同步整流SR

1.杂谈

最近在看李笑来的书,他说,什么叫人活着,事情能够自己掌握,有自己的选择,否则不叫活着。而有足够的选择权前提是,必须花足够的时间做好手上的事,如果7年是一辈子,那第一年就是像苍蝇一样学习不断的探索,第二年就是像蜜蜂一样确定方向专研,剩下的几年就是收获。马上工作三年了,看着周围的人迈入新阶段,而我还是处于迷惑的状态,有点浮躁了,沉下心来吧,希望能厚积薄发,相信自己是可以的。
ok,回到今天的主题,同步整流电路。
(突然想到他的一个观点,当面对不懂的领域时,买5-7本书,注意是比较系统的书而不是网上的碎片信息,快速把这几本书都读一遍,自然而然就懂了,而且会知道哪些是重点。)

2. 基本原理

同步整流我觉得首先要弄清楚以下两个点:

  1. 跟谁同步?
  2. 为什么要用这个电路?,即用这个电路的好处是什么?

下面针对这两个问题,分别作答。
1.跟谁同步?
在文献中,好像对同步这个概念并没有很关注,搜到的同步整流都说的是将mos管代替二极管。
我觉得这里的同步指的是同步控制原副边的mos,给他们同步的驱动,而二极管不需要驱动,所以谈不上同步控制,所以称为异步。
2.为什么要用这个电路?
用这个电路最根本的原因是为了提高效率,特别是低压大电流的场合。用mos管低导通电阻代替二极管压降,可有效的提升效率。

3. 分类

同步整流的方式有以下几种:

  • 自驱动。包括电压自驱动和电流自驱动。
  • 外部驱动

使用SR驱动时要注意两个点:

  • 整流和续流管的死区时间要足够长,否则两管同时导通会烧毁变压器和SR管。
  • 死区时间不能太长,否则从体二极管走过,会增加损耗。
    死区时间:同步整流管在应该导通时,没有栅极驱动电压只能流向体二极管,这个时间可以称为死区时间。
    不同的拓扑,同步整流的驱动解决的问题不同,包括死区问题,换流问题。
    同步整流多管并联运行时,注意每个管均流的问题。

3.1 自驱动

用电路本身的电压或者电流来提供SR的驱动信号,称为自驱动。
自驱动主要有以下几种拓扑:
在这里插入图片描述
副边绕组和辅助绕组自驱动都有一个缺点,即变压器复位后,电流流过续流管的体二极管,损耗增加;栅极电荷和滤波电感耦合方式可解决死区问题,但滤波电感制作复杂。
讲一下用的比较多的副边绕组自驱动和栅极电荷保持自驱动把。
1.副边绕组自驱动
正激电路副边绕组自驱动的原理图如下:
在这里插入图片描述
正激电路的波形图如下:
在这里插入图片描述
工作过程是:
a)主开关管导通,副边变压器上正下负,整流mos导通
b)主开关管关断,副边变压器下正上负,续流mos导通,整流mos关断。
当变压器磁复位后,续流管无驱动电压,那么电流只能经过续流管的体二极管续流。
电压自驱动特点如下:

  • 电路简单
  • SR的驱动电压跟输入电压有关,当输入电压范围较宽时,不能可靠的驱动SR
  • 变压器的漏感影响驱动电压
  • 靠复位电压驱动,复位方式也影响SR驱动。
  • 轻载时,由于mos是双向开关,可能会产生环流(可以通过并联写肖特基管进行优化;也可以通过同步整流栅极电荷保持法。)
    电流自驱动电路复杂,但电压驱动的缺点它都可以弥补,这里不详细介绍了。
    2.栅极电荷自驱动
    栅极电荷驱动的目的是解决死区下续流体二极管导通影响效率的问题。原理是通过电容的电荷保持,延长续流管的导通时间。
    等效原理图如下面所示:
    在这里插入图片描述
    当有Vin时,S不开,电容充电,电荷保持,后面的mos管导通;当vin为0时,二极管截止,s导通,电容放电,后面的mos截止。
    实际在应用时一般用下面的原理图:

原理是:当副边变压器上正下负时,VD1不通,VS1,VS3都导通,使得VS2关闭;当副边变压器上负下正时,VD1通,VS1,VS3都不导通,VS3的DS两端的电容使得VS2导通。VS3的DS两端的电容容量的大小决定了VS2导通的时长。但导通的时间过长,会引起VS1,VS2同时导通,环流会烧毁器件。
在这里插入图片描述

3.2 外部驱动

外部驱动是用外部的驱动电路来对SR进行驱动,为了保持同步,这个驱动信号一般由主mos的驱动信号进行控制。
特点如下:

  • 控制时序精确,效率高
  • 电路复杂,成本高
    以正激式同步整流为例说明。采用SP6012控制整流管和续流管。控制的额原理是,通过检测整流管Vds两端电压的斜率控制Vgs导通点,通过预判两VDS时间差,决定Vgs关断时刻,而续流管Vgs与整流管的Vds同步。
    在这里插入图片描述

参考文献:
《现代高频开关电源技术及应用》
《正激电路中同步整流的分析》

### 反激变换器波形分析 在反激变换器中,通过观察不同位置的关键信号可以深入了解其运行状态。这些关键信号包括输入电压、电流波形以及输出电压和电流波形。 对于初级侧而言,在开关导通期间,能量被储存在变压器的磁芯里;而在开关断开瞬间,存储的能量则传递到次级侧给负载供电。因此,可以看到Vds(即MOSFET源极至漏极间的电压)会在开关关闭时迅速上升并保持在一个较高水平直到下一个周期开始[^3]。 ```matlab % MATLAB代码用于绘制理想情况下的VDS波形 t = linspace(0, 1e-4); % 时间向量 fsw = 50e3; % 开关频率设定为50kHz duty_cycle = 0.5; % 占空比设为50% v_in = 360*sin(2*pi*60*t); % 输入交流电压有效值假设为360Vrms v_out = zeros(size(t)); for i=1:length(t) if mod(i/fsw,duty_cycle*fsw)<=(duty_cycle*fsw)/2 v_out(i)=0; else v_out(i)=max(v_in); end end figure; plot(t,v_out,'LineWidth',2); xlabel('Time (sec)'); ylabel('Voltage (V)'); title('Ideal V_{DS} Waveform of Flyback Converter'); grid on; ``` ### SR同步整流电路设计与调试 SR同步整流技术旨在提高效率,特别是在低压大电流的应用场合下表现尤为明显。它采用低导通电阻的MOSFET代替传统的肖特基二极管作为整流器件。为了实现有效的同步整流控制,通常需要检测辅助绕组上的感应电压来决定何时开启或关闭SR MOSFETs[^2]。 #### 设计要点: - **选择合适的MOSFET**:应考虑耐压等级、最大允许功耗等因素。 - **优化栅极驱动电路**:确保快速可靠的切换动作,减少死区时间以防止直通短路现象的发生。 - **合理布局PCB走线**:降低寄生参数影响,特别是高频操作条件下可能引起的额外损耗。 #### 调试建议: - 使用示波器监测各节点波形,确认实际工作状况是否符合预期理论模型预测的结果。 - 对于初次尝试者来说,可以从简单的实验平台起步,逐步调整参数直至获得满意性能指标为止。
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