【嵌入式】入门笔记

第一章：方向、基础

说明：本笔记的原创视频链接是：视频去哪了呢？_哔哩哔哩_bilibili 和 哔哩哔哩上的Ele实验室的“编程前你最好了解的基本硬件和计算机基础知识(模拟电路)” 还有哔哩哔哩上的靠谱的Mic的“硬件设计零基础入门系列”视频，以及01-绪论_哔哩哔哩_bilibili 等视频整理而来。

一、嵌入式学什么？

1、基础元器件：懂基础元器件的原理，是构件电路的基础

2、构件电路图：就是用基础元器件搭建电路，就是用基础元器件手动连接的实际电路。

3、制作原理图：把搭建好的电路图转化为原理图，方便他人理解和制作，就是符号化的电路图，也就是电路图的图解/说明书。

4、电路使用构思：电路搭建好后，就可以通过电路进行构思，比如将发光二极管连接到单片机上，实现点灯、闪灯、流水灯等效果。然后在Arduino在线仿真电路平台，将电路使用构思进行实践，动手做实物，就是仿真，这时我们就可以接触到单片机了，利用单片机去控制一些外围电路，做一些实物。

• 实现中，如果电路出现问题，就要通过工具测量去改进电路，例如用万用表测量电路中的电流电压等、用示波器去研究学习电路元件的波形等。
• 此时你还要具备数电、模电基础，就是数字电子、模拟电子课程，因为你要深入理解逻辑、信号，这样你才能更加理解如何去使用引脚的一些逻辑运算、或者通过引脚去采集一些信号，去运放等。
• 你还需要具备C语言基础知识，因为在Arduino开发板上仿真或者51单片机、STM32里面都需要C语言。

5、单片微机：SCM-Single Chip Micro computer,又叫芯片，也叫单片机，是一种集成电路芯片，采用超大规模集成电路技术，集成到一块硅片上,就是一小块芯片，有的长方形有的是正方形，但都非常小，外边缘有很多引脚。集成电路就是将很多很多个各种与或非门等复杂电路集成到一个小小的硅片上，留出针脚，这样我们就可以通过编程的方式去控制这块单片微机，再去控制它的外围电路。这里涉及到芯片的生产制作加工。它起到一个核心的作用，比如用它去制作一个微控制器，就是通过芯片的电路去控制PCB板上的其他外围电路和一些接口。

6、PCB板：将需要连接的元器件导线，利用印刷方式印在一块环氧树脂板上，使电路微型化。就是元器件之间连接的导线，我们用印刷的方式印刷成一条条铜箔，代替导线。PCB板上有很多洞洞和引脚，这些洞洞和引脚就是用来焊接各种基础元器件，或者放芯片，就是把芯片的引脚通过焊锡的方式焊接在这些金色的铜箔上面。此外PCB板上还有一条条的电路，这些电路就是代替导线的，将电路微型化。我们是通过原理图进行PCB的连接。
元器件在PCB板上的连接方式、元器件在PCB板上的焊接方式。

• 此时你要有一些通用知识：
  比如：数制、地址、指针与变量、空间、强&弱电、触发器、寄存器等知识。
  你还要知道微机原理与接口：此时你会接触到汇编语言与8086处理器，以及各类接口技术。
  你还需要知道计算机组成原理：知道计算机系统的硬件组成、主要功能子系统的基本原理和逻辑设计。
  你还需要知道单片机原理及应用：可以基于最简单的51单片机来理解所有单片机的基础结构与实现控制原理。
  传感器的原理及应用：因为你认识单片机后，你要使用单片机和传感器之间的联系，来使单片机与外接进行交互，比如去做一个红外垃圾桶、温度传感器、超声波测距仪。
  此时你就可以上手使用STM32,STM32就是绝大多数单片机的原理及应用，看看说明书就可以直接动手实践。此时你的单片机学习就完全透彻了。下面就开始物联网学习，就是通过单片机与物联网芯片实现远程控制。就是通过网络让单片机与物联网芯片联通，实现远程控制，进而实现一个复杂的控制系统。此时还要学习协议、数据结构、算法，研究往年电赛题目。
  深入嵌入式部分是学习ARM+linux的学习。

7、嵌入式微控制器(MCU-Micro Controller Unit)：在单片机的基础上，添加各种外围电路与各类接口，满足控制要求。所以在微控制器上，我们首先要能看到一块单片微机，这个单片微机就是一个核心，这个核心可以控制PCB板上的外围电路和一些接口，就是控制手脚的功能。所以嵌入式微控制器就是在一块PCB板上的小芯片周围再集成一些外围电路。

8、人们口中的单片机：核心控制器为单片机的板子，即就是一个嵌入式的微控制器。也就是人们经常说的单片机是指微控制器。

9、嵌入式微处理器(MPU-Micro Processor Unit)：是高度集成的通用结构的处理器，具有诊断和运算功能。微处理器和微控制器不一样，微处理器是专注于诊断和运算的，就是处理诊断和运算数据的，比如电脑的cpu,就是一个嵌入式微处理器，当然，cpu和嵌入式微处理器还是有很多区别的。微处理器是处理数据的，微控制器是控制电路的。

10、片上系统(SoC-System on Chip)：SoC是一个专用目标、且包含完整系统并有嵌入软件的集成电路。可以理解成核心是一个人们口中的单片机+外围电路，再集成一个专有系统，比如手机主板，就是集成androw系统的手机主板，就是一个片上系统。就是把一个系统集成到一块小的电路板上。可以简单理解为：搭载了一个系统的一块电路板，比如手机主板就是一个片上系统。

11、可编程片上系统(SoPC-System on a Programmable Chip)：首先是一个片上系统，而且这个系统是一个自有系统，其次具有可编程的特征，就是可以通过编程的方式去控制外部电路，所以具有灵活的设计方式(就是可添加很多外围电路)。所以一个可编程片上系统既是一个控制器并且具有片上系统。就是一个片上系统被集成到一个小的电路上，还具有可编程的特性。比如如果你的手机已经被集成到androw系统上，如果你想再改变去进行编程就非常难，因为你已经无法去控制一些外围的电路和引脚。

