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学海无涯_come on
这个作者很懒,什么都没留下…
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DDR3 DDR4信号组 和原理图设计指南
这个格子阵有很多列(Column)和很多行(Row),这样我们想存取某个格子,只需要告知是哪一行哪一列就行了,这也是为什么内存可以随机存取而硬盘等则是按块存取的原因。实际上每个格子的存储宽度是内存颗粒(Chip)的位宽,在这里由8个Chip组成一个Rank,而CPU寻址宽度是64bit,所以64/8=8bit,即每个格子是1个字节。实际上每个格子的存储宽度是内存颗粒(Chip)的位宽,在这里由8个Chip组成一个Rank,而CPU寻址宽度是64bit,所以64/8=8bit,即每个格子是1个字节。原创 2023-01-18 16:57:21 · 4420 阅读 · 0 评论 -
IAP升级应用程序流程和原理(前提是:用户要先编写的boot loader程序)
IAP升级是使用客户自己编写的boot loader而不是系统自带的,所以flash需要为两部分,一部分用来存放IAP(boot loader)程序,另外一部分用于存放用户程序,即芯片真正需要跑的程序。原创 2023-01-09 14:47:27 · 412 阅读 · 0 评论 -
CPU一级缓存L1 D-cache\L1 I-cache与二级缓存L2 cache深度分析
也就是说CPU下一次要读取的数据90%都在缓存中;只有大约10%需要从内存读取。这大大节省了CPU直接读取内存的时间,也使CPU读取数据时基本无需等待。总的来说:CPU读取数据的顺序是先缓存后内存。扩大静态SRAM作为缓存是一个不太合算的做法,但是为了提高系统的性能和速度又必须要扩大缓存,这就有了一个折中的方法:在不扩大原来的静态SRAM缓存容量的情况下,仅仅增加一些高速动态DRAM做为L2级缓存。高速动态DRAM速度要比常规动态DRAM快,但比原来的静态SRAM缓存慢,而且成本也较为适中。一级缓原创 2022-12-14 10:53:48 · 5695 阅读 · 1 评论 -
堆与栈的区别详细总结
栈在函数调用时,函数调用语句的下一条可执行语句的地址第一个进栈,然后函数的各个参数进栈,其中静态变量是不入栈的。而堆一般是在头部用一个字节存放堆的大小,堆中的具体内容是人为安排;栈(操作系统):由操作系统(编译器)自动分配释放 ,存放函数的参数值,局部变量的值等。堆(操作系统): 一般由程序员分配释放, 若程序员不释放,程序结束时可能由OS回收,分配方式倒是类似于链表。栈使用的是一级缓存, 它们通常都是被调用时处于存储空间中,调用完毕立即释放。1、申请方式的不同。栈是连续的空间,而堆是不连续的空间。转载 2022-08-23 10:26:18 · 11665 阅读 · 0 评论 -
FSMC外设接口来外扩SRAM芯片、flash芯片
1、STM32学习笔记-FSMC外扩SRAM_行之无边的博客-CSDN博客_stm32外扩sramSTM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间,但当程序较大,内存和程序空间不足时,就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。STM32F407系列芯片可以扩展外部SRAM用作内存。为什么可以利用FSMC来使用外部RAM呢,首先了解一下STM32里的FSMC。大容量且引脚数在100脚以上的STM32F103芯片都带有FSMC接口。FSMC(Flexible Static Memo转载 2022-06-27 19:18:21 · 4388 阅读 · 0 评论 -
SRAM与DRAM的区别
SRAM是静态RAM,DRAM是动态RAM。SRAM的速度比DRAM快。DRAM用作内存比较多,SRAM用作二级cache比较多。DRAM需要不断地刷新电路来保存数据,否则内部的数据将会消失。因此功耗DRAM比SRAM大。SRAM存储一位需要花6个晶体管,而DRAM只需要花一个电容和一个晶体管。同容量,SRAM需要更多的晶体管,发热量也非常大。难以做成大容量的主存储器。通常只用在CPU、GPU中作为缓存,容量也只有几十K至几十M。cache追求的是速度所以选择SRAM,而内存则追求容量所以选择能够在相原创 2022-06-27 17:37:24 · 28991 阅读 · 3 评论 -
FLASH 的基本原理和分类
一、Flash的不同分类 - 百度文库1. FLASH根据内部存储结构的不同,闪存可分为NOR闪存和NAND闪存两种。NOR闪存:像访问SDRAM一样,可以根据数据/地址总线直接访问SDRAM。可以写入的次数少,速度慢。因为它的读写时序类似于SRAM,读地址是一种线性结构,多用于程序代码存储。NAND闪存:只有8位/16位/32位甚至更多位宽的总线,每次访问,都要将长地址分为几部分,一点点的分布传入才能访问nand flash。Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多,擦写速度快,转载 2022-06-24 14:32:50 · 10382 阅读 · 1 评论 -
存储、嵌入式、通信协议-STM32 FMC原理详解
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flash 和 eeprom 区别和关系、nor flash和nand flash区别
