断开与闭合。三极管工作在开关状态时,一定是在饱和和截至区之间转换,不会在放大区。



分析:从NPN三极管管等效示意图可知,BE之间就是一个二极管,以硅二极管导通电压0.7V为例,只要VB>0.7V即可使BE间导通。

即当MCU输出高电平时,三极管处于饱和状态,此时发射结与集电结均为正偏置,此时CE间电压很小,比PN结的导通电压还要低(硅管在0.5伏以下,标准为0.2伏),CE间相当“短路”,即呈“开”的状态。

当MCU输出低电平时,三极管在截止状态,发射结与集电结均为反偏置,此时CE极间的电流极小(硅管基本量不到),相当于“断开”,呈现“关的状态”。

注:其中R2的作用起下拉作用,给予B端一个固定的电平,默认使三极管处于断开状态。

三极管开关电路的特点:

① 开关速度极快,远远比机械开关快;
② 没有机械接点,不产生电火花;
③ 开关的控制灵敏,对控制信号的要求低;
④ 导通时开关的电压降比机械开关大,关断时开关的漏电流比机械开关大;
⑤ 不宜直接用于高电压、强电流的控制

 

2、放大作用


放大电路的功能是利用三极管的电流控制作用,或场效应管电压控制作用,把微弱的电信号(简称信号,指变化的电压、电流、功率)不失真地放大到所需的数值,实现将直流电源的能量部分地转化为按输入信号规律变化且有较大能量的输出信号。

放大电路的实质,是一种用较小的能量去控制较大能量转换的能量转换装置。

 

放大电路组成的原则:


① 必须有直流电源,而且电源的设置应保证三极管或场效应管工作在线性放大状态;
② 元件的安排要保证信号的传输,即保证信号能够从放大电路的输入端输入,经过放大电路放大后从输出端输出;
③ 元件参数的选择要保证信号能不失真地放大,并满足放大电路的性能指标要求。

注:要使三极管能够正常放大信号,发射结应加正向电压,集电结应加反向电压。

在此仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。在实际放大电路中,除了共发射极联接方式外,还有共集电极和共基极联接方式。



导通条件

NPN型三极管的导通条件是C点电位>B点电位>E点电位,三极管饱和导通的条件是Ub>Ue,Ub>Uc。

PNP型三极管的导通条件是E点电位>B点电位>C点电位,三极管饱和导通的条件是Ue>Ub,Uc>Ub。

NPN型三极管


1、定义:NPN型三极管,由三块半导体构成,其中两块N型和一块P型半导体组成,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件,它最主要的功能是电流 放大和开关作用。

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母B表示--B取自英文Base,基本(的)、基础(的)),其他的两个电极分别称为集电极(用字母C表示--C取自英文Collector,收集)和发射极(用字母E表示-- E取自英文Emitter,发射)。电流从集电极输入的

2、基本作用:三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。

3、工作原理:

三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射原理图极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。

但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。

4、常用:电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31 (低频小功率锗管) 等,它们的型号也都印在金属的外壳上。

第一部分的3表示为三极管。 第二部分表示器件的材料和结构,A: PNP型锗材料 B: NPN型锗材料 C: PNP型硅材料 D: NPN型硅材料 第三部分表示功能,U:光电管 K:开关管 X:低频小功率管 G:高频小功率管 D:低频大功率管 A:高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。

PNP型三级管
1、定义:PNP型三极管,是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,所以称为PNP型三极管。也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管。

三、PNP型三极管与NPN型三极管的区别

1、2个PN结的方向不一致。PNP是共阴极,即两个PN结的N结相连做为基极,另两个P结分别做集电极和发射极;电路图里标示为箭头朝内的三极管。NPN则相反。

2、工作原理:晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

放大原理

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感

根据电流连续性原理得:

Ie=Ib+Ic

这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:

β1=Ic/Ib

式中:β1--称为直流放大倍数,

集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:

β= △Ic/△Ib

式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。

同理,PNP三极管则主要是形成空穴电流,其余原理基本相近。

直流参数

共发射极直流放大倍数β=Ic/Ib
集电极—基极反向截止电流Icbo,Ic=0时,基极和集电极间加规定反向电压时的集电极电流。Icb越小,说明三极管的集电结质量越好。
集电极—发射极反向截止电流Iceo(穿透电流),Ib=0时,集电极—发射极之间在规定反向电压时的集电极电流。要求Iceo越小越好。

交流参数

共发射极交流放大倍数β=△Ic/△Ib,其中△Ib是Ib的变化量,△Ic时Ic对应的变化量,三极管β值一般以20~100之间为好。
共基极交流放大倍数α=△Ic/△Ie约等于≈1。

极限参数

集电极最大允许电流Icm,集电极Ic值超过一定限额β值会下降,当β下降到额定值的1/2~2/3时的Ic值称Icm,正常工作时不允许超过Icm。
集电极—发射极之间击穿电压BUceo:指基极开路时,集电极和发射极之间的击穿电压。
集电极最大允许耗散功率Pcm:由于集电结处于反向连接,所以,电阻很大。当电流流过集电结时,集电结就会产生热量,为了使集电结的温度不超过规定值,集电极耗散功率将受到限制,一般应使Pcm≤IcUce。

电流走向


                        
原文链接:https://blog.csdn.net/u010261063/article/details/118517998

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