硬件基础知识
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若忘即安
视频编码压缩、硬件工程师
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一文搞懂磁珠!
电感滤波将电能转换为磁能,磁能通过两种方式影响电路,一种是重新转换成电能,表现为噪声,另一种方式为向外部辐射,表现为 EMI。标称阻抗 100R@100MHz,在100MHz频率下,磁珠的阻抗是100R。阻抗越大,抑制噪声的效果越好。当磁珠的温度超过 85℃时,它的额定电流也会急剧下降,因此在使用磁珠时,务必关注磁珠的温度做降额处。,噪声的频带范围要大于转折点的频率,磁珠呈阻性,吸收噪声并转化为热能;,信号频带的范围要小于转折点的频率,磁珠呈感性,从而减少信号的衰减。不同的信号经过磁珠时,表现的阻抗不同。原创 2024-04-17 05:45:00 · 350 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂USB!
mbps指的是每秒传输的比特数量(Mbps=Mbit/s即兆比特每秒),MB/s指的是每秒传输的字节数量,1Mbps等于每秒传输1,000,000比特(1,000,000 bps)。因此,1MB/s等于每秒传输1,000,000字节(1,000,000 Bps),或者8,000,000比特(8,000,000 bps)因此mbps和MB/s换算比例为8比1,也就是说8mbps等于1MB/s, 1Mbps =0.125MB/s。3、Micro 类型:更加小的,叫做 Micro 微小的。使用半双工的差分信号。原创 2024-04-15 10:00:00 · 416 阅读 · 0 评论 -
MII、RMII、GMII、RGMII、SMII
数据位宽4bit(一个时钟周期里上升沿取TX\RX的0-3bit下降沿取TX\RX的4-7bit所以其实还是在一个时钟周期里卖取了8bit数据)(Medium Independent Interface,媒体独立接口)、基本的100Mbps10Mbps接口、16根线。10Mbps是利用10个周期采样一次数据相当于10Mbps=12.5MHz*(8bit/10bit)在MII基础上精简100Mbps/10Mbps接口;10Mbps是利用10个周期采样一次数据相当于10Mbps=50MHz/10*2bit。原创 2024-04-15 10:00:00 · 438 阅读 · 0 评论 -
电路知识分享
在电阻、电容、电感并联电路中,出现电路端电压和总电流同相位的现象。其特点是:并联谐振是一种完全的补偿,电源无需提供无功功率,只提供电阻所需要的有功功率,谐振时,电路的总电流最小,而支路电流往往大于电路中的总电流。其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端子的开路电压,串联的内阻为内部所有独立源等于零 时两端子间的等效电阻。电流定律KCL:在电路中,任何时刻,对任一节点,所有流出节点的支路电流的代数和恒等于零。电压定律KVL:在集总电路中,任何时刻,沿任一回路,所有支路电压的代数和恒等于零。原创 2024-04-14 08:45:00 · 171 阅读 · 0 评论 -
熟悉数电知识
每当输入一个时钟信号,Q 就被置为 D 的原有值,同时 Q 值改变(D 也是如此)。时序逻辑电路:包含记忆单元,输出不仅与输入有关,而且与 之前的状态有关。竞争:在组合逻辑中,由于门的输入信号通道经过了不同的延时,导致到达该门的时间不一致。组合逻辑电路:不包含记忆单元,输出与输入有关,与之前的状态无关。将放大电路的前级输出端通过电容接到后级输入端,称为阻容耦合方式。:时钟上升沿到来之前,输入端数据已经来到并稳定持续的时间。:时钟上升沿到来之后,传输端数据保持稳定并持续的时间。消除:芯片外部加电容。原创 2024-04-14 07:30:00 · 201 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂PCIE!
