【模电】常用半导体器件

教材《模拟电子技术基础》董诗白 华成英主编；上海交通大学 郑益慧主讲

由半导体现象产生半导体技术，于是就有了半导体材料，我们用半导体材料构建半导体器件，比如当前的二极管、三极管、场效应管，由于场效应现象、放大作用、开关作用，一方面这些器件可以做出分立元件的放大电路，就是大功率、大电流，比如大电源、大变换器等，这个方向是电力电子；另一方面是将这些器件的体积做得越来越小、功率越来越小，到现在的所有的元器件都做到一块半导体上，就是集成电路，就是集成运算放大器，这个集成运算放大器的特点就是负反馈，学会应用这些负反馈就会用运放了，会运放就可以处理信号了，比如加减乘除积分微分、以及信号发生、发生各种波形、可以滤波、放大等，放大还有频率效应，放大随频率变化而改变，这些都是微电子技术，主要用于信号处理。
比如一个很小的集成电路，假如就用若干个晶体管组成的电路，实现以电子信号为基础的与非功能的与非门电路，这个单个的逻辑器件就是我们当今信息电子时代中数字电子技术中最基本的元器件。很多个与非门就是一个组合逻辑电路，还有时序电路，再把时序电路和组合逻辑电路综合一起就是CPU，然后加入指令集就构成计算机的底层，上层就是开发操作系统和应用软件。
模拟信号和数字信号之间的桥梁是ad-da转换器。

第一章：常用半导体器件

一、基础知识

1、半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。直白的说，就是说它导电它也不导电，说它绝缘吧它也可以导电。
导体一般就是金属类的，外层空间电子很少，容易脱离原子核的束缚，形成自由电子。绝缘体外层空间电子比较稳定。
半导体一般都是硅、锗等4价元素，或者是金属氧化物、金属硫化物等材料。
2、本征半导体：是一种纯净的半导体，具有晶体结构的半导体。半导体一般都是4价元素，4价元素最外层电子是4个电子，所以这种元素容易和其他元素形成共价键达到8个这种相对稳定的结构，所以它们一般呈晶体结构，如下：

价电子是不会导电的，导电靠的是自由电子。那半导体怎么导电？半导体这种材料靠什么来承载电流？承载电流的粒子是什么？也就是本征半导体中的载流子是什么？半导体的载流子是怎么产生的？
如果不是在绝对零度，粒子都有热运动，有热运动价电子就容易脱离共价键的束缚，变成自由移动的自由电子，同时这个共价键的位置上就留出一个空穴，这个过程叫本征激发。那本征激发出来的自由电子就可以导电了。只不过本征激发出来的电子非常少。所以半导体的电阻也是非常大的，也是很难导电的。
此外，空穴也是可以导电的，因为空穴带正电，就有吸引电子的电场力，当一个空穴吸引了附近别的价电子，或者吸引了一个正在自由移动的电子，这个过程叫复合，那这个被吸引的电子原来作为价电子所在的位置就变成空穴了，也就相当于空穴移动了，也就相当于空穴也导电了。
所以在本征半导体中有2种载流子，一个是空穴，一个是自由电子。
自由电子是带负电的，空穴就类似带正电。
所以本征激发、复合、温度等因素决定了这个材料的导电能力。如果温度一定，都是常温，那半导体材料的导电能力就取决于激发和复合的平衡，激发和复合平衡后就是这种材料的载流子浓度决定了它的导电能力。
那除了温度外，这种材料的载流子浓度高低的调整又可以通过：在本征半导体中参入少量的其他元素来调整它的载流子浓度。所以就有了P型半导体和N型半导体。

