PMIC - 配电开关，负载驱动器 TPS2553DBVR

晶体管SI2325DS-T1-GE3主要参数如下：
包装：Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：530mA (Ta)
FET 功能：–
FET 类型：P-Channel
漏源电压（Vdss）：150V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
工作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：510pF @ 25V
安装类型：Surface Mount
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 Ohm @ 500mA, 10V
功率耗散（最大值）：750mW (Ta)
系列：TrenchFET®
Vgs（最大值）：±20V
工厂包装数量：3000
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V, 10V
技术：MOSFET (Metal Oxide)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12nC @ 10V
封装：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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