RC接受来自CPU的IO指令,生成对应的PCIe报文,或者接受来自设备的PCIe TLP报文,解析数据传输给CPU或者内存。而 PCIe 3.0 的物理层协议中使用的是 128b/130b 的编码方案。重点在于描述物理层通信协议的速率属性,描述的是链路上传输的原始数据(单Lane的峰值带宽)。金手指(B 对应的是 RX) (A 对应的是 TX) 插槽 (B 对应的是 TX) (A 对应的是 RX)PCIe 通道是 PCIe 总线的组成部分,PCIe 总线包含一条或者多条 PCIe 通道。原创 2024-04-13 09:30:00 · 1461 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂DDR3!
同步是指其时钟频率与对应控制器(CPU/FPGA)的系统时钟频率相同,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。DDR3一次从存储单元预取8-bit 的数据,在I/O端口处上下沿触发传输,8-bit需要4个时钟周期完成,所以 DDR3 的 I/O 时钟频率是存储单元核心频率的 4 倍,由于上下沿传输数据,实际有效的数据传输频率达到了核心频率的 8 倍。是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。数据掩码,DM是写数据的输入屏蔽信号在写期间, DM信号被采样为高的时候,输入数据被屏蔽。原创 2024-04-13 08:30:00 · 714 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂交换机 MAC PHY 网络变压器!
STA(管理实体,⼀般为 MAC 或 CPU)通过 MII对 PHY 的⾏为、状态进⾏管理和控制,⽽具体管理和控制动作是通过读写PHY内部的寄存器实现的。RJ45 是布线系统中信息插座(即通信引出端)连接器的一种,连接器 由插头(接头、水晶头)和插座(模块)组成,RJ 是 Registered Jack 的缩写,意思是“注册的插座”。在以太网中只使 用了 1、2、3、6 这四根线,其中 1、2 这组负责传输数据(TX+、 TX-),而 3、6 这组负责接收数据(RX+、RX-),另外四根线是备用的。原创 2024-04-12 12:42:42 · 1129 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂OSI七层!
以太网规定,连入网络的所有设备,都必须具有“网卡”接口。每块网卡都有全世界独一无二的MAC地址,有MAC地址,就可以定位网卡和数据包的路径了。协议优点比较简单,容易实现,缺点可靠性较差,一旦数据包发出,无法知道对方是否收到。从一个用户的角度来自顶向下的过一遍,一个网络数据包的过程。网卡是计算机的一个硬件,当计算机需要发送信息的时候,通过网卡发送。可以通俗理解为一台配备有多个网卡的专用电脑,它让网卡接入到不同的网络中。是一个扩大网络的器材,能为子网中提供更多的连接端口,以便连接更多的电脑。原创 2024-04-12 12:41:34 · 902 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂AD/DA!
指由于 AD 的有限分辨率而引起的误差,即有限分辨率 AD 的阶梯状转移特性曲线与无限分辨率 AD(理想 AD)的转移特性曲线(直线)之间的最大偏差。一个4位的ADC,数字量最高可以表示2的4次方也就是16,满量程5V,那么最小的分辨率就是5/16=0.31V。以及编码电路,将输入的连续波形的模拟信号变换成间断的数字型号。指对于给定模拟输入,实际数字输出与理论预期数字输出之间的接近度(误差值是多少)换而言之,通常一个12位的ADC只能当作8-9位的理想ADC来用,8-9位就是ADC的采样精度。原创 2024-02-29 09:23:55 · 1538 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂交换机 MAC PHY 网络变压器!
STA(管理实体,⼀般为 MAC 或 CPU)通过 MII(MII Manage Interface)对 PHY 的⾏为、状态进⾏管理和控制,⽽具体管理和控制动作是通过读写PHY内部的寄存器实现的。主要负责控制与连接物理层的物理介质。一般的、系统中CPU和MAC以及DMA控制器都是集成在一块芯片上的,PHY包含大量模拟器件,而MAC是典型的数字电路,MAC集成进CPU而将PHY留在片外。1)封装网络层的数据,将数据封装为帧,实现帧同步对目标MAC地址和源MAC地址进行处理,对PHY传输错误时进行校准。原创 2024-02-29 09:22:35 · 823 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂EMC、磁珠、磁环、ESD!