小结：单片微机就是一小块芯片，这个芯片可以控制外围电路，这个小芯片是焊接在PCB板上的，各种外围电路以及各种接口都是印制在PCB板上，这个PCB板上的各种元器件和接口就被这个芯片控制。从而这个块PCB板就一个微控制器，通过这个微控制器就可以实现一些功能。或者说：微控制器就是一块板子，这个板子的核心控制器就是一个单片机。

12、嵌入式系统与电子工程(Embedded System & Electronics Engineering):嵌入式系统以应用为中心(就是为应用服务的、就是要干什么的)，以计算机技术为基础，软硬件可切割(比如增加或减少一个传感器)，适用于对功能、可靠性、成本、体积、功耗等有严格要求的特殊计算机系统。

• 从软件上说，往往把芯片不带MMU(内存管理单元，Memory Management Unit),所以不支持虚拟地址，只能运行裸机或RTOS(实时操作系统，如Ucos、huawei Liteos、Tr-Thread、Freertos等)系统，称为微控制器(如STM32、NXP LPC系列等)
• 如果芯片自带MMU就可以支持虚拟地址，可以运行Linux、Vxworks、WinCE、Android等'高级'操作系统，称为嵌入式。
  在某些时候，微控制器本身足够强大，可以用作嵌入式系统。它的开发和维护成本更低、难度也相对较小，特别是对于一些更有针对性的应用程序(比如测温枪)。另一方面，嵌入式系统在理论上更强大且应用更广泛，但更复杂且难以开发。
  嵌入式和单片机不是纯粹的硬件，他们是软件和硬件的紧密结合。所以要学习嵌入式和单片机，只知道数字电路和微机接口这些硬件知识是不够的，还要学习汇报语言、C、C++语言、数据结构和算法

• 知识点：MMU是一个计算机硬件，这个硬件连接在CPU和内存之间，负责CPU对内存的访问，也就是负责将虚拟地址(就是CPU对内存发出的取数地址)映射到物理地址(这个数在内存中的实际物理地址)。因为内存空间有限，有些程序很大不能完全加载到内存中，就会出现虚拟内存，当CPU给内存发一个逻辑地址，而这个逻辑地址对应的数据还没有在内存中，MMU就是负责高速内存这个逻辑地址对应的是哪个物理地址，如果内存没有，内存就去和磁盘交互信息，进而把这个逻辑地址对应的数据传回给CPU，让CPU运算。所以MMU是用来管理虚拟存储器、物理存储器的控制线路。一般MMU都集成在CPU里面了。就是CPU的执行单元发出内存地址，这个内存地址先被MMU截获到，MMU把这个地址翻译成物理地址，再把这个物理地址发送到CPU芯片的外部地址引脚上，然后再通过北桥总线传给内存芯片接口，此时内存芯片接受到的就是cpu给它发出的物理地址。
  MMU本身就只会做查表和地址转换，只要CPU发出内存访问指令，就会自动引发MMU做查表和地址转换操作。而MMU的查表和转换操作就是MMU这个硬件自动完成的，不需要指令控制MMU去做。而MMU的地址转换工作是通过页表来实现的，而页表又存储在内存中，所以在ARM中系统控制协处理器CP15的寄存器C2用来保存页表的基地址，就是通常有一个寄存器来保存页表的基地址，这个寄存器就是TLB。
  CPU访问内存的过程：
  a . 当CPU需要访问内存时，CPU将虚拟地址传给MMU,MMU先在高速缓存TLB(translation lookaside buffer)查找转换关系(地址变换条目)，如果找到物理地址就直接访问，如果找不到，就在内存中的地址转换表(translation table，也叫页表)里查找，并把相应的结果添加到TLB中。这样，当CPU下一次又需要该地址变换条目时，可以从TLB中直接得到，从而使地址变换的速度大大加快。
  b. 当内存中的页表内容改变，或者通过修改系统控制协处理器CP15的寄存器C2使用新的页表时，TLB中的内容需要全部清除。系统控制协处理器CP15的寄存器C8用来控制清除TLB内容的相关操作。
  c. MMU可以将某些地址变换条目锁定在TLB中，从而使得获取该地址变换条目的速度保持很快。在CP15中的C10用于控制TLB内容的锁定。
  d. MMU 可以将整个存储空间分为最多16个域，每个域对应一定的内存区域，该区域具有相同的访问控制属性。MMU中寄存器C3用于控制与域相关的属性的配置。
  e. 当存储访问失效时，MMU提供了相应的机制用于处理这种情况。在MMU中寄存器C5和寄存器C6用于支持这些机制。
  我们在程序中使用的变量和函数都有各自的地址，在程序被编译后，这些地址就成了指令中的地址，指令中的地址就成了CPU执行单元发出的内存地址，所以在启用MMU的情况下， 程序中使用的地址均是虚拟内存地址，都会引发MMU进行查表和地址转换操作。
  操作系统将全部的虚拟地址空间划分为用户空间(比如3G)和内核空间(比如1G)，还把用户分为一般用户和系统用户，所以有用户模式和特权模式。当CPU要访问一个虚拟地址时，MMU会检查CPU当前处于用户模式还是特权模式，访问内存的目的是读数据、写数据还是取指令执行，如果与操作系统设定的权限相符，则允许访问，把虚拟地址VA转换成物理地址PA，否则不允许执行，产生异常（Exception）。所以，操作系统有中断和异常，中断是由外部设备产生的，而异常是由CPU内部产生的，是由于当前执行的指令出现问题而产生的，比如你是用户权限你却要改写内存数据的异常操作。所以中断和CPU当前执行的指令无关，异常是CPU当前执行的指令出现问题。
  用户程序加载到用户空间，内核程序加载到内核空间，用户程序不能访问内核中的数据，也不能跳转到内核空间执行。这样可以保护内核，如果一个进程访问了非法地址，顶多就是这个进程崩溃，而不会影响到内核和系统的稳定性。在系统发生中断或异常时，不仅会跳转到中断或异常服务函数中执行，而且还会从用户模式切换到特权模式，从中断或异常服务程序跳转到内核代码中执行。总结一下：在正常情况下处理器在用户模式执行用户程序，在中断或异常情况下处理器切换到特权模式执行内核程序，处理完中断或异常之后再返回用户模式继续执行用户程序。
  比如一个段错误就是这样产生的：
  a、用户程序要访问的一个VA，经MMU检查无权访问。
  b、MMU产生一个异常，CPU从用户模式切换到特权模式，跳转到内核代码中执行异常服务程序。
  c、内核把这个异常解释为段错误，把引发异常的进程终止掉。