3、N型半导体：在本征半导体中掺入磷P，磷是5价元素，由于掺入的磷非常少，所以半导体的晶体结构还是存在的，只是少量原子的相邻位置上是由磷原子替代的，这些少量位置上的共价键就是硅原子和磷原子之间的共价，但是磷原子有5个最外层电子，所以很容易就有1个电子变成自由电子。所以虽然是掺入少量磷，但只要掺入一个磷原子就多一个自由电子。此时这个参杂的半导体的导电性能就百万倍的提上去了。
自由电子是多数载流子，称为多子。空穴称为少子。
N型半导体很容易产生自由电子，所以N型半导体的载流子多数是自由电子，所以N型半导体的N是Negtive的意思。
温度对多子影响较小，甚至可以忽略不记，因为多子材料中本身的自由电子就非常多，温度升高激发出来的那点本征激发的自由电子相对就非常少，所以多子对温度不敏感。但是温度对少子影响非常大，少子对温度非常敏感，因为少子就是空穴多，温度稍微一上升，空穴就会捕捉电子，就发生类似空穴的移动。所以如果某个半导体它的特性和少子有关，那这种材料对温度非常敏感，如果这种材料有多子的特点，那这种材料的导电性就和温度不太相关。
磷元素多出来的一个电子一旦成为自由电子，同时这个磷原子也就是变成了带正电的磷离子了，但是这个带正电的磷离子是不能导电的，因为磷元素被本征半导体固定在晶体格中是不能自由移动的，所以这个磷原子称为施主原子

4、P型半导体，P是Positive, 多数载流子是空穴，是在本征半导体中掺入硼B，硼最外层电子是3个，是3价元素，所以掺入几个硼元素就多几个空穴。
所以N型半导体、P型半导体的导电性能较本征半导体都提高了非常多倍。

5、PN结：把P型半导体和N型半导体放一起，多子就会发生扩散运动，少子就会发生漂移运动：

扩散和漂移运动动态平衡后，就产生一个空间电荷区，这个区域称为耗尽层或者阻挡层，也叫PN结
如果两边的载流子浓度一样，这个PN结就是一个对称结，如果浓度不一样就是一个不对称结。
所以有PN结的半导体就又从导电变成了不导电了。所以不同于电感、电阻、电容，有PN结的半导体具有单向导电性。

图1，当外电场V从0开始提升，提升到某个数之前，都是不导电的，称为死区，当V大于某个数时，突然导电，并且随着电压上升，电流随电压呈指数级增长。
Ge锗半导体的临界数是0.2-0.3伏，S硅半导体的临界值是0.6-0.7伏。
图2，PN结越来越厚，这个半导体就是几乎不导电的。但也是有微安级的电流的，因为此时导电的载体是少子，是少子的漂移运动产生的电流，这个电流非常小，可以忽略，但这个电流对温度比较敏感，这个电流叫反向饱和电流。

6、PN结的电流方程

Is是反向饱和电流
UT是温度当量，在室温下UT是26mV毫伏
U是PN结上外加的电压

7、PN结的伏安特性：一是，正向是指数级的关系；二是，正向最开始的时候是死区；三是，导通电压和基材有关，硅是0.7伏，锗是0.3伏；
四是，反向有一个反向的饱和电流Is，锗管的反向电流比硅管的大得多；
五是，反向电压超过一个临界值时，反向电流也开始指数级增长，叫反向击穿，反向击穿有两种：

第一种是雪崩击穿，雪崩击穿是一种链式反应，就是从一个很小的力开始，然后越来越大，很快就是排山倒海。发生雪崩击穿是本征半导体中参杂浓度较低的情况下才发生的。因为参杂浓度低，晶格结构比较整齐，此时当外电场和内电场一致，并且外电场电压还越来越高时，也就是PN结越来越宽时，就是外电场极大的加强了内电场，此时PN结就变成了一个粒子加速器，当一个粒子进去后被加速，这个加速的粒子就会碰撞到别的价电子，别的价电子就被碰成自由电子，这个自由电子也被加速，就碰撞出更多的自由电子，此时PN结就被击穿。雪崩击穿是需要粒子加速，但是温度越高，原子震动越大，所以粒子更容易被阻挡，所以要加速粒子就更需要高电压了。所以雪崩击穿是温度越高，电压也要越高才会发生。