是指当受到电磁强扰源所发射的电磁量的作用时,会受到伤害的人或其它生物,以及会发生电磁危害,导致性能降低或失效的器件、设备、分系统或系统。电容的频率和阻抗成反比,电容通高频。电感的滤波是反射式滤波。不同的信号经过磁珠时,表现的阻抗不同,选型时,通过示波器测量干扰频率,再选择此干扰频率下,阻抗较高的磁珠。不同的信号经过磁环时,表现的阻抗不同,选型时,通过示波器测量干扰频率,再选择此干扰频率下,阻抗较高的磁环。,信号频带的范围要小于转折点的频率,让信号的频带范围落于磁珠感性作用的范围内,从而减少信号的衰减。原创 2024-02-28 20:51:38 · 942 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂运放!
输入偏置电流 Ib、输入失调电流 Ios、输入失调电压 Vos、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)ΔVos/ΔT、电源电压抑制比 PSRR、共模抑制比 CMRR、 共模输入电压 Vcm、轨到轨、开环增益(Aol)、增益带宽积(GBW)、单位增益带宽、输入阻抗 Rin。IIR 滤波器:无限脉冲响应滤波器,有反馈回路,稳定性弱一点,取决于当前输入数据、历史输入数据、历史输出数据,存在一定时间延迟,没有 FIR 快,需要等待上一个 信号的滤波输出。实时滤波,不需要等待前一个信号的滤波输出。原创 2024-02-28 20:50:32 · 1348 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂晶振和锁相环
2. 晶振由石英晶体构成,容易受外力撞击或跌落的影响,所以在布局时,最好不要放在PCB边缘,尽量靠近 芯片摆放。)和输入信号(参考信号)之间的相位差,并转化相位差成正比的电压信号,经过低通环路滤波器对电压信号进行滤波出来。由于鉴相器输出信号是矩形波,高低电平之间存在突变,因此这里就需要加一个滤波器,使得信号变得很平滑。,用单位ppm来表示,即百万分之 一,是相对标称频率的变化量,此值越小表示精度越高。减小负载电容值,会使振荡频率上升。的输出,鉴相器会把两个信号进行比较,如果这两个信号存在相位差异。原创 2024-02-27 10:54:30 · 1238 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂DC-DC!
其驱动信号的频率与宽度都保持恒定,只是,当负载为最重的情况时,驱动信号满频工作,当负载变轻时,驱动信号就会跳过一些开关周期,在被跨过的周期内,开关功率管一直保持为关断的状态。,初级绕组 N1会产生反向的电动势,次级绕组 N2 上的电压极性也会发生相应的改变,从而使输出端整流二极管 D 得到正向偏置而导通,初级绕组里的能量将传递至次级,对负载端供电。当开关管关断时,输入的能量和电感能量一起向输出提供能量,因此这时候输出的电压肯定就比输入的电压高,从而实现升压。就是给 SS 脚接的电容充电,给内部参考电压。原创 2024-02-27 10:51:40 · 1859 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂LDO !
Start-up 时间是 IC 做死的,如果想要延时启动,最简单的办法是在 EN 上接一个大一些的电容到地,构成一个简单的 RC 电路。电容太小,电压跌落大,响应快。输出电流高,功率大;外围器件少,电路简单,成本低,负载响应快,输出纹波小;将采集的电压输入到比较器反向输入端,与正向输入端的基准电压(期望输出的电压)进行比较,再将比较结果进行放大;是指在给定负载变化下的输出电压的变化,这里的负载变化通常是从无负载到满负载。芯片的静态电流大小与其他性能成反关系,如低噪声,高电源电压抑制比,静态电流大。原创 2024-02-20 15:06:51 · 1870 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂电感!