小结：

• 单片机就是一个集成电路的芯片，这个芯片能控制外部的一些器件以及进行逻辑运算，单片机小巧精致便宜稳定。
• 位、字节、字、码制、0和1就是高低电平，就是有无
• 单片机的核心CPU：CPU的架构与处理数据方式
• 存储器的结构形式：程序存储器、数据存储器
• 基础元件、逻辑知识：二极管、三极管、MOS管、逻辑门(与或非异或)、三态门、触发器、寄存器等基础使用原理
• 最小系统搭建：各引脚的基础作用、复位电路、时钟时序电路、EA片选的基础原理，才能搭建最小单片机电路
• IO口结构认知：单片机通用IO口的认知，比如P1口的8各引脚，每个引脚的结构，比如P3的引脚结构及复用功能，比如P2引脚结构和功能，地址高8位，比如P0地址低8位。以及在输出、输入、读锁存器、复用、地址等情况下的结构和控制。
• C语言学习：程序架构、变量、运算符、选择语句循环语句，函数体，指针与数组，还有51单片机固有的变量：bit,sbit,sfr
• 仿真、开发板：两个仿真软件Keil、Proteus联合仿真，通过Keil写程序，生产hix文件(这里不一定对，我就是听音写的)，上传到Proteus搭建的电路里面，进行联合仿真。如果要用别人已经弄好的开发板，就要学习STC-ISP的用法，将hix文件通过STC-ISP上传到开发板上，进行试错和调试，就完成了一个成品电路。
• 电工学-电路基础：不管是仿真还是实际出成品都要了解电路知识，至少要知晓电路组成结构及各部分作用，比如电源、负载、中间电路的作用。

IO口通用输出：学会用单片机进行点灯，然后制作流水灯，再用流水灯点亮8位数码管，以及让数码管显示数字，以及通过IO口输出控制电机的速率、蜂鸣器的响声等
IO口通用输入：用按钮实现比如键控流水灯；或者用矩阵按键减少IO口的数量，也就是用较少的按键去控制更多的IO口；或者用矩阵按键联动数码管
外部中断：利用外部中断实现即时控制单片机，因为单片机在循环时我们是无法去控制它的，此时可以用外部中断即时控制单片机；外部中断联合逻辑门实现多个即时控制
内部中断：利用内部中断的定时器或者计数器准确定时，比如万年历钟、脉冲计数。
内中断串口：就是串口通讯，比如两块或多块单片机联动，联动方式：串行&并行、同步&异步，还有4种工作方式
在单片机的端口不够用的时候，就要用串口
总线技术：总线原理(地址总线、数据总线等)、协议(sti,ifc)。我们要用锁存器&逻辑门拓展IO口，或者用其他芯片去拓展IO口，还有学习怎么用芯片去控制这些拓展的IO口，这些就是总线技术
外部模块使用：利用外部模块进行数模&模数转换、利用其他模块驱动大功率得接口技术，就是比如有一个大功率电器，我们如何用一个小小的单片机，用一个小电流去驱动大功率电器，这就是接口技术。
系统设计：提出想法-确定可行性-项目分工-软件硬件-联合调试-稳定性实践(比如被电磁波干扰失灵)-项目验收-批量化
建议接触其他板子比如STM32，物联网ESP3

二、电路仿真的4个软件

当你了解元器件的原理后，就要动手实操，才知道是怎么用的。

• 1、Hinkercad.com
  完全免费且有中文，只要注册即可使用。
• 2、Proteus.com
  正版价格高，是最常用的原理图仿真软件，还有PCB布线功能，功能极其强大。
• 3、Wokwi.com
  在线平台，完全免费但不支持中文，可以用代码修改大多数元器件的参数。
• 4、APP:EveryCircuit
  手机上的app,可以利用原理图直接在手机上实现仿真，形象简约并详细，黑色界面。

三、电路基础

• 电源：是将其他形式的能转换成电能并向电路(电子设备)提供电能的装置。电池、发电机都是常见的电源。
• 中间环节：将电源和负载连接成闭合电路的导线、开关设备、保护设备等称为中间环节。其作用是传输与分配电流的作用。
• 负载：常用的负载有电阻、引擎、灯泡、空调、电动机等可消耗功率的元件。作用将电能转换为光能、热能、动能等。
• 支路：电路中能通过同一电流(同一个电源供的电)的每个分支。
• 节点：支路的交汇处
• 回路：把能量利用以后的电流送回电源的导体线路。
• 电路：由电源、中间环节(金属导线、开关等元器件)、电器(负载)组成的导电回路整体。一个电路可以包含多个回路。

1、电源的有载工作状态：开路和短路
电源的有载工作是电源的正常工作模式，即负载做功、电源提供电能：P做功=I^2Rt , U=IR
电池本身也是含有一个很小的内阻。

• 电源的开路状态：即开关断开状态，此时电流为0、电阻等效无穷大、电源不做功。P=0,I=0
  开关两端的压差就是电源两端的压差。
• 电源的短路状态：即电流不经过任何电器，直接由正极经过导线流回负极，电源基本没有多大内阻，此时电池内部做功，所以发热量极大、特别容易烧坏电源，严重引起火灾、爆炸。由于电池正负极直接短接，所以外部U=0，P=I^2R, 其中，I趋近无穷大，R是内阻趋近无穷小，内部做功就接近无穷大。

2、电路的模型化/原理图化
电源正负极分别用Vcc(供电、端子电压)和GND(接地电压，电源的负极电压)代替，其他部件用符号代替，导线用直线代替。

第二章：电子元器件

这部分涉及到模拟电路。要知道一些前置知识：

• 电场力
  我们知道我们生活中的宏观物体，只要这个物体是有质量的，那么两个物体之间就有引力作用，这是牛顿发现的万有引力作用，这个力的大小是：
  F=G*m1*m2/r^2 ,其中G=6.67259x10^-11,r表示两个物体之间的距离。
  当我们把牛顿的万有引力套到微观原子电子上，就会发现这个力几乎为0，可以或略不计，那原子核怎么束缚电子绕它转动呢，此时就是一种新的力，叫电场力。现代物理学已经发现量子力学下的原子核和核外电子的概率云模型，这个模型可以更加精确的计算它们之间的力。

