3.2 逻辑器件应用要点
3.2.1 逻辑器件概要
1、TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS逻辑电平介绍及互连
逻辑器件的选型首先是逻辑电平的选择,在传统的单板设计中,TTL和CMOS逻辑电平被广泛应用,是数字电路设计中最常见的两种逻辑电平,LVTTL和LVCMOS是它们的低电平版本,其他的高速电频大多都衍生自TTL和CMOS。
TTL指晶体管——晶体管逻辑,由于晶体管是流控器件,且输入电阻较小,因此TTL电平的器件速度快,但功耗较大;CMOS是MOS管逻辑,由于MOS管是压控器件,且输入电阻极大,因此CMOS电平的器件速度很慢,但功耗较小,同时由于CMOS器件输入阻抗很大,外界微笑的干扰就可能引起电平的翻转,因此CMOS器件上未使用的输入引脚应做上下拉处理,不能浮空。
现实中的信号是连续的模拟信号,而数字信号只有“1”和“0”两种逻辑状态,需使用阈值来定义信号的逻辑状态。下面以图3.5以例,来说明信号的逻辑电平定义。
在图3.5中,对每种逻辑电平都定义了四个阈值,即Voh、Vol、Vih、Vil。
当逻辑器件输出高电平时,电平的幅值应高于Voh,即Voh为输出高电平的最小值;
当逻辑器件输出低电平时,电平的幅值应低于Vol,即Vol为输出低电平的最大值;
当逻辑器件输入高电平时,电平的幅值应高于Vih,即Vih为输入高电平的最小值;
当逻辑器件输入低电平时,电平的幅值应低于Vil,即Vil为输入低电平的最大值。
从图3.5可以发现,各逻辑电平的阈值并相同,因此相互间并非可以直接互连。只有同时满足一下条件时,不同逻辑电平的器件才能直接互连。
条件一、
条件二、
2、逻辑器件的分类
电路设计中,74族逻辑器件的厂家有TI、NXP、Fairchild等。
根据工艺不同,逻辑器件可分为三类:Bipolar(双极型)、CMOS(互补金属氧化为半导体)和BiCMOS(BIPO拉人CMOS)。
Biploar是由双极型晶体管组成的集成电路,如TTL电路就属于Bipolar,特点是速度快,驱动能力强,但功耗大。
CMOS是由场效应管构成的集成电路,特点是功耗低,集成度高,但驱动能力和速度比Bipolar差。
随着高速电路的发展,单板密度越来越高,功耗越来越大,器件的工作速度也越来越快,BIPO拉人和CMOS已逐渐不能满足设计的需求,需要采用新的工艺——BiCMOS。
BiCMOS主要具有以下两种优势:
(1)BiCMOS以CMOS工艺为主,CMOS电路充当高级成都和低功耗的电路核心部分,用Bipolar电路充当输入/输入出接口部分,因此可以充分发挥Bipolar和CMOS的优势,同时具有速度高、驱动能力强和功耗低、集成度高的优点。
(2)随着工作温度和工作电压的变化,CMOS器件和BIPO拉人器件的许多特性都会发生变化,且对于许多特性参数,CMOS和Bipolar器件的变化方向是相反的。例如,传输延时参数,随着温度的降低,CMOS器件的传输延时减小,而Bipolar器件的传输延时增大;随着温度的升高,CMOS器件的擦混输延时增大,Bipolar期间的出书延时虽然也增大,但增加的幅度小于CMOS器件。BiCMOS工艺将Bipolar和CMOS这两种具有互补特性的工艺结合在一起,使得器件参数随着工作电压和工作温度的变化曲线较平缓,提高了器件的性能。
电路设计中常用的74族逻辑器件,根据制造工艺、I/O接口结构的不同,可分为多种系列。
ABT:先进BiCMOS技术(Advanced BiCMOS Technology)
AC/ACT:先进CMOS逻辑(Advanced CMOS Logic)
AHC/AHCT:先进高速CMOS逻辑(Advanced High-Speed CMOS Logic)
ALS:先进低功耗肖特基逻辑(Advanced Low-Power Schottky Logic)
ALVC:先进低电压CMOS技术(Advanced Low-Voltage CMOS Technology)
ALVT:先进低电压BiCMOS技术(Advanced Low-Voltage BiCMOS Technology)
AS:先进肖特基逻辑(Advanced Schotty Logic)
AVC:先进极低电压CMOS逻辑(Advanced Very Low-Voltage CMOS Logic)
CBT:Crossbar技术(Crossbar Technology)
F:快速逻辑(F Logic)
FCT:跨苏CMOS TTL逻辑(Fast CMOS TTL Logic)
HC/HCT:高速CMOS逻辑(High-speed CMOS Logic)
LS:低功耗肖特基逻辑(Low-Power Schottyk L)