电感与电容有本质的区别,电感是由线圈组成,是有一定的内阻的,不能作为电源的滤波器,但是电感作为储能元件,通常匹配电源转化芯片的输出电压,作为储能电感使用。当线圈通过电流后,在线圈中形成磁场感应,感应磁场又会产生感应电流来阻碍线圈中电流的变化,这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗,也就是电感,相应的器件成为电感器。磁珠是电容、电感、电阻的复合体,相当于三者的并联,主要场合是对某个频段的抑制,磁珠作用于高频,一般是。电感越小,谐振频率越高:电感越大,那么匝数越多,寄生电容越大,所以谐振频率也低。原创 2024-02-20 15:06:01 · 580 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂MOS管!
正接会导通,反接截止,对于NMOS,当S极接正,D极接负,寄生二极管会导通,反之截止;对于PMOS管,当D极接正,S极接负,寄生二极管导通,反之截止。3、MOS 管体二极管瞬间可以通过的电流,等于NMOS管导通后瞬间可以通过的电流,一般不会是瓶颈。MOS 管栅极很容易被静电击穿,栅极输入阻抗大,感应电荷很难释放,高压很容易击穿绝缘层,造成损坏。电容充放电,如果要求快速导通,驱动源提供大的驱动电流,提供电容大的充放电。有了米勒平台,MOS管的开启时间变长,MOS管的导通损耗必定会增大。原创 2024-02-07 11:06:49 · 1093 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂三极管!
放大倍数跟温度也是有较大的关系的,温度越高,放大倍数越大。也不会增大,超出了放大区,进入了饱和区。与二极管的正向伏安特性相同。【相当于水龙头开关不管用了】发射结反偏,集电结反偏。,集电极加反向电压导通后,收集由基区扩散过来的电子。发射结为0.6一0.7V。发射结正偏,集电结反偏。增大到一定程度时,再增大。发射区向基区注入电子,自由电子扩散到基极形成。当三极管的集电结电流。开关(截止区和饱和区)深度饱和电压很小,功率。原创 2024-02-07 11:01:11 · 466 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂二极管!
(当输入电压幅度大于二极管正向电压时,二极管导通,输出电压加在电容 C1 上,电容两端充电完毕,当输入电压幅值低于先前输入电压幅值时,二极管处于反偏截止状态,此时,电容两端的电压基本保持不变;,当两端高能量冲击时,它能以极高的速度使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上,从而确保后面的电路元件。当反向电压临近反向电压的临界值时,开始导通,反向电流骤然增大,称为击穿,反向电阻骤然降至很小值。TVS的 Vrwm越低,对应的钳位电压Vc越低,对信号的保护作用越好。原创 2024-02-06 16:55:07 · 1081 阅读 · 0 评论 -
一文搞懂电容!
缺点:体积大,耐温差(电解液挥发),阻抗大(发热,容量下降),温度范围窄,高频特性差(ESL大,谐振频率低,高频容量小)。当频率比较低的时候,两个电容都成容性,在频率比较高的时候,两个电容都呈感性,并联后总体阻 抗曲线都会保持原来的变化趋势,因此,数值上会比任意一个电容都小。音频的串联电容主要作用是隔直,容量越大,通过的音频范围越大,低音效果越好,ESR越低,对输出功率影响越小,效率越高。(交流电能通过电容,但是不同频率的交流电和不同容值的电容,通过时的阻碍是不一样的,把这种阻碍称之为容抗。原创 2024-02-06 16:51:13 · 1188 阅读 · 0 评论 -
电阻一文搞懂!