原子核和电子之间的作用力是电场力。因为原子核带正电，电子带负电，正电和负电之间会形成电力场，通过这个电场力，核外电子就围绕着电子做圆周运动。
这个电力场有个特性就是同性相斥异性相吸。所以带电物体之间就会出现吸引或排斥两种情况。

 

• 电流
  电流的形成要借助物质，因为物质由原子组成，原子由原子核和电子组成。当某种力，比如电场力施加在这个物质上，那么这个物质中的电子就会沿着这个力的方向运动，这种电子的流动我们称之为电流。
  那么谁能产生电场力让某些物质中的电子流动呢？比如电池就可以产生这种力量，电池的两端聚集了大量的正负电荷，所以电池的两端就有电场力，这个电场我们有时候就叫它电压。处于这个电场力量中的物质的电子就会形成电流，此时如果把一个金属物质放到这个电场下，这个金属物质就会出现电流。

 

• 那为什么金属可以出现电流，也就是出现导电性呢？
  这就涉及到导体和绝缘体。之所以有导体和绝缘体，是因为每种物质，它的原子核对核外电子的束缚力是不一样的，有的物质原子核对核外电子的束缚力小，此时这种物质的电子就容易逃离原子核的约束，如果此时我们在这种物质的两端稍加电场力，电子就轻易的挣脱原子核的约束形成电流。如果是木头、塑料，那它们的电子是很难挣脱原子核的束缚，你加很强的电场它也不导电。

• 电阻
  原子核对电子流动的阻力我们称为电阻。欧姆定律：R = U/I, 电压固定电阻越大电流就越小。

• 短路
  短路会发热-燃烧。什么是发热？发热是微观粒子的剧烈运动，当烧的发红的铁块接近我们的手指时，剧烈运动的粒子的震动就会撞击到我们的手指粒子，手就被烫伤了。所以热就是意味着粒子震动，震动本身就是热，冷就是不动或者震动的幅度小。
  所以两个物体碰撞就会产生震动，震动本身就是产生热。所以粒子运动越剧烈产生的热量越大。
  同理，电子运动越快，就是电流越大，电子和电子之间的碰撞、电子和电子核之间的碰撞就是越大，就会产生震动，震动越剧烈就会越热，所以就有焦耳定律：发热功率P=UI, 当电压一定的时候，电流越大，发热功率就越大。功率就是用来度量发热快慢的。

一、电阻

1、普通电阻的作用

• 串联限流

 

• 电源是普通的纽扣电池；负载是钨丝灯泡，电流通过钨丝，钨丝产生发光发热的耗能现象；
  电路中间是万用表，调到电流档，不串联电阻的时候是51.7mA毫安，灯泡发光。
  当串联一个电阻，灯泡稍微变暗，电流变为5.38mA
• 小结：串联限流：可以限制电路中的电流，电阻串联在电路中，可以防止电路中电流过大损坏器件，所以能起到限流保护作用

• 串联分压

 小结：串联分压，当供电电源电压高于负载所需电压，串联电阻进行分压达到额定电压。*

• 并联分流
  电路变成两条支路，电阻支路和灯泡支路。

  

• 灯泡支路的电流是47.8mA,总路电流是70.7mA，所以电阻支路的电流就是70.7-47.8=23mA
• 小结：并联分流：并联可以达到分流作用，即把总电流分成两份，一份流过电阻，一份流过灯泡。*

• 结论：
  电阻串联既能限流又能分压；电阻并联可以起到并联分流的作用；电阻丝还可以起到耗能做功的作用，就是发光发热、消耗电流用于负载

 2、电阻分类
电阻的宏观分类：固定阻值、可变阻值、敏感型

 

 

 3、贴片电阻
贴片电阻的特点：体积小，重量轻，阻值范围广，精度高，适应再流焊与波峰焊，电性能稳定，可靠性高，装配成本低，与装贴设备匹配，机械强度高，高频特性优越。
贴片电阻的用途：高端计算机，自动控制设备，通讯设备，工业设备，医疗设备，高科技多媒体电子设备，或者说就是经常用在PCB板上。一个遥控器、一个汽车钥匙等等里面都是有一个PCB板的。所以这些PCB板上也是有贴片电阻的。

上面的103贴片电阻的名称全称是下面的一行字母加数字，其中，S表示电阻的类型，如果是C表示碳膜电阻，S表示氧化膜电阻 

 

电阻阻值的计算： 

4、电阻的计算 

电阻存在于任何元器件中，电阻越大，对电流的阻碍能力越强，电阻越小对电流的阻碍能力越弱。
电阻是描述对电流阻碍能力的基本参数，可以是等效值也可以是实实在在的电阻。电阻表示的是电子脱离它原来材料的能力。比如锂电池就有一个拖欠和嵌入的过程，加入锂离子从电池内部离开到达电池负极，电子从电池正极的外部经过导线到达电池的负极，就可以等效成锂电池的内阻。感觉这块儿说得有问题！
电阻是功率消耗元件。

5、电阻的等效模型

 

图1是一个理想的电阻，实际中一个电阻是图2的样子，有寄生电容和寄生电感。如果我们不是搞超高频的信号频率的话，实际这些寄生参数对电阻影响不大。其中，两个L2表示引擎电感。中间部分实际上就是一个电感，因为电阻本身就有线圈电阻，就是线圈绕出来的，所以L1就是自感系数。有C1是因为，任何两个导体之间都会产生电容。C2是电阻两端，两端就相当一个电容。如果是一个高频信号，电流就不通过电阻了，而是再这个电阻的两端形成位移电流，通过位移电流来传递信号了。也就是要有极高的频率这个电阻才考虑等效模型。常规电路，它就是一个电阻，不用考虑等效模型。

小结：
虽然电阻的等效模型复杂，但是电阻的寄生电容和寄生电感都很小，一般还在超高频才会考虑，大多数应用不需要考虑。
电阻的常用接法有：上拉、下拉、偏置、限流、分压、分流、匹配、兼容预留设计
始终要深刻理解：电阻是对电流的阻碍能力，这意味着信号的建立速度。

 