1、FLASH存储器和EEPROM存储器的区别2、EEPROM介绍及与Flash区别_VirtuousLiu的博客-CSDN博客_eepromEEPROM 芯片和flash的特点都是断电数据保留,可以存放不同的数据。flash是用来存储程序、代码的,在运行过程中不能改;EEPROM是用来保存用户数据,运行过程中可以改变。一般来说eeprom中存放开机是用到的参数,不可丢失的变量等,而FLASH中会存放程序,记录文件等。现在的单片机mcu,RAM主要是做运行时数据存储器;F..转载 2022-03-28 11:56:00 · 8943 阅读 · 0 评论 -
FLASH和EEPROM的区别和扩展
一些MCU片上不带程序存储器ROM,可执行代码只能放在外面的EEPROM、FLASH中,另外,有时也可以用来存储一些参数,保存一些掉电后需要保存的数据等。EEPROM容量小K字节级别,可读可写,一般保存当前工作状态。例:电视机中用户改了音量值之后,这个值就是保存在这里的,当再次开机时,系统就会先把这个值读到然后音量设置到关机前的状态,当用户再次更改音量时,这个值会被重新改写。如果没有EEPROM,就不能保存用户更改的值了,那每次开机都是最原始的数据。FLASH是只读,程序都是存在这里面,容量大M字.原创 2022-03-25 19:15:28 · 29044 阅读 · 7 评论 -
CAT24C01/02/04/08/16 和CAT24C512 设备地址差异 ;大容量空间读写还要在设备地址后面加寄存器地址
ATMEL EEPROM AT24CXXX安森美 ON EEPROM CAT24CXXXEEPROM 设备地址1.1,CAT24C01/02/04/08/16设备地址 规格书 :https://wenku.baidu.com/view/8802239d6bec0975f465e24c.html1.2 CAT24C512设备地址 规格书:https://html.alldatasheetcn.com/html-pdf/418800/ONSEMI/CAT24C5...原创 2021-03-19 10:57:02 · 1257 阅读 · 0 评论 -
I2C中24C02从地址设置 区分器件地址和 寄存器地址
I2C中24C02从地址设置从设备地址 首先,先看一下AT24C02的芯片资料,我们会发现AT24C02有三个地址A0,A1,A2。同时,我们会在资料的Device Address介绍发现I2C器件一共有七位地址码,还有一位是读/写(R/W)操作位,而在AT24C02的前四位已经固定为1010。R/W为1则为 读操作,为0则为写操作。R/W位我们要设置为0(写操作)规则为:1010(A0)(A1)(A2)(R/W) 然后,看一下自己的设置PCB上的AT24C02的三位地址引脚的接...转载 2021-03-19 09:21:18 · 15497 阅读 · 1 评论 -
STM32入门系列-STM32外设地址映射
STM32入门系列-STM32外设地址映射片上外设区分为四条总线,根据外设速度的不同,不同总线挂载着不同的外设,APB1挂载低速外设,APB2和AHB挂载高速外设。相应总线的最低地址我们称为该总线的基地址,总线基地址也是挂载在该总线上的首个外设的地址。APB1总线的地址最低,因此片上外设就从这这个地址开始,也称外设基地址。总线基地址从存储器映射那张图的Block2可以看到,分为4大块,每块都有一个起始地址,这个起始地址就是基地址,然后到下一块起始地址的时候就会和前一块地址出现偏差,...转载 2021-02-19 14:42:37 · 1892 阅读 · 0 评论 -
EEPROM芯片选型对比表
各大厂家EPPROM选型1,atmel被microchip收购,美国微芯官网https://www.microchip.com/sitesearch/search/All/eeprom?start=0&rows=50最近芯片行业形势:ST的暴涨 ATMEL的无人问津(主要针对主控MCU芯片)https://www.amobbs.com/thread-5742586-1-1.htmlAT24CXX 的I2C编程原理https://www.docin.com/p-448820.原创 2021-02-07 09:07:59 · 9800 阅读 · 0 评论 -
常用存储器介绍(RAM/ROM/FLASH)
常用存储器介绍https://blog.csdn.net/u011436427/article/details/81557649存储器是用来存储程序代码和数据的部件一.存储器的种类其中的“易失/非易失”是指存储器断电后,它存储的数据内容是否会丢失的特性;在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存,非易失性存储器的代表则是硬盘二.RAMRAM 可随读取其内部任意地址的数据,时间都是相同的1.动态随机存储器 DRAM(Dynamic RAM)动态随机存储器 DRAM的存储单转载 2021-02-07 09:07:26 · 1196 阅读 · 0 评论 -
EEPROM的学习和使用方法
EEPROM的学习和使用方法https://blog.csdn.net/bornpride/article/details/87894400一、概述在实际的应用中,保存在单片机RAM中的数据,掉电后就丢失了,保存在单片机的FLASH中的数据,又不能随意改变,也就是不能用它来记录变化的数值。但是在某些场合,我们又确实需要记录下某些数据,而它们还时常需要改变或更新,掉电之后数据还不能丢失。比如,我们的家用电表度数,电视机里边的频道记忆,一般都是使用EEPROM来保存数据,特点就是掉电后存储的数据不丢转载 2021-02-07 09:07:13 · 4156 阅读 · 1 评论