第二种是齐纳击穿，齐纳击穿是PN结参杂浓度较高的情况下，晶格结构不规则，PN结中的通道较窄时，只要加了不大的反向电压，就在内电场和外电场一致的作用下，通道内的电场强度就可达到非常高的数值，这种很强的电场强度可以把阻挡层内中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为场致激发。由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。这种击穿通常称为齐纳击穿。所以温度越高，齐纳击穿所需的电压越低。因为齐纳击穿只是将价电子拉出来，温度越高价电子越容易拉出来。

但是不管是哪种击穿，都会产生热，热就是做功了，做功=UI,就是I方乘以R，当热没有到PN结变形烧坏时，就是硬件没坏时，这时就产生一个很大范围的电流，但是这个大范围电流对应的电压变化很小，也就是反向电流的最左边，这个性质可以用来做稳压二极管，就是不管电流多大，电压都几乎不变。
所以我们可以通过控制本征半导体参杂浓度高低的工艺来控制反向击穿电压的大小，做出不同电压的稳压二极管。比如用浓度较低的参杂半导体做一个高压二极管，用浓度较高的参杂半导体做一个低压二极管。

8、PN结的电容效应
当PN结加反向电压，且没有反向击穿时，此时PN结本身可以类似一个电容，一边看作是电容的正极板一边看作是负极板。
电容的本质是：当电容两端的电压变化时，电容存储的电荷量也发生变化。但是对电容来说ΔQ/ΔU等于一个常数，但是PN结两端的电容和电压不成线性关系，并且PN结中的电容是发生在势垒里面，所以叫势垒电容，所以PN结中的势垒电容可以做一个可变电容器件。
随着反向电压越大，势垒电容就越大，下图1。 

 

当PN结加正向电压时，并且正向没有导通时，此时PN结的两端可以类似一个电容，这个电容的大小就和外加电压的大小相关，外加电压越大但依然小于导通临界值的情况下，PN结外端，一边聚集了更多的空穴，一边聚集了更多的自由电子。此时的器件可以看成一个扩散电容 。
所以扩散电容是非平衡少子和电压之间的关系构成的。上图2：当电压是0时，P区空穴的浓度线是1号线。当电压上升到2时，P区空穴的浓度是2号线，表示带正电的电荷量增加。同理当电压下降到3时，P区的空穴浓度是3号线，表示带正电荷量减小。下面的x轴是P区的长度，就是离耗尽层的距离。

二、二极管

1、半导体二极管
直白的说，半导体二极管就是把PN结给包起来，从P和N分别引出两个级，就是一个二极管。

• 二极管的外形：
•  二极管的结构，点接触型和面接触型：

 此时就出现集成的雏形了：

 

 比如上图就是一个半导体基片，在这个基体上可以制作多个PN结，并且每个PN结可以不同，比如后面两个就是一个三极管了。上图就是把两个二极管和两个三极管都集成到一个半导体基片上。之后随着集成电路的扩大，就成了我们今天的各种电子产品。

2、二极管的伏安特性：

 

二极管只是个封装了的PN结，所以二极管的伏安特性和PN结的伏安特性几乎是一样的，不同之处只有：一是封装的时候一般都会再在里面N区端加一个很小电阻，所以二极管有一个体电阻；二是封装的壳是金属壳，所以会有一个表面的、很小的泄露电流。所以，一是在相同的电压下，二极管的电流比PN结要小；二是二极管的反向电流要大一些。