二、开关&面包板原理

介绍日常使用的开关，以及这些开关在电路中的作用
1、开关有三种类型：

• 四角类的按钮开关
  这个类开关是上下联通，左右不联通。所以即使没有按下这个开关的按钮，左边的灯都亮。一直按下这个开关的按钮，所有的灯就亮了，右图。当松手不按开关，右边两个灯就灭了。

 

• 无锁&点动：用M代表，按下接通&松下断开，不能自行保持按下状态，松开会恢复原状态。
  也叫点动开关，经常用于单片机复位、按钮计数等这种只需要短时间的闭合、比如键盘就是按下在松开就复位了，就是点动开关或者无锁开关*

• 自锁开关
  这种开关和家里用的开关一样，按一下开关按钮，左边灯亮，再按一下开关按钮，左边灯灭
• 

• 自锁：用T代表，按一次开，再按一次关。灯的开关基本上都是使用自锁功能，可独立保持一个状态。

• 互锁开关
  没有按下任何一个开关是左图，按下左边开关是中间图，按下右边开关是右图

 这种情况下就是只有一个开关可以保持开的状态，就是按下右边开关，右灯亮左灯暗，按下左边开关，右灯灭左灯亮。就是只有一个开关保持闭合的状态。

这种开关组我们称为互锁，用L代表，当这一组开关有一个被按下时，与这个有互锁关系的其他开关都将断开，只能一个打开。
互锁主要用在，比如电机正反转，或者其他一些防止短路的电路里面用互锁开关。

• 小结

 

 2、面包板
面包板就类似于一个导线的作用。
这个板子最上面和最下面都有两排'-''+',就是上下都是全部把一整行的'-'都连接起来，把一整行的'+'也都连接起来；
中间分上下2部分，上下都是按列连接到一起。所以在这个面包板上的灯可以亮。

 

电流从纽扣电池的正极流到上面的绿导线再流到灯泡的正极引脚，再流过灯丝，流到灯泡的负极引脚，流到中间的绿色导线，再到电阻到下面的绿色导线到电池负极。

三、电感

电感也是电子电路设计中非常常用的元器件。
电容分析的是电场，电感分析的是磁场。像变压器就是磁相关的器件。

 电感是闭合回路的一种属性，是一个物理量，意思就是客观存在的是个属性没有原因。
当线圈有电流通过，线圈中就会生成感应磁场。恒定电流产生稳定磁场，变化电流(比如交流电，或者有涨落的直流电)产生变化的磁场。变化的磁场(注意这里是变化的磁场，不变的磁场不产生)又可以使处于该磁场的导体感生电动势。而这个感生电动势的大小与电流的变化率成正比，这个比例系数称为电感，用符号L表示，单位为亨利(H)。
电感分自感和互感。
自感顾名思义就是只有一个线圈，这个线圈通上变化的电流，变化的电流产生变化的磁场，变化的磁场使这个线圈自身产生感生电动势，而这个感生电动势的方向和线圈上原电流的变化方向是相反的，就是阻碍它变化，楞次定律，这就是自感。
互感顾名思义应该是有两个或多个线圈在一起，隔壁的线圈通电了，产生了变化的磁场了，这个变化的磁场影响到附近的线圈了，使附近的线圈也产生了电动势，也即是产生了电流。这就是互感。互感的大小取决于电感线圈的自感与两个电感线圈耦合的程度，利用此原理制成的元件叫做互感器。
所以自感是时时刻刻存在的，互感是得要两个或多个线圈才能互感。

• 通常我们电子电路设计考虑的都是自感，DCDC电源电感是自感、导线的和元器件寄生电感是自感，变压器是互感、串扰有互容和互感。
• 电感是无源器件，电能以磁能的形式存储，其输出的能量不会大于其存储的能量

电感分类：共模电感、差模电感、功率电感、滤波电感、插件电感、贴片电感。

 电感的等效模型
由于趋肤效应、临近效应以及铁芯的存在，电感在不同电流和频率下的情况差异较大。

 电感的使用

在电子硬件设计中用得最多的是在DC-DC电源中
电感是极具破坏力的，要小心电路设计中寄生电感以及感性负载。

四、二极管基础

1、爱迪生效应--电子二极管
灯泡通电后，灯丝发热发光，进入白炽状态，此时灯丝上的电子及其活跃，如果此时灯丝上面有个带正电的金属板，那么灯丝和金属板之间就会形成一个电场，灯丝中的电子就会被吸引上去，形成电流。反之，如果金属板带负电，就不会产生电流。如下图所示：

 

 这个效应就诞生了电子二极管，打开了世界电子工业的大门。

2、晶体管二极管
此后电子三极管诞生，后面讲三极管时再讲。再往后，人们发现电子管太大太容易烧坏，二战后三个退役士兵发明了晶体管代替电子管，从此世界工业进入了微电子化信息时代。但是电子管在今天仍在很多场景下有着不可代替的作用，比如，电子管拥有极强的抗电磁干扰，而晶体管就不行。此外，当温度发生较大变化的时候，晶体管也不行，此外，电子管的功率也是远远大于晶体管，所以有的大功率音响仍用电子管。

晶体管的发明来源于人们对微观粒子的研究：物质导电的原理是由于核外电子的移动，导体物质的容易产生核外电子移动，绝缘体不容易产生核外电子移动。
为社么？因为原子核最外层有8个电子是最稳定的状态。如果一种物质的原子核外面有1个电子，那么这个原子就急于摆脱原子核的束缚来达到稳定结构，如果最外层7电子的原子又渴望得到一个电子来达到稳定结构。所以如果这两种物质结合到一起不就带电了吗！
金银铜等物质最外层都是只有1个电子，都容易失去这个电子，所以是导电性能良好的金属。但是尴尬的是有的物质它的原子核最外层的电子是4个，就是既不容易得到也不容易失去，这就是半导体，硅si。

纯净的半导体，就是一块纯度很纯的硅叫本征半导体。此时如果我们在这些纯净的硅中参入一点点磷，磷最外层是5给电子，这样就相当于在原来最外层4个电子的基础上多出了一个电子，这个电子就会在这坨硅磷物质中到处跑，由于电子带负电，我们就将这个硅磷块叫做Negetive半导体，也叫N型半导体。同理，如果我们在一块纯硅中参入一点点最外层是3电子的硼，则我们可以想象着这块物质渴望得到一个电子来填充它的空缺，我们就可以想象这块物质中的正电子变多了，正就是positive, 积极的意思，所以就叫positive半导体，或者P型半导体。

