摩尔定律一定会失效,因为物理规则和制造工艺不允许无限倍增而没有止境。
摩尔定律不是科学意义上的公理,它只是英特尔创始人摩尔的经验之谈,将其称之为“摩尔规律”更合适一些。
他认为:集成电路上可以容纳的晶体管数目大约每经过18个月便会增加一倍,因此处理器的性能每隔两年翻一倍,如此不断更新。
从1965年开始,如他预言般摩尔定律一直在兑现着性能翻番的神话,但是进入2010年代后,摩尔定律的脚步明显愈来愈慢。
在近10年内,它遇到过几次危机
10年前我们觉得65nm工艺是极限,因为到了65nm节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了HKMG,用high-k介质取代了二氧化硅,传统的多晶硅-二氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highK-单晶硅结构。
5年前我们觉得22nm工艺是极限,因为到了22nm沟道关断漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了finfet和FD-SOI,前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力,后者用氧化埋层来减小漏电。
后来我们觉得7nm工艺是极限,因为到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电,所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。
现在继突破5nm之后,台积电宣布2nm工艺获得了重大突破!它采用全新的多桥通道场效晶体管,又称为MBCFET架构,解决finfet因制程微缩