硅材料的本征载流子浓度(ni)的计算公式

硅材料的载流子浓度及其计算公式，在网上和各种版本的教材中出现很多个版本，而且差别比较大，本文梳理了各个版本的先后关系，并在开头给出了目前硅材料的本征载流子浓度的普遍接受值。

结论

条件：硅材料，300K 温度下

本征载流子浓度：

$$n_i=9.65\ast 10^{9}c{m}^{-3}$$

计算公式：

$$n_i(T)=5.29\ast 10^{19}\ast (\frac{T}{300}{)}^{2.54}{e}^{-\frac{6726}{T}}$$

其中 T 为开氏度 (KELVIN)

各个版本的历史顺序

以下按照时间发展顺序进行介绍

时间节点1.

1990 年以前，硅材料在 300K 温度下的载流子浓度普遍接受值为：
$$n_i=1.45\ast 10^{10}c{m}^{-3}$$
公式为
$$n_i(T)=\sqrt{N_C{N}_V}{e}^{-\frac{E_g}{2kT}}$$
也有的写成下面这种形式
$$n_i(T)=4.9\ast 10^{1}5(\frac{m_{de}{m}_{dh}}{m_0^2}{)}^{\frac{3}{4}}{T}^{\frac{3}{2}}{e}^{-\frac{E_g}{2kT}}$$
公式来自（参考文献4），这个值偏差较大，导致当时的理论预测与实际测量的结构明显不一致，因为已经过时了，公式参数也不过多解释了，只是让大家看到类似的公式的时候方便识别，已经过时了。

时间节点2.

1991 年，Sproul 和 Green 在《Journal of Applied Physics》上发表文章（参考文献 2）， 通过实验测得的，在 300K 温度下，硅材料的本征载流子浓度
$$n_i=1.0\ast 10^{10}c{m}^{-3}$$
并提出了计算公式：
$$n_i(T)=9.15\ast 10^{19}\ast (\frac{T}{300}{)}^2{e}^{-\frac{6880}{T}}$$

时间节点3.

1993 年，Misiakos 在《Journal of Applied Physics》上发表文章（参考文献 3），提出了一种新的测量方法，测得在 300K 温度下，硅材料的本征载流子浓度
$$n_i=(9.7\pm 0.1)\ast 10^{9}c{m}^{-3}$$
并给出了计算公式
$$n_i(T)=5.29\ast 10^{19}\ast (\frac{T}{300}{)}^{2.54}{e}^{-\frac{6726}{T}}$$

时间节点4.

2003 年，Altermatt 在 《Journal of Applied Physics》上发表文章（参考文献 1）， 认为 Sproul 和 Green 的实验受到带隙变窄的影响，并通过数值仿真的方式，重新解释了他们的测量结果，得到了新的数据， 在 300K 温度下，硅材料的 本征载流子浓度
$$n_i=9.65\ast 10^{9}c{m}^{-3}$$
与 Misiakos 在 1993 得到的结果在实验误差范围内，解决了 Sproul 与 Misiakos 实验结果不一致的问题，证明了 Misiakos 提出的方法的正确性。

参考

0. https://www.pveducation.org/zh-hans/pvcdrom/本征载流子浓度
1. P. P. Altermatt, Schenk, A., Geelhaar, F., and Heiser, G., “Reassessment of the intrinsic carrier density in crystalline silicon in view of band-gap narrowing”, Journal of Applied Physics, vol. 93, no. 3, p. 1598, 2003.
2. A. B. Sproul and Green, M. A., “Improved value for the silicon intrinsic carrier concentration from 275 to 375 K”, Journal of Applied Physics, vol. 70, pp. 846-854, 1991.
3. K. Misiakos and Tsamakis, D., “Accurate measurements of the silicon intrinsic carrier density from 78 to 340 K”, Journal of Applied Physics, vol. 74, no. 5, p. 3293, 1993.
4. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York,
   1981).