此时我们把N型半导体(电中性)和P型半导体(也是电中性)对到一起，就产生一种扩散的力量：N型半导体的电子跑到P型中，N型中就出现了很多像P型中的空缺。这样N型半导体就带正电了P型半导体就带负电了。这样一块半导体带了正电，另一块半导体就带了负电，正负之间就带了电场。随着电场的建立，N区的电子再想去P区就不可能了，N区往P区扩散的电子越多，这个电场就越大，这时电场就不断地把试图扩散出去的粒子往回拉，往回拉的过程我们称为漂移过程。这两块半导体之间的电子漂移就以浓度差为后盾的扩散势力，和以电场力为后盾的漂移势力之间的一场争夺粒子的拉锯战。随后这两种力量就形成一种动态平衡。而这两种半导体之间的电场区我们就称为PN节。

此时我们给两块半导体通上电，当外加的电场和PN节的电场相同时，PN节的电场就被加强，两块半导体之间就断电了。如果外加电场和PN节的电场相反时，并且相反的力度大到0.7伏的抵消临界值时，PN节的电场就消失了，此时两个半导体之间的电子就不收束缚了，两个半导体之间就有了电流。这就是半导体晶体二极管。 

3、二极管应用
那么上面的二极管有啥作用呢？比如电子电路中经常出现的"整流"，就是把交流电整理成直流电，就是说电流只能一个方向走，不能反向走，就是通过上面的二极管完成的。
左1是一个二极管；左2是这个二极管的符号,左边是阳极，右边是阴极，阴极有一个类似挡板的竖线。 

二极管是一个单向导通的器件，电流只能从阳极流到阴极，不能反向流动。
也就是说电源的正极只能接二极管的阳极，也就是灰色部分多的那端，就是灰色部分多的那端只能接高电平。
电源负极接二极管的阴极，也就是二极管的阴极只能接低电平，这样才能导电，如果接反就不能导通。 

• 灯泡就不分正负极，就是双向都可以导通，或者看成一个普通电阻即可。而二极管是分正负极的，有白条条的一端表示负极。
• 二极管还有一个电阻的作用，就是它即使可以导通，但它还是有电阻的。

4、发光二极管
LED灯也是半导体，下图左边就是一个小LED灯，LED灯也叫发光二极管；右边是发光二极管的符号表示。

 

 

所以LED灯就分正负极，其中长引脚是正极也叫正极，长引脚一端又细又长；短引脚是负极也叫阴极，短引脚又短又粗。
所以发光二极管一是可以单向导通，二是有电阻的作用，三是它还可以发光。

• 单向导通：它具有单向导电性能，即给二极管阳极加上正向电压时，二极管导通。当给二极管加上反向电压时，二极管电压无穷大
• 发光二极管：除了单向导通外还会发光，也就是我们说的LED灯。

五、三极管：神奇的电流开关

1、电子三极管
在灯丝和金属板中间再放置一个金属挡板，就诞生了电子管的第三级，就是电子三极管 。

如果在第三极(中间的金属板)金属板通上正电，就会增强电场，从而增加电子的移动；如果通上负电，就会削弱电场，就会减小电子的移动。并且第三级的电压只要发生很小的变化，就会引起另外两级之间电流的巨大变化。这就是"信号放大"，这个功能对电子电路来说太重要了。比如无线电信号衰减太快就无法长途传播，如果加一个能够放大信号的电子三极管，无线电就可以远程传输了。再到真空电子三极管，就成了各种发明的基础器件。但是其缺点也初见显现，体型大，功耗高、很容易出现灯丝烧毁而失效。

2、晶体三极管

 

先来一个N型半导体，再装入一个P型半导体，再装入一个N型半导体，就物理上做好了一个三极管。 

 

 从三极管的剖面图可以看出：
中间2号P区被做的很薄很小，目的是不让它消化很多电子，就是不让它自然得到很多电子。
1号N区又故意参杂很多个最外层5电子的元素，就是故意让他能自然释放很多电子，也就是故意让它电子浓度很高。
这样一旦1号通负电，2号通正电，也就是1号2号通电了，1号中的电子就瞬间涌入2号，而2号又很薄，消化不了这么多电子，此时2号通正电，2号里面的电子瞬间就往正极上泄洪。此时1号半导体和2号半导体就导通了。
3号半导体又故意做得非常大，同时故意参杂较少的最外层5电子元素，使电子浓度比1号要低很多，这样2号在向小于0.7伏的正极泄洪的同时，也会向3号反向流到电子，而3号又通上了正电，那么3号收集到的电子就马上流入正极泄洪。这样2号和3号就导通了。也就是1号和3号通电了。
由于1号很薄，消费电子比较少，所以电流一般比较小，但是由于3号块头大，吸收电子能力强，所以电流一般比较大。所以2号极小信号的改变，就会导致1号电子涌入速度的巨大变化，从而引起1号和3号之间电流巨大的变化。这就是晶体三极管：

 

 

由于1号连接负极，主要功能是发射电子，所以称为发射极；3号的主要功能是收集电子，所以称为集电极；而2号就相当于一个阀门一样操作着原始信号，称为基极

3、晶体三极管的原理仿真
晶体三极管分2大类，一种是NPN型，一种是PNP型

 

NPN：利用B-->E的电流(IB)去控制C-->E的电流(IC),E极电位最低，且正常放大时通常C极点位最高，即VC>VB>VE (C:集电极，B:基极、E发射极)
PNP：利用E-->B的电流(IB)去控制E-->C的电流(IC),E极电位最高，且正常放大时通常C极点位最低，即VC<VB<VE

• NPN型三极管的原理仿真
  NPN型三极管是通过BE的电流去控制CE的电流，所以是通过基极到发射极 的电流 去控制 集电极到发射极 的电流

 左图：我们首先给集电极接入高电位，发射极接入低电位。此时我们要通过基极到发射极的电位差去控制集电极到发射极的电位差，所以我们现在给基极接上一个高电平，此时BE之间接通，出现电流，所以CE之间也接通也出现电流。此时电流从纽扣电池正极出发，一路走到C再到E再到电流表再到电阻再到电池负极；另一路从电池正极出发走过开关，走过B走到E(解释A)走到电流表走到电阻走到电池负极。

