硬件工程师之电子元器件—二极管（15）之SiC肖特基势垒二极管(SBD)

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本系列文章主要讲解二极管的相关知识，希望能帮助更多的同学认识和了解二极管。

若有相关问题，欢迎评论沟通，共同进步。(*^▽^*)

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二极管

45. 宽带隙半导体

电子和空穴从价带跃迁至导带所需的能量即称为带隙。

硅（Si）的带隙为1.12eV（电子伏特）。具有较大值的半导体即称为宽带隙半导体。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）都是宽带隙半导体。

典型半导体材料的物理特性常数如表8所示。

由于宽带隙半导体的晶格常数较小，因此原子之间的键合强度变强。这意味着高介电击穿强度和导热系数。

4H-SiC的带隙为3.26eV，介电击穿强度为2.8×10(6)，与Si的3×10(5)相比，这是一个非常大的值。

图 84 宽带隙半导体

表 8 Si和主要宽带隙半导体的物理特性常数

特性	单位	Si	４H-SiC	6H-SiC	3C-SiC	GaN	GaAs	金刚石
带隙	eV	1.12	3.26	3.02	2.23	3.39	1.43	5.47
电子迁移率μ(e)	cm²/Vs	1400	1000/1200	450/100	1000	900	8500	2200
空穴迁移率μ(h)		600	120	100	50	150	400	1600
介电击穿强度E(c)	V/cm	3.0*10e5	2.8*10e6	3.0*10e6	1.5*10e6	3.3*10e6	4.0*10e5	1.0*10e7
导热系数λ	W/cmK	1.5	4.9	4.9	4.9	2.0	0.5	20
饱和电子漂移速度V(sat)	cm/s	1.0*10e7	2.2*10e7	1.9*10e7	2.7*10e7	2.7*10e7	2.0*10e7	2.7*10e7
相对介电常数ε	-	11.8	9.7/10.2	9.7/10.2	9.7	9.0	12.8	5.5

46. 浪涌电流的介绍

正向浪涌电流是最大额定值之一，代表正向瞬时电流。其主要用于二极管。非重复最大允许峰值电流是在指定结温下允许一个周期的50Hz正弦波形（导通角180度）正向流动的电流值。在产品数据表中，该值表示为非重复峰值正向浪涌电流（I(FSM)）。根据不同产品，采用浪涌特性曲线从1个周期到50个周期的浪涌电流。

碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）中，此结构已经过优化。其浪涌电流大于硅（Si）SBD，是直流额定电流IF（DC）的7至9倍。

图 85 浪涌电流

47. SiC肖特基势垒二极管(SBD)的温度特性

图86显示了碳化硅（SiC）SBD正向电压的每个温度的I(F)-V(F)曲线示例。在I(F)较小的区域内，正向电压（V(F)）随温度升高而降低；如为Si二极管（图87），当电流较大时，正向电压随温度升高而升高。

这种变化是由半导体电阻元件的热阻变化引起的。

具体涉及两个因素：

（1）电子通过晶格振动扩散；

（2）激励至供体电子的导带。

SiC等宽带隙半导体具有较强的键合力，晶格振动的影响比硅大。此外，由于带隙很大，因此供体比Si更难激励。对于硅二极管，温度系数在超过额定电流的大电流时发生反转。

因此，当Si二极管并联时，可能发生热失控。在SiC SBD中，并联连接相对较为容易。

图 86 SiC SBD

图 87 Si SBD

48. SiC肖特基势垒二极管(SBD)的热失控

由于SiC SBD的漏电流约为Si SBD的1/10，因此不太可能发生热失控。

对于传统Si SBD，有些产品即使在80%的额定电压下也有较大的漏电流，从热失控的角度来看这些产品很难使用Si SBD。

由于芯片材料（SiC）以及芯片设计优化（JBS结构：结势垒肖特基结构），SiC SBD的漏电流约为Si SBD的1/10。

漏电流在高温下增加。因此，如果热损耗（＝漏电流×外加电压）产生的热量超过包括封装在内的器件的散热性能，芯片内部温度会升高，最终导致热破坏。

49. SiC肖特基势垒二极管(SBD)的耐压

碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体。如下表所示，与硅（Si）相比，SiC具有高带隙、高介电击穿强度、高饱和速度等特性。

当对普通结构的SBD施加反向偏置电压时，耗尽层会从金属-半导体界面扩散。此时电场的图像如图88所示，介电击穿强度在金属-半导体界面处最大。介电击穿强度即电场的最大理论值，绝缘强度等于耗尽层宽度和电场所表示的三角形区域的面积。

由于SiC的介电击穿强度约为Si的10倍，因此可形成高耐压的SiC SBD。

图 88 电场图像

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