3、二极管的温度特性：
当温度升高时，正向特性向左移，反向特性向下移，看上图。
因为温度高时载流子的活性都增大了，所以温度高时，相同电压下，电流就会大。而温度升高时，反向电压中的少子特性更明显，所以反向饱和电流就往下走。
在室温下，温度每升高1摄氏度，正向压降2-2.5mv；温度升高到10摄氏度，反向电流增大一倍。
Uon是正向导电导通电压，这个电压意味着二极管正向导通了，所以这块我们就可以实现整流了，就是你进我二极管的电流只能是正向的，而且电压还必须大于我这个开通电压，你电流才能从我二极管上面通过，这就实现了整流。
同理，反向饱和电流，就是U(BR)前面这段特性，我们可以做一个便宜的温度传感器，这个老师做过一个以二极管为温度传感器的电子体温计。二极管后面跟个电桥，再做个压频转换，用个单片机加个显示器，就是一个便宜的体温计。
同理，反向击穿处的特性，我们可以做一个稳压器，前面有详细分析。
同理，正向导通处Uon后面也可以做一个稳压器，但是正向和材料关系非常小，不管参杂浓度是多少，基本就只有一个临界点，比如0.7伏，所以只能做一个稳定在0.7伏的稳压器。如果我们想要一个2伏的稳压器，我得做三个正向的稳压器，然后把这三个串联起来。但是在反向处，我们只要调节半导体的参杂浓度，不同参杂浓度下它的击穿电压不一样，所以在反向电压处我们可以根据不同的材料做比如1伏2伏3伏5伏10伏等等不同电压的稳压器。

4、二极管的主要参数

 

5、二极管的等效电路
等效模型有外特性等效模型和物理特性等效模型。这里我们都用外特性等效模型。
因为二极管的电阻是非线性的，我们就用线性元件的电路模型来等效表示二极管的非线性。下面是由二极管的伏安特性折线化得到的等效电路： 

 所以:
a图就是理想二极管模型，就是只要电压到达临界值，二极管就立即单向导通，导通后电压变化相对于电流变化可以忽略不计。
b图多了一个开通电压，就是一个理想二极管+一个开关，这个模型我们用得最多。就是一旦这个二极管导通，通过这个元件的电流的压降不变，就是0.6-0.8之间，就是0.7伏。假如加入外接电压是10伏，那通过这个二极管后，电压就维持在0.7伏左右不变。
c图又多了一个电阻，那是因为，当电流大到一定程度，电压也是要增张的，不是一成不变的一直维持在0.7左右。
上面三个图都是假设在直流的情况下的等效电路
所以直流电路二极管的等效电路是： 

 

所以是在不同时候，我们用不同的等效电路。
所以在a图的等效模型下，电路中的电流是V/R
在b图等效模型下，电路中的电流=(V-Uon)/R,此处就默认V比Uon大
在c图等效模型下，当V小于Uon,电流=0；当V小于Uon，电流=(V-Uon)/R

所以我们可以延申出下面的电路：

• 电路1：
  图1：Us是一个交流电源，这个电源的电压波形是右边的正弦波形，R是一个电阻，再串联一个二极管(导通电压是Uon)、一个直流电源(电压是U1)，U0是输出端开路，是开路电压，那么U0的波形是什么？

 二极管正常工作就是正向导通、反向截止(这里暂且不考虑反向击穿的情况)，那么输出U0就是这两种状态下的输出。
假设Us从0开始沿正弦波上升，当Us小于U1时，二极管是反向加压的，二极管截止，二极管截止，电流为0，此时U0=Us
当Us继续升高，且Us小于U1+Uon时，二极管正向加压，但还没有突破PN结，电流为0，此时U0=Us
当Us继续升高，且Us大于U1+Uon时，二极管正向导通，此时U0=U1+Uon
所以U0的波形就是图2，图2就是一个限伏电路，是用一个二极管来限制电压幅值。这里利用二极管的两个特性，一个是二极管的单向导电性，另一个是二极管一旦导通，它的导通电压几乎不变，或者是变化很小。这种限伏电路在保护电路里经常使用。就是当一个电路的输入不允许超过某个幅值时，我们就用限伏电路。