解释A：注意这里不从B走到C是因为B的电位比C的点位低，没法走，水往低处流，电流从高位往低位走
右图：假如我们现在把开关关掉，也就是B变成低电平了，也就是BE之间没有电流了，也就是B到E之间是截止的，此时CE之间就也不会接通，此时电流表就是0

• PNP型三极管的原理仿真
  PNP和NPN正好相反，PNP的发射极E接高电平，集电极C接低电平。

 

左图：此时我们是通过控制EB的电流，就是如果E到B之间有电流，E到C就导通了。所以此时我们给基极B一个低电平，这样EB之间就有电流了，此时EC就导通了
左图：假设开关断开，意思就是B接到了也是一个高电平，此时E和B的电平相等，E和B之间无电流，那么E和C之间就也不导电，电流表为0

小结：三极管是用电流控制电路的关断的，如果没有电流三极管就无法导电，就是断开的，如果发射极和基极有电流，发射极和集电极就是导通的。

六、电容

电容可以简单的理解成两个金属板平行放着，一个连接电源的正极一个连接电源的负极。
当我们刚连接的时候，因为电池的正负极电压差，上面的金属板里的电子被电池正极吸走，产生空穴而逐渐显正电性；下面金属板由于接电源的负极，电源负极有源源不断地电子输出，输出的电子逐渐堆积到下面的金属板上，从而使下面金属板逐渐显负电性。所以在上下金属板接通电源的一瞬间，电路中是有电流的，电流从上面的金属板流到电源正极，再从电源负极流到下面的金属板。所以直流电是无法在电容中持续产生电流的但交流电却可以。

 电容的定义是：电容器所带电荷量Q与电容器两极电压U的比值。就是表征相同的电势差下，存储电荷的能力。

理想的电容是不会有电流流过的，但是实际中的电容或多或少都是有漏电的，就是两个金属板中间是一些电解质，或多或少都有电子从负极漂移或者扩散到正极。
电容的充放电电流是由于电子在电容两极失去和堆积而形成的等效电流，也称位移电流，电子实际不从两级中间穿过。
所有电路使用的电容都是利用电容充放电的特性，只是因为实现的目的不同而取了不同的名字，比如去耦、旁路、滤波、储能灯。

电场是正电荷指向负电荷

1、电容分类
常用的电容有：陶瓷电容、电解电容、钽电容，它们的原理是一样，只是用了不同的材料和工艺，所以它们是有不同的特性的。
陶瓷电容没有正负极，电解电容分正负极，钽电容体积小容值大，但过压的话会有明火，电解电容过压会冒烟但没火，钽电容会爆炸、大火，很可怕。

2、电容的等效模型
为什么要有等效模型，那是因为世界上不存在理想元器件，元器件都存在寄生参数，也就是因为寄生参数的存在，使得元器件不能完全按照单个理想器件进行分析，需要利用电路分析原理去理解元器件。 

C：容值，就是存储电荷量的能力。电容的容值随着频率的增加而减小。
ESL：表示等效串联电感。电感的阻碍能力随着频率的增加而增加。电感是无处不在的，比如焊锡、引脚等都有电感的。
ESR：表示等效串联电阻，就是电容也是有电阻的。就是正常电路种这个电容的电阻能力。电阻是阻碍所有信号的。
IR、Rp：表示电容的绝缘能力，就是不断给这个电容加压的话，这个电容就被击穿，就是漏电，这个IR就表示这个电容随着电压的增加漏电越多，就是非正常情况下的最大电阻。为啥会被击穿？因为电容上下电压不断加大，电容上下金属板之间就会形成电场，这个电场的场强=电压/距离，当距离比较小时，场强是很强的，就被击穿了。
电容是用来滤波的，图2，左边是一个输入信号，信号经过电容滤波后再给到负载，这里的负载是灯泡，其实可以是任何输入端。
图3，如果我们给一个负载前面挂一个电容，那这个电路实际上是图3的样子的。
所以，一个电容的基本参数有：容值、电压(就是最大承压)、ESR、频率特性曲线。

3、陶瓷电容的特性

 

图1是一个陶瓷电容的频率相应曲线，从图中可以看到：随着频率的增加阻值变小，到达临界点后，频率再增加，阻抗就也增加。也就是说临界点前，是电阻特性，临界点后是电电感特性。就是说，频率小于临界值时，电容占主导，当频率达到临界值后，电感就占主导
图2是陶瓷电容的温度特性，比较稳定。
图3是电容的偏置效应，DC偏置电压。

七、三极管的应用--做一个喇叭，让手机里面的歌曲通过喇叭播放出来

• 一块普通的磁铁具有异性相吸、同性相斥的特性
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• 一个通电的导体会在它的周围激发磁场
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• 一个线圈通上电会产生和磁铁类似的磁场；如果线圈里面的电流时刻改变，那这个磁场也就会时刻改变
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• 喇叭的发声原理

如果往通电线圈中套入一根磁铁，那么两者的磁场就会相互对抗或者相互加成。如果此时再给线圈通上交流电，那么线圈和磁铁的磁场就会加倍的对抗或加成。对抗或加成就是二者之间产生力。如果此时把磁铁固定住，那线圈在磁场力(如果这个力足够大)的作用下，线圈就会上下运动。如果给线圈上安装一个薄片，薄片就跟随线圈开始上下运动，或者说薄片开始震动。震动就可以产生声音。而震动的波形电流就是一首音乐文件里蕴含的信息，这就是喇叭发声的原理。 

 

也就是说：我们手机里面的一首音乐，当我们播放这个音乐文件时，从我们手机的接口中，我们接受到的是这首音乐文件的电流，这个电流的大小是不断变化的，变化的波形就是这首音乐的声音，也就是我们把一首歌的声音保存成一个时序的变化的波形信号，这个波形信号又是有电信号存储和传输的。所以这首音乐从手机接口从出来时就是一个按时序按规则变化的及其微弱的一个电流，这个电流是有波形的，而这个波形正是音乐的声波波形。线圈接收到的就是一个按序的规定好的强弱变化的电流。这个变化的电流就让线圈产生变化的磁场，这个变化的磁场又和磁铁的磁场加成或对抗；磁铁一固定，这个加成或对抗的强弱就变成线圈的上下运动的幅度大小，再变成薄片的震动，再变成已经设定好的规律的声音，就是人耳朵听到的音乐。 

