文章介绍了BJT与MOSFET（NMOS,PMOS）在电路设计中四种常见的配合方式，包括NPN+PMOS、PNP+PMOS、NPN+NMOS和PNP+NMOS的电路结构与工作原理。重点讨论了这些组合如何控制MOSFET的导通和闭合，以及在电源控制和电流方向上的考虑。同时，提到了MOS管的导通电阻与温度的关系以及并联MOS管实现电流均衡的策略。
各位同学大家好，欢迎继续做客电子工程学习圈，今天我们继续来讲这本书，硬件系统工程师宝典。上篇我们说到场效应管的原理是通过“监测”栅极和源极间电压来实现控制漏极-源极之间电流的目的。今天我们来讲讲场效应管如何和BJT搭配设计控制电路。
在电路设计中，一般BJT会配合MOSFET来实现MOSFET漏极和源极之间的导通和闭合，BJT和MOSFET常用的配合有四种，分别是：NPN型BJT+增强型PMOS、PNP型BJT+增强型PMOS、NPN型BJT+增强型NMOS和PNP型BJT+增强型NMOS。
NPN型BJT+增强型PMOS
NPN型BJT+增强型PMOS适用于控制信号是高电平时，控制电路如下图所示：
NPN型BJT+增强型PMOS控制电路
上图电路中，PMOS的源极S接Input信号端，漏极D接电路后面的负载。一般在电源控制电路中，Input为某一电平的电源，Output是另一个需要时序控制的电源，受Enable信号控制，此电路在很多电子系统上电时序控制的电路中应用广泛。
该电路的工作流程：当Enable控制信号为低电平时，此时Q1处于关断状态，集电极和发射极处于断开状态。那么，Q1的集电极通过电阻R1上拉到Input高电平，同样U1的栅极为高电平，Vgs没有满足导通条件，PMOS此时处于关断状态，Output没有信号输出。当Enable控制信号为高电平时，
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