一、基本概念
场效应晶体管(FET)可分为结场效应晶体管(JFET)和MOS场效应晶体管(MOS-FET)。工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
MOS,是MOSFET的缩写,金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。如图。箭头指向G极的是N沟道,背向G极的是P沟道。
MOS有三个电极:G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏
不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是S极,单独引线的一边就是D极。
管脚
方向摆正后,单独一脚为D,左边为G,右边为S。
编号从G脚开始,逆时针1 2 3。
(六脚)辨别
(八脚)不论NMOS管还是PMOS管,D极单独位于一边,而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。
特点
- 放大能力较差
- 栅极几乎不取电流
- 多子参与导电,温度稳定性好、抗辐射能力强
- 在源极金属与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用
- 噪声系数很小
导电沟道(反型层的形成)
在UGS=0时,无论UDS的大小和极性,都会使得2个GS和DG这两个PN结中一个正偏,另一个反偏。但是由于两个N区之间被P衬底隔离,所以没有办法形成电流。如左图。
当在栅源极之间加上正向电压(所谓的正向电压永远是指电场方向是从P区指向N区)后,则在栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场,这个电场能排斥空穴而吸引电子,因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥,剩下不能移动的受主离子(负离子),形成耗尽层,同时P衬底中的少子电子被吸引到衬底表面。当UGS增加大一定大小时,随着SiO2绝缘层中电场的增强,会将更多的电子吸引到P衬底的表面,于是栅极附近会形成一个N型薄层,且与两个N区联通。此时就形成了导电沟道,于是在DS之间就有电流可以通过了,如右图所示。
在这个阶段,如果UDS保持不变,UGS增加会导致导电沟道变厚,从而ID变大。
预夹断
1
寄生二极管
一般小功率MOS管是平面结构,无寄生二极管。大功率MOS管漏极从硅片底部引出,会有寄生二极管。当电路中产生很大的瞬间反向电流时,可以通过这个二极管导出来,不至于击穿这个MOS管;也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。起到保护MOS管的作用。
不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:要么都由S指向D,要么都有D指向S。
万用表测量:将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。
作用
- 信号切换
- 电压通断
- 缓启动用
- 防反接用
- 作逻辑转换用
二、MOS管作开关
电路连接
NMOS:D极接输入,S极接输出
PMOS:S极接输入,D极接输出
反证法:
NMOS假如:S接输入,D接输出。由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用。
同理。PMOS假如:D接输入,S接输出,情况同上。
开关条件
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
也即导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|
三、特性曲线
上图为漏极输出特性曲线,下图为转移特性曲线。
参考自:
1、百度百科:MOS、场效应管
2、MOS管基本认识(快速入门)
3、三极管和MOS管工作原理详解