存储技术常用术语简析

什么是 Memory

在通俗意义上来，Memory 一般翻译为存储器，存储器用来指代那些能够帮助计算机存储信息的部件。由于目前还不存在速度快、数据断电不丢失同时单位容量价格又低的存储器技术，为了平衡 I/O 性能和价格，取舍之间，计算机通常会构建一个包含三层的存储器层次结构，即 CPU Cache、主存、外存（硬盘）

我们可以用 Cache、主存储器（Main Memory）、外存储器（External Storage）来加以区分这三层存储器。但在日常谈话中也经常使用“内存”或者“运行内存”（移动设备居多）来指代 Main Memory，使用“硬盘”来指代 External Storage。

Memory 的分类

可以从三个角度来对存储器进行分类：

顺序存取/随机存取

顺序存取存储器（Serial Access Memory）的典型代表就是磁带。随机存取存储器（Random Access Memory）或者被经常提到的另一个简称——RAM，是目前存储器技术的中流砥柱。存储器是否能支持随机存取通常由它的物理结构所决定。事实上，所有的半导体存储器都支持随机访问。

只读/可读可写

只读存储器（Read Only Memory）简称 ROM。ROM主要用于存储计算机中很少会再次更改的软件，比如引导操作系统加载的程序。现在制造的所有 ROM 都是非易失性的，因为显而易见，易失性的 ROM 实用价值很低。

⚠实际上，现在 RAM 成为了可读可写的存储器的通用称呼，所谓的“RAM”已经脱离了“随机存取”的含义，成为了 ROM 的反义词。我们接下来所提到的 RAM 指代的都是这一层含义。

易失性/非易失性

”易失性/非易失性“主要指的是存储器的数据在断电后是否能够继续保持。通常我们把非易失性存储器称作 NVM （Non-Volatile Memory），但由于 ROM 都是非易失性的，因此”易失性/非易失性“主要用于区分 RAM。非易失性随机存储器（Non-Volatile RAM）简称 NVRAM；易失性随机存储器主要分为两类：动态随机存储器（Dynamic RAM）和静态随机存储器（Static RAM），它们又分别简称为 DRAM 和 SRAM。由于目前 NVRAM 应用还不是很广泛，因此提到 RAM 时，我们通常都认为其是易失性的，而需要专门提到非易失性存储器时才会搬出 NVRAM 这个名称。

接下来我们将对上面提到的术语做补充说明。

DRAM and SRAM

DRAM 与 SRAM 的区别体现在了名字上：由于 DRAM 需要周期性地给电容补充电荷以避免数据丢失，因此被称为 dynamic；SRAM 只要通上电就能保持数据存储，不需要刷新，因此被称为 static。

总体上看，DRAM 既耗电，存取速度也慢，但是胜在结构简单，制造成本低，与之相对 SRAM 的制造成本偏高。所以，在需要量大管饱的主存储器层级，几乎都会选用 DRAM 方案，而因为主存储器过慢而衍生的 CPU Cache 层级一般都采用 SRAM 方案。

关于 DRAM 技术的发展，可以参考从零学习DRAM

提到主存储器，另一个不得不提的术语是“DDR”。从原始定义上讲，DDR 指的是双倍数据速率（Double Data Rate），它指的是在时钟的上升沿和下降沿都进行数据传输，从而使得数据带宽提高了一倍的一种手段。目前主流的主存储器都使用了 DDR，所以，我们也经常使用 DDR 来指代一个稍微有点长的名词：DDR SDRAM。（SDRAM 指的是以同步方式进行工作的 DRAM）

另外，我们之前提到过DRAM过于耗电的缺陷，这对于台式机来说尚且可以接受，但是对于带电池的移动设备、嵌入式设备、笔记本等电子产品来说，续航要求严格，因此又催生了 LPDDR SDRAM（一般简称为 LPDDR），即 Low-Power（低功耗） 的 DDR SDRAM。LPDDR 虽然牺牲了性能，但更加省电。

ROM 的发展

在集成电路出现之前，ROM 以各种形式出现过，比如说上世纪登月计划就用磁芯绳编制成一块存储器，用来当 ROM。随着集成电路的诞生，出现了用光刻的方式进行制造的 ROM，因为光刻时需要用到掩膜（Mask），因此这种类型的 ROM 被称为 MaskROM。MaskROM 的物理特性决定了它在刻录完成后，就不可能再修改，是名副其实的 read only memory，但正因如此，MaskROM 有着许多缺点：第一，制造一块掩膜的成本很高（可以理解为工厂开模具），这导致如果需要生产的 MaskROM 太少的话就非常划不来。第二，软件研发常常需要快速更改设计的内容并验证，而 MaskROM 的生产过程导致根本无法满足这一点。

随后出现的其他类型的 ROM 都在设法提高灵活性。1956 年被发明的可编程 ROM（Programmable ROM，简称 PROM）允许用户更改一次内部的存储内容，然后不可再更改（只能进行一次软件烧录）。

接下来，ROM 以一种稍显矛盾的方式发展了下去。要想继续提高 ROM 的灵活性，无非就是允许 ROM 进行多次的烧录，于是在1971年，一项新的技术出现了——EPROM，一种可擦除可编程的 ROM。EPROM 中的 “E” 指的是 erasable。话说回来，可以擦除掉内容并且再次烧录的 ROM，应该叫做 read only memory 吗？不管如何，ROM 这个名字延续了下来，只是我们要特别注意的是，提到 ROM 这个词不再代表 ROM 一定是 read only 的。EPROM 被编程之后，可以通过暴露在强紫外线光源（例如汞蒸气灯）的方式进行擦除。不过，EPROM诞生不久就很快有了更便捷的代替品，1972年，电可擦除可编程 ROM（Electrically erasable Programmable ROM，简称 EEPROM）诞生了。当然了，当时的 EEPROM 技术还远远未到成熟阶段，每块芯片的价格依然大幅高于批量生产的 MaskROM，直到2000年左右，可重编程 ROM 成本下降才几乎消除了 MaskROM 的市场。

诞生于20世纪80年代闪存（Flash Memory）技术属于 EEPROM 的一种，它相当程度上影响了我们现在的存储方式。得名"Flash"是因为相比起当时的其他 EEPROM 技术来说，Flash Memory 的速度较快，而且可以只对存储的特定部分进行擦除和编程，而不必全盘擦除。

Flash Memory 主要有两种技术分支，分别称作 NOR Flash 和 NAND Flash。我们更熟悉的 NAND 技术每 GB 成本更便宜，因此通常用来制作大容量的存储器，比如说固态硬盘（SSD）或者嵌入式多媒体卡（embedded Multi Media Card，或者简称 eMMC）。