电流通过元件后引起温度升高,PTC的阻值会增加,阻值增加从而限制了电流的增加,周而复始,PTC充当的 是开关的作用。NTC热敏电阻的电路非常简单,因为NTC的阻值随温度升高一直在下降,用如下的电路将阻值变化转化为电 压变化,然后ADC采样,根据电压推算出温度。3、封装越大,额定电压升高。功率电阻后,由于有电阻的存在,电路中相当于电容串联了电阻,在刚充电的时候就不相当于短路了,所以尖峰也就不存在了。在频率小于f1时,呈现电阻特性,在f1和f2之间,呈现电容减少阻抗,频率大于f2 时,呈现电感增加阻抗的特性。原创 2024-02-05 14:02:53 · 757 阅读 · 0 评论 -
磁珠与电感的区别
磁珠是一种被设计成圆形或球形的磁性材料,通常用于电磁兼容(EMC)和射频(RF)电路中。这个磁场又与电流方向有关。电感的单位是亨利(H),而电感的大小与线圈的匝数、线圈的长度以及线圈中的材料有关。磁珠和电感都是电路中常见的元件,它们在电子设备和通信系统中扮演着重要的角色。本文将深入探讨磁珠和电感之间的区别,以便更好地理解它们在电路设计中的作用。因此,尽管它们有相同之处,但在实际应用中,选择不同的元件是为了最优化电路性能。在电感中,通过电流在线圈中产生的磁场,而磁珠则利用内部磁性材料来实现特定的电磁性质。原创 2024-01-31 08:53:05 · 539 阅读 · 0 评论 -
硬件基础知识-电机知识
步进电机存在空载启动频率,所以步进电机可以低速正常运转,但若高于一定速度时就无法启动,并伴有尖锐的啸叫声;在非超载的情况下,电机的转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数。给电机两根线供电,电机就可以旋转,给正电压,电机正转,给相反电压,电机反转;电压越大,电机转得越快,电压越小,转速也变小。是一种直流电机,有刷电机的定子上安装有固定的主磁极和电刷,转子上安装有电枢绕组和换向器。控制器:使用专用的电子控制器来监测和控制电机的转速、电流和方向。线圈电流方向的交替变化是随电机转动的换相器和电刷来完成的。原创 2024-01-24 14:40:25 · 1093 阅读 · 0 评论 -
AD/DA基础知识
DAC 中有使用恒定基准电压的,也有在基准电压输入上加交流信号的,后者由于能得到数字输入和基准电压输入相乘的结果而输出,因而称为乘算型 DAC。把输入信号幅度连续变化的范围分为有限个不重叠的子区间,每个子区间用对应的一个确定数值表示,其内的输入信号就以该数值输出,从而将连续输入信号变为有限个离散值电平的近似信号。一位 DAC 与前述转换方式全然不同,它将数字值转换为脉冲宽度调制或频率 调制的输出,然后用数字滤波器作平均化而得到一般的电压输出,用于音频输出等场合。并联比较型 ADC 的缺点是成本高、功耗大。原创 2024-01-24 14:37:27 · 1790 阅读 · 0 评论 -
RS232、RS485、RS422、CAN、USB
当多个节点同时向总线发送消息时,所发送消息的优先权高的那个节点获得总线的发送权。或称为比特率(和波特率不是一回事),表示的是:单位时间内,通信线路上传输的二进制位的数量,其基本单位是。位的位),所以一帧中包含了很多个位,由发送单元在非同步的情况下发送的每秒钟的位数称为位速率。逻辑0:输出A、B之间的电压差-3~-6V输入A、B之间的电压差原创 2024-01-23 08:47:50 · 1298 阅读 · 0 评论 -
EMC、磁珠、磁环、ESD