• 电路2：
  下面这个电路里面放的是一个理想二极管，就是不用考虑二极管的导通电压，那么这个电路就是：当电压为正时，电路导通，当电压为负时，电路中断。所以开路电压就是右图。

 这个电路把反向电流消除了，这就是整流。

• 电路3：直流电压源和一个非常小的交流电压源同时作用二极管电路

 

上面这个电路Ui是一个小交流，但是特别小，假设Ui是10mv毫伏，而二极管的导通电压假设为0.6v。就是二极管的导通电压是小交流电压的60倍。现在我们想让这个10mv通过二极管，然后我们在R上读出这个10mv的小交流电压信号。但这是不可能的！因为PN结打通的电压是这个小交流的60倍，此时电路是不导通的，所以我们无法读出这个小交流信号。此时我们就需要用一个直流电压源先把二极管打通，电路通后再读小交流，电路如下： 

 

当大的直流电压源把二极管打通后，就是二极管处于正常导通状态后，那小交流信号的大小怎么计算？计算过程如下： 

 

当我们给定一个二极管，这个二极管的正向导通伏安曲线就确定了，在这个伏安曲线的正常导通状态段上，U和I是大直流和小交流的叠加，所以小交流就是ΔI和ΔU，而ΔI/ΔU是可以算出来的，就是伏安曲线某点的斜率，并且ΔU/ΔI=二极管的等效电阻rd： 

而我们可以根据伏安曲线的公式求导： 

所以： 

这个结论也说明二极管在正常导通时，它的等效电阻是一个动态的，这个动态电阻的大小和UT(温度当量，它是随温度变化的)相关，和ID电流(就是小交流加进的静态点，就是大直流的电压)相关。
说明：假设没有小交流，假设温度当量也不变，大直流电压的动态变化才有的的二极管伏安曲线。所以当大直流定下来，温度也不变，二极管的等效电阻就定下来了。
小结：对于同一个二极管，如果它在不同的大直流下工作，此时我们再加入相同的小交流信号，此时所产生的交流电流信号是截然不同的。如下图所示： 

 

这个结论也是显而易见的，当我们用不同伏安的大直流让二极管正常导通(正常工作)时，从伏安曲线上也可以看出，此时二极管的电阻(U/I)是不一样的,所以再加入相同的小交流所产生的交流信号也是不同的。

所以：当我们分析一个二极管上的小交流的相应，我们必须两步走，第一步，明确二极管是工作在什么样的直流环境下，因为直流的状态直接决定了后面我们加入小交流后信号响应。第二步才是分析交流电路。

6、二极管的微变等效
二极管的微变等效就是上面的第三个电路：

 

 小结：我们的目标就是想知道二极管两端的小交流电压在二极管两端产生的电流之间的关系。所以我们要知道二极管的等效电阻。而要知道二极管的等效电阻就要知道大电流，UT除以大电流就是等效电阻。而大电流可以估算出来，就是大直流电压-二极管pN结电压除以电阻。这就类似于把二极管的伏安曲线坐标轴移到正常工作区，我们先求出在正常工作区的哪个点ID，这个点确定了，我们在这个点上加入小交流，看这个小交流在二极管通过端产生的电流大小。

 

7、稳压二极管的伏安特性和等效电路
二极管的反向特性基本上都是用在稳压上。
二极管是可以工作在反向击穿状态下的。二极管反向击穿后，在一个很大的电流变化范围内，二极管的输出电压变化很小，可以近似不变，所以二极管反向击穿可以起到稳压的功效。而且反向击穿的电压临界点是随着材料变化而变化的，比如参杂浓度低的二极管它的反向击穿(雪崩击穿)电压就比较高，我们可以做高压稳压管。比如参杂浓度高的二极管的反向击穿电压(齐纳击穿)比较低，就可以做低压稳压器。而正向导通时，不管是什么参杂浓度的二极管，它的正向导通电压基本都是0.7(以硅基参杂为例)，所以用正向特性做稳压器的话，稳压器的电压就非常有限。
说明：当二极管反向击穿时，并不代表二极管损坏了，但是一旦温度达到一定临界值，出现了热击穿，或者说是二次击穿，那这个二极管就是坏了，不可逆的烧坏了。
所以稳压二极管一是要能通过大电流，二是一定要注意散热。散热可以通过不同的封装方式来实现。

