半导体光生载流子浓度计算(Optial generation )cm^{-3}\cdot s^{-1}

文章探讨了在激光功率为6.8mW/mm³,特定器件参数(宽度100μm,厚度1μm,光斑长度100nm,反射率0.2,光波长365nm,量子效率1)下,由于光注入较大导致的光生载流子不再遵循玻尔兹曼分布,转而采用费米分布的计算问题。详细介绍了计算光生载流子生成速率的方法。
摘要由CSDN通过智能技术生成

Optial generation  单位 cm^{-3}\cdot s^{-1}

示例:laser power is 6.8mW*mm^-3,器件宽度W=100um,器件厚度1um,光斑长度100nm,反射率0.2,光波长365nm,量子效率1,\alpha为表面对光吸收率,计算光生载流子生成速率。

计算步骤:

可见,光生载流子为大注入,此时载流子分布不再是玻尔兹曼分布,应该为费米分布。

这是一个比较复杂的问题,需要用到半导体物理学的知识和公式进行计算。下面是解答过程: (a)根据光二极管的工作原理,当有光照射到 pn 结时,会产生电子和空穴对,形成光电流。根据题目中给出的数据,可以先计算出 pn 结的内建电场强度: Vbi = kT/q * ln(NaNd/ni^2) ni = sqrt(10^10 * T^3/2 * exp(-Eg/(2kT))) Eg(Si) = 1.12 eV 其中,k 是玻尔兹曼常数,T 是温度,q 是电子电荷量,Na 和 Nd 分别是 p 型和 n 型区的掺杂浓度,ni 是本征载流子浓度,Eg 是硅的带隙能。 代入数据得到: ni = 1.45 x 10^10 cm^-3 Vbi = 0.836 V 因为有逆偏电压,所以 pn 结的有效势垒高度为: V0 = Vbi - 5 V = -4.164 V 根据 pn 结的I-V特性中的Shockley方程,可以计算出光电流的即时成分: J = J0(exp(qV/kT) - 1) + G 其中,J0 是饱和漏电流密度,V 是 pn 结的电压。因为是逆偏,所以J0可以近似为0。代入数据得到: J = G = 10^21 cm^-3 s^-1 (b)根据 pn 结的势垒理论,可以计算出距离 pn 接面的位置 x 处的载流子浓度: n(x) = ni^2/Na * exp(qV(x)/kT) p(x) = ni^2/Nd * exp(-qV(x)/kT) 其中,V(x) 是在 x 处的势垒高度,可以用以下公式计算: V(x) = -V0 * exp(-x/L) 其中,L 是 pn 结的宽度。代入数据得到: L = sqrt(2 * ε * ε0 * Vbi / (q * (1/Na + 1/Nd))) ε(Si) = 11.7 ε0 L = 0.723 μm 然后可以计算出远离 pn 接面的 p 型半导体区和 n 型半导体区的稳态过量载流子浓度: Δp_inf = Δn_inf = sqrt(G * Tp0 * Tn0/(Dp * Dn * A)) 其中,A 是 pn 结的面积。代入数据得到: Δp_inf = Δn_inf = 5.8 x 10^7 cm^-3 (c)根据光电流的定义,可以计算出稳态的总光电流: J_total = J - J_dark 其中,J_dark 是在无光情况下的暗电流密度,可以用Shockley方程计算: J_dark = J0(exp(qV/kT) - 1) 代入数据得到: J_dark = 1.67 x 10^-14 A/cm^2 所以稳态的总光电流为: J_total = J - J_dark = 9.92 x 10^6 A/cm^2 以上就是整个问题的解答过程,希望能对你有所帮助。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值