电子器件(6)MOS管参数与选型

唐老师MOS管视频总结,方便翻看主要知识点

MOS管可等效于一个开关和电阻 R_{DS(ON))} 的串联

电路符号 

 1、MOS管的三个极怎么判断

下面为常用的一款MOS管(2N7002)

 另一款MOS管SI4825

 有两根引线的一端为S极

2、N沟道还是P沟道?

看中间的二极管箭头指向即可, 箭头靠近G极的为N沟道

3、寄生二极管(体二极管)的方向?

简易版:体二极管方向和中间的箭头方向一致

4、作用

1、开关

NMOS的G极高电平时,D极、S极导通;PMOS反过来

需注意:NMOS是S极接输出,PMOS反过来

PMOS有一个特点:可以双向导通(D的电位高就由D流向S,S的电位高就由S流向D)。

2、隔离

3、可调电阻

实物图

8PIN(SOP8)的MOS引脚:

1、2、3脚为S,

4脚为G,

5、6、7、8脚为D(PMOS和NMOS都一样)

 3PIN(SOT23)的MOS引脚:正对丝印,分别为G、D、S(PMOS和NMOS都一样)

 

MOS管主要参数

1、VDSS(最大漏-源电压)

2、VGS(最大栅源电压)

一般在G极和S极之间并联一个稳压管或TVS,确保栅极的电压不会超过VGS

3、ID(连续漏电流)

可以流过的最大电流

4、VGS(th):门槛电压

大于或等于此电压时,MOS管才会导通。负温度系数

5、RDS(on):导通电阻

越小越好,这部分功耗会引起MOS管发热

把两个MOS管栅极对栅极、源极对源极、基极对基极连起来,相当于两个MOS管并联,

可把RDS(on)减小一半,开关电源中常见

6、Ciss(输入电容)

栅极和源极之间的电容,越小越好,Ciss=Cgs+Cgd

7、Qgs、Qgd和Qg

越小越好,栅极电荷Qg是产生开关损耗的主要原因

开关电源效率

\eta =\frac{Vo*Io}{Vi*Ii}

影响效率的两个因素:导通损耗和开关损耗

提高效率:选用DCR小的电感,RDS(on)小的MOS管,Qg小的MOS管

常用MOS管型号

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