能量转换(消耗)器件,多用于信号回路,高频隔离,抑制差模噪声, 降低EMI辐射值, 吸收超高频信号, 象一些RF电路, PLL,振荡电路,含超高频存储器电路都有必要在电源输入部分加磁珠。不同的信号经过磁珠时,表现的阻抗不同,选型时,通过示波器测量干扰频率,再选择此干扰频率下,阻抗较高的磁珠。不同的信号经过磁环时,表现的阻抗不同,选型时,通过示波器测量干扰频率,再选择此干扰频率下,阻抗较高的磁环。当磁珠的温度超过 85℃时,它的额定电流也会急剧下降,因此在使用磁珠时,务必关注磁珠的温度做降额处。原创 2024-01-23 08:43:41 · 963 阅读 · 0 评论 -
硬件基础-OC门、OD门、开漏、推挽、图腾柱
几乎不在线性区域内停留,需要尽最大的可能去加快栅极的跳变沿,这就使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电,才能确保栅极电压以极快的速度跳变,由此所产生的栅极电流峰值甚至可以超过。其实就是影响了回路中的电流大小,上拉电阻过小,回路电流就越大,电流越大,功耗越大,甚至超过。图腾柱电路的主要作用,就是提升电流驱动能力,迅速完成对于门极电荷的充电或者放电的过程。,漏极开路门,和上面其实是一样的,只不过上面是针对三极管而言,,又称集电极开路,结合上面三极管的引脚很好理解,三极管的。转载 2023-12-22 10:37:14 · 1702 阅读 · 0 评论 -
硬件基础-DC-DC
电压 Vs 将加在变压器 T 的初级绕组 N1 上,并将能量储存在初级绕组中,初级绕组同 名端上为正电压,次级绕组的同名端和初级绕组相反,因此次级绕组输出的电压极性 将会使得输出端的整流二极管 D 截止,通过滤波电容 C 向负载供电;,初级绕组 N1会产生反向的电动势,次级绕组 N2 上的电压极性也会发生相应的改变,从而使输出端整流二极管 D 得到正向偏置而导通,功率开关管在导通的 时候存储于反激式高频变压器初级绕组里的能量将传递至次级,对负载端供电。因为二极管的电压降恒定,当流过二极管的电流很大的时候。原创 2023-12-22 09:15:00 · 884 阅读 · 0 评论 -
硬件基础-LDO
将采集的电压输入到比较器反向输入端,与正向输入端的基准电压(也就是期望输出的电压)进行比较,再将比较结果进行放大;稳压器输入变化对输出的影响,即在负载一定的情况下,输出电压变化量和输入电压变化量之比。型三极管的基极),从而这个放大后的信号(电流)就可以控制晶体管的导通电压了,这就是一个负反馈调节回路。是指在给定负载变化下的输出电压的变化,这里的负载变化通常是从无负载到满负载。芯片的静态电流的大小与芯片的其他性能成反关系,如低噪声,高电源电压抑制比,动态性能好的。正电压的器件较多,负电压的器件可以考虑。原创 2023-12-21 20:24:49 · 1120 阅读 · 0 评论 -
通信UART、I2C、SPI
由于波特率为 9600,时钟50Mhz. 因此我需要的计数为:50000000/9600≈5208。主设备通过发送时钟信号,来告诉从设备进行写数据或者读数据操作(采集时机可能是时钟信号的上升沿(从低到高)或下降沿(从高到低),因为。个数据位,然后校验位,最后拉高表示停止位,并且进入空闲状态,等待下一次的数据传输。有四种模式,后面会讲到),它将立即读取数据线上的信号,这样就得到了一位数据(,数据位为 8 位,无校验位。起始位:先发出逻辑0的信号,表示传输开始。数据采样是在上升沿,数据发送是在下降沿。原创 2023-12-21 09:05:58 · 441 阅读 · 0 评论 -
硬件基础-电感
当线圈通过电流后,在线圈中形成磁场感应,感应磁场又会产生感应电流来阻碍线圈中电流的变化,这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗,也就是电感,相应的器件成为电感器。①在频率比较低的时候,实际电感的阻抗与理想电感的基本一样,可以看作是理想的电感。比较 1UH 理想电感和实 际电感曲线,我们会发现,在频率小于谐振频率的十分之一时,两者基本是重合的。③在 SRF 左侧,电感占主导地位,电感主要呈感性,而在 SRF 右侧,电容占主导地位,主要呈容性。① 可以很容易的理解电感的频率特性曲线,电感在不同频率下的表现。原创 2023-12-21 09:02:43 · 1597 阅读 · 0 评论 -