稳压二极管本质还是二极管，当正向电压小于0.7，截止，就是不导电；当正向电压大于0.7，正向导通；当反向电压小于反向击穿临界值时，截止，反向截止的，不导电的；当反向电压大于反向击穿临界值时，稳压二极管处于正常工作状态，反向导通。

 

 

一般情况下，6伏以下齐纳击穿多，6伏以上雪崩击穿多。所以小于4伏的就基本都是齐纳击穿，所以对于小于4伏的反向击穿，温度每上升1度，稳定电压反而下降，所以此时的温度系数阿尔法是小于0的。所以大于7伏的反向击穿，一般都是雪崩击穿，此时的温度系数为正，就是稳定电压也越大，因为温度越高，雪崩击穿的难度越大。
参数Iz:稳压二极管要正常工作，那通过稳压二极管的反向电流一度要大于Iz，否则二极管是在临界区工作，在临界区上，电流变化很大，电压也跟着变化很大，这时稳压器是不稳定的。所以稳压器要正常工作，首先要使两端电压大于稳定电压，同时要电流大于Iz，当然还有小于最大稳定电流，否则如果散热跟不上，就烧毁了。

• 稳压二极管的使用

 

 上图：电路中，直流电源是10-12伏的，稳压二极管的Uz是6伏，此时我们一定要串联一个分压电阻R，如果没有R，电路一接通就烧坏了，因为稳压二极管的击穿电压在6伏附近，你一下给10-12伏，电流就超级大，一下子就烧坏了。
比如当直流电源从10伏增加到12伏，此时稳压器电流迅速增大，此时R分压就迅速增大，所以稳压器两端的电流始终保持在6伏附近一点点。也就是说当稳压器两端的电压在6伏附近变化一点点，电路中的电流就有非常大的变化，分压电阻R就会大大变化去分压，所以稳压器两端的电压才稳定在6伏。

 Uz=6V, R=0.2k欧，RL=0.8K欧姆，求Idz?
IR=4伏/0.2k欧=20mA，IL=6伏/0.8K欧姆=7.5mA,所以Idz=20-7.5=12.5mA
但是如果R电阻很大，RL电阻很小的话，就是给稳压器并联一个很小电阻的器件，那此时就很容易造成稳压二极管就没被反向击穿，是反向截止的，也就没有给其并联的器件进行稳压。

三、三极管

三极管又称双极管，双极晶体管，BJT,Bipolar Junction Transistor,也叫双载子晶体管，因为导电离子有两种极性，也就是空穴和自由电子都参与导电。

1、三级管的几种常见外形

 

 2、三极管的结构图、原理图、符号表示

发射区emit，发射载流子的区域，所以发射区的参杂浓度最高
基区base,控制区
集电区collector,收集载流子的区域，所以集电区一是不能参杂浓度过高，二是集电区面积要最大。
所以上面的图1中，发射区的参磷浓度要比集电区的参磷浓度高很多。
三个区域引出三个电极，图3。三个区域形成两个PN结，图2，图中箭头的方向是三极管导通的方向，从P到N正向攻破PN结导通，所以一旦箭头方向定下来，这个三极管就一定是NPN型。所以，不管是NPN还是PNP型，它的导通方向都是从P到N。前面我们学的二极管的正向导通也是从P到N，就是P级接电源正极，N级接电源负极。