 

但是手机音频信号一般比较小，不足以使发声薄片产生大的震动，而声音的大小又是由振幅决定的，喇叭的核心就是把手机里面的微弱的音乐波形信号放大。放大就要用三极管。下面就是用一个三极管做的一个放大电路：

 图1：图1就是一个放大电路。三极管的发射极E连接电源的负极，用来发射电子；三极管的集电极C连接电源的正极，用来收集电子并向电池正极泄洪；而基极则连接信号，像阀门一样。图1中输入的两个点连接着输入信号。
图2：在图1的基础上串联一个Rc电阻。由于基极信号控制着集电极的电流而这个电阻恰好处于集电极回路上，根据欧姆定律U=I*R，所以这个电阻上的电压将产生和基极上电压一样的形状，只不过被放大了很多。同时，根据串联分压原理，这两个点的电压时钟满足：Uo=3v-Ur,产生和这个波形正好相反的波形，就是你强我就弱你弱我就强。

 但是这个电路还有问题！三极管要想工作，就必须要攻克基极和发射极之间的PN节，然后电子从发射极涌入，集电极收集释放到电源正极。而PN节的攻克电压一般最小是0.7V，但是输入信号很小一般没有0.7伏。所以单靠输入信号可能连三极管的PN节都攻克不了，三极管就无法工作。这种无法攻克PN节，三极管不导电的现象称为截止，此时我们就要从电压的正极引出一个导线接到输入线上，下图1：

但是图1有个致命的问题，当电源的正极直接连接到三极管的基极，这样三极管的发射极和基极之间等于加了3v的电压，远远大于0.7伏，发射极和基极之间的PN节完全被攻克，而且在这条回路上没有其他电阻，这条回路就是一条短路！你就别再指望电子还走三极管的集电极再到电源正极，此时电子直接走短路的路，三极管的集电极就根本收集不到电子。所以我们要在这个线路上再加一个分压电阻Rb，就是图2，此时三极管就进入正常工作状态图3。此时基极的信号电流和来自电源为了攻克PN结的初始电流在绿色箭头处回合，集电极则产生放大后的电流，然后被集电极上的电阻给转换成输出电压，图4。

说明：如果Rb电阻太小会怎么样？太小的话，这个回路中的电流就会很大，因为I=U/R，也就是三极管的发射极发射太快了，以至于集电极根本来不及收集电子，此时即使集电极的信号也加入进来，集电极的电流都不会再发生变化了，集电极已经饱和了，所以Rb的大小选择非常重要，Rb大小的选择可以参考三极管的特性曲线：

 但是此时这个电路还是有问题的！一开始电源通过电阻Rb就直接进入信号发射端里了，信号发射端就是手机或者电脑接口！意思就是在两节电池的正负极分别扯出一根导线去往手机接口里面接！这是不行的！所以此时我们需要加一个电容，这个电容就可以阻止这个回路往信号发射端里灌入电流，同时还能接受输入信号的电流。

至此我们得到了一个相对靠谱的三极管放大电路了，就可以开始电路焊接了！ 

八、MOS管：场效应管，神奇的电压开关

MOS场效应管结构图如下：

 一大坨P型半导体，上面装两小块N型半导体；最上面1，2，3是金属，半导体和金属之间的蓝绿色薄层是二氧化硅，二氧化硅是绝缘体，所以2号金属和半导体之间是隔离的，1，3号金属直接和N型半导体是接触的。
当1号、2号金属通负电3号金属通正电，由于P型半导体和右边的N型半导体之间的PN结是N指向P的，所以此时外加电场和PN结电场一致，所以外加电场不仅不能攻克PN结还加强了PN结电场，此时是不导电的，也就是MOS管处于关闭状态(图1)。如果此时给2号金属通上正电(图2)，2号金属和它下面的P型半导体就形成一个类似电容，P型半导体的电子就聚集到2号金属板下面，此时2号金属板和P型半导体之间就形成一个局部电场，此时P型半导体顶部局部的电子浓度较高，就开始扩散，由于右边N型半导体又连接着正极，电子就迅速流向右边N型半导体，并流向电源正极，而1号金属又通着负电，所以1号的电子就在2号的控制下源源不断地流向3号。

• 所以2号像一个栅栏一样，控制着1号和3号之间的通断，所以2号称为“栅极G”。源源不断提供电子的1号称为“源极S”。收集电子的3号称为"漏记D"。
• 所以栅极的正负控制着电路的通阻。如果正电为1负电为0，那么栅极上的0or1就控制着电路的一切。而0和1就是计算机科学开始的地方。
  场效应管目前已经成为各类门电路、集成电路、芯片的基础结构。

MOS管分：N沟道mos管和P沟道mos管

N沟道mos管：漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立
P沟道mos管：漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时导电沟道建立

下面是一个Nmos管，漏极D接电源正极，源极S接电源负极，用一个滑动开关先把栅极接正极，此时电流从D极流过S极，电路有电流(图1)。当滑动开关向右，Nmos管的栅极G接电源负极，此时电路断开，无电流，下图2。

下面是一个Pmos管，漏极D接电源负极，源极S接电源正极，用一个滑动开关先把栅极接正极，此时电路断开，无电流，下图1。当滑动开关向右，Nmos管的栅极G接电源负极，此时电流从S极流过D极，电路有电流(图2)。 

下面是三极管和mos管的区别： 

上面图1，我们转动上面的原表，电流表的电流大小回跟随变动；图2，我们转动上面的圆表，电流表的数字一直保持不变。
前面讲三极管做一个放大电路的时候，讨论过三极管上串联的电阻的大小选择，当时说的就是如果三极管的基极进来的电流如果过大的话，就短路了，电子就不走发射极到集电极的回路了。但是mos管是电容原理，就是看电容的大小来决定导不导通的，所以不看电流是看电压的。

• 所以二极管是通过方向来控制电流的；三极管是通过电流来控制电路的关断；mos管是通过电压来控制电路的关断的。
• 所以三极管也叫电流开关，mos管也叫电压开关。

 

第三章：元器件电路搭建

一、点灯电路&原理¶

暂时这么多了。。。。