RCD的计算方法

最新推荐文章于 2024-08-13 12:34:48 发布

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RCD的计算方法
先上个RCD钳位的原理图

再上个MOS的VDS波形

下面再说几个名词，这几个名词其实大家也知道，一个是钳位电压，上边用Vsn表示;一个是折射电压，上边用VRO表示;还有个脉动电压，上边用ΔV表示;MOS管的最大耐压，上边用BVdss表示；电源的最高输入电压，上边用Vin Max表示。
1.钳位电压Vsn是电容C两端的电压，与选用MOS的BVdss及最高输入电压以及降额系数有关，一般在最高输入电压Vin Max下考虑0.9的降额，则有
Vsn=0.9*BVdss-Vin Max（我上边的实验选择的MOS为IRF640，BVdss=200V，Vin Max=70V）
可以算出钳位电压Vsn为110V
2.然后算折射电压VRO，根据VRO=（VOUT+VD)/（NS/NP）
式中VOUT为输出电压
VD为二极管管压降
NS为次级匝数
NP为初级匝数
我的初级NP为31匝，次级NS为10匝，管压降VD≈1V，输出电压VOUT=12V
算出VRO=（12+1）/（10/31）=40V
3.确定漏感量LIK，这个可以通过测试得出，我的实测了下为2.79uH；不过可以估测此漏感值，一般为初级电感量的1%-5%；
4.确定峰值电流IPK的值
输入功率PIN=POUT/Η，
式中POUT为输出功率
Η为效率
我的输出电压为12V，电流为3A，假设效率为80%；
代入式中得PIN=12*3/0.8=45W
算出平均电流Iin-Avg=PIN/Vin Min
式中Vin Min为最小输入电压
我的最小输入是40V，也就是1207的最低输入电压。
代入式得Iin-Avg=45/40-1.125A
确定峰值电流IPK=2*Iin-Avg/Δmax
式中Δmax为最大占空比
我的设的为0.5
代入式得IPK=2*1.125/0.5=4.2A
5.确定钳位电阻R的值，根据公式R=2（Vsn-VRO)*Vsn/LIK*IPK*IPK*Fs
式中Fs为开关频率
IPK*IPK为IPK的平方，俺不会写
我的频率Fs为50Khz
代入式得R=【2*（110-40）*110】/【2.79*4.2*4.2*50k】
R=27K
6.确定R的功率PR=Vsn*Vsn/R
代入数值得PR=110*110/27000=0.448W可以用1W的电阻
我手头没有1W27k电阻所以用个30K吧
7.确定钳位电容C的值
我们前边一直把C的点电压VC当成不变的处理，实际是有波动的，因为有漏感等杂散电感的影响，所有会有所波动，一般这个脉动电压ΔV取钳位电压Vsn的5%-10%，我们这取10%吧，所以ΔV=11V
钳位电容的值C=Vsn/ΔV*R*Fs
带入值得C=110/11*27k*50k=0.0074uF

这里我们选个C=0.01uF的也就是103PF的电容

反激式变换器中RCD箝位电路的工作原理

图为RCD 箝位电路在反激式变换器中的应用。

图中：V_clamp:箝位电容两端间的电压
V_in:输入电压
V_D:开关管漏极电压
L_p:初级绕组的电感量
L_lk:初级绕组的漏感量

该图中RCD箝位电路的工作原理是：当开关管导通时，能量存储在Lp和Llk中，当开关管关闭时，Lp中的能量将转移到副边输出,但漏感Llk中的能量将不会传递到副边。如果没有RCD箝位电路，Llk 中的能量将会在开关管关断瞬间转移到开关管的漏源极间电容和电路中的其它杂散电容中，此时开关管的漏极将会承受较高的开关应力。若加上RCD 箝位电路，Llk中的大部分能量将在开关管关断瞬间转移到箝位电路的箝位电容上，然后这部分能量被箝位电阻Rc消耗。这样就大大咸少了开关管的电压应力。

RCD 箝位电路的设计

在RCD 箝位电路中电阻 Rc和电容Cc的取值都比较大，因此，箝位电容Cc上的电压在每个开关周期不会有较大的变化，这样，我们可以用一个恒定值 Vclamp来表示箝位电容两端的电源。在此基础上我们可以按以下几个步骤来设计RCD箝位电路。

步骤一：确定箝位电压Vclamp