硬件基础-MOS管
3、MOS 管体二极管瞬间可以通过的电流,等于NMOS管导通后瞬间可以通过的电流,一般不会是瓶颈。电容充放电,如果要求快速导通,驱动源提供大的驱动电流,提供电容大的充放电。增大栅极电阻器值会减小振铃电压,同时降低 MOSFET 的开关速度,从而增大其开关损耗。1、MOS 导通后电流方向其实可以双向流动,可以从 d 到 s,也可以从 s 到 d。2、MOS 管体二极管的持续电流可以根据MOS管的功耗限制来计算,实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,一个电阻的串联。级加上一个电阻,用来释放寄生电容的电流。原创 2023-12-20 09:00:00 · 1132 阅读 · 0 评论 -
硬件基础-三极管
放大倍数跟温度也是有较大的关系的,温度越高,放大倍数越大。发射结电压大于开启电压且集电结正向偏置,发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。发射结电压大于开启电压且集电结反向偏置。3.集电区收集由基区扩散过来的电子。2.电子在基区的扩散与复合;1.发射区向基区注入电子;集电结方向电压,漂移形成。发射结为0.6一0.7V。发射结加正向电压,形成。自由电子扩散到基极形成。开关(截止区和饱和区)深度饱和电压很小,功率。原创 2023-12-20 08:30:00 · 367 阅读 · 0 评论 -
硬件基础-二极管
扩散电容:当有外加正向偏压时,在 p-n 结两侧的少子扩散区内,都有一定的少数载流子的积累, 而且它们的密度随电压而变化,形成一个附加的电容效应,称为扩散电容。势垒电容:PN 结两端电压变化,引起积累在中间区域的电荷数量的改变,从而呈现电容效应,这个电容就是势垒电容。形成的势垒会非常的薄。3、半导体材料的载流子复合效率越低,寿命越长,电荷耗尽时间越长,反向恢复时间越长。1、反向电源电压越小,反向恢复电流越小,电荷耗尽越慢,反向恢复时间越长。2、正向电流越大,存储的电荷越多,耗尽时间越长,反向恢复时间越长。原创 2023-12-19 09:00:00 · 1130 阅读 · 0 评论 -
硬件基础-电容
如 47uF-6.3V-X5R 的电容,在 6.3V 电压处,电容量只有其 标称值的 15%左右,而 100nF-6.3V-X5R 的电容容值为其标称值的75%。瓷片电容、插件电解电容、贴片电解电容、钽电容、CBB电容、插件瓷片电容、(X电容、Y电容,属于安规电容,对功能没有影响,对性能没有影响)、穿心电容(EMC)。越高,容抗越小,所以说,电容通高频阻低频,高频信号的时候,电容的容抗小,低频信号的时候,电容的容抗大。在高频区间,电解液 和电解纸的阻值占主导地位,不再受频率的影响,因而 R 值趋于稳定。原创 2023-12-19 08:30:00 · 1038 阅读 · 0 评论 -
硬件基础-电阻
在高频下,寄生电感电流变化快,电感压降大,有电压。1、材质相同(厚膜)的额定电压,各品牌相差不大。2、材质不同,额定电压有差别,薄膜要比厚膜要低。回流焊机器主要是用来焊接贴片元器件的,波峰焊主要是用来焊接插件元器件的。,当超过其门限电压时,其阻值迅速降低,导通大电流,保护后级电路。有没有一种可能,就是当刚刚上电的时候,正好是正弦交流电压的峰值。,在刚充电的时候就不相当于短路了,所以尖峰也就不存在了。0402,0603封装的 要求功率高点的1206的。电阻是有额定耐压值的,不能超过额定耐压值使用,原创 2023-12-18 11:15:14 · 383 阅读 · 0 评论