3、三极管的重要作用：放大电流
三极管放大的是电流，现象是：假如三极管是NPN型的，当e接电源负极，就是有很多电子可以反向聚集在上面参磷浓度较高的N区，同时当c接电源的正极，就是三极管的参磷浓度低的集电区聚集了很多的空穴。但是它毕竟是一个半导体，电压又不是非常大的时候，它的电阻是非常大的，所以电子从e到不了c，就是ce之间不导电。但是此时只要给b极接一个仅仅比e高一点点的一个高电平，比如0.7v，把e和b之间的PN结打通时，就会有一个很小的电子流从e到b泄洪,但同时有一个大电子流(因为e处接的电压负极，电子大大的多)从e到b再到参磷浓度低的高浓度空穴c端泄洪到电源的正极了。

或者说：如果基极b有一个输入电流Ib进来，假设be之间的PN结攻克，那集电极c和发射极e的之间的电路就也导通了，假设导通电流是Ic，并且，Ic是Ib的β倍，其中β是一个常数，这个常数就是放大倍数。假设这个放大倍数是100倍，那如果Ib是10微安，那Ic就是1毫安。这种放大作用我们最简单的可以做成一个功率放大器，以声波为例，假如我们对着麦克风的炭网说话，声波震动炭网，震动变成非常非常微弱的电信号，这个微弱的小电信号就是一个非常小的小电流，让这个小电流接入基极，然后在c极变成一个放大的电流出来，放大的电流就变成了一个放大的功率，放大的功率就是一个放大的声音。但是能量是守恒的，所以使声音扩大的三极管是需要外部电源的，这个外部电源就是上面分析现象中说的e接电源负极、c接电源正极，这个外部大电源是支撑从b来的小信号变成大信号的能量来源。所以说，三极管也是一个控制元件，就是控制外部大电源e到c之间的电子流到的：当b不通电或通小于0.7v电压的时候，e到c之间是没电的，就等效于三极管是一个超大电阻，大到ec之间不能导通。但是一旦b电压超过0.7v时，这个三极管好像就变成了一个电阻很小的器件，ec之间马上通电流了。或者说，三极管就是控制大电源的器件，这个器件可以控制大电源的功率(或者说能量)，让大电源的功率跟着它跑。就是说三极管化身成一个可变电阻，电阻是阻碍电流的，阻碍电流就是做功，就是让大电源的做功跟着它走。所以Ic就是大电源的电流。所以我们人类可以通过控制Ib(一个小电流)来控制Ic(一个大电流)，而大电流可以做大功，可以干人类力气达不到的活。

但是，放大不能实真，就是我们小电流由低到高，那小电流控制的大电流也应该是从低到高，否则放大就实真了，就不可控了。那要不实真，就需要一定的条件，不同的条件有不同的放大效果：

• 从宏观上看：基本共射放大电路
• 

小电源VBB的作用是打通三极管的发射极和基极之间的PN结，所以小电源VBB的正极接三极管的基极(参硼P),负极接三极管的发射极(参磷多的N)。
Rb是限流电阻，它和三极管串联就相当于稳压二极管的电路，这样可以保证三极管发射极到基极之间的电压在0.7左右。此时上图中三极管的发射结正向导通的，这叫发射结正向偏置，简称正偏。所以当一个三极管发射结正向偏置时，就是我们给这个三极管的基极和发射极之间加了一个直流小电源。同理，当给这个三极管发射结加上一个反向的小直流电源时，这个三极管的发射结是截止的，此时我们称发射结反向偏置，简称反偏。
大电源VCC的正极是加在三极管的集电极(参磷少的N)，负极是接在发射极(参磷多的N)
所以对于一个三极管NPN来说，当小电源对应的发射极的PN结是正偏时，大电源对应的集电极PN结一定是反偏的。因为集电结的P区接的小电源的正极，而N区接的是大电源的正极，大电源的正极的点位一定高于小电源的正极，所以集电极PN结是反向接电的，所以是反偏的。
所以Ib小于Ic,Ic是Ib的β倍，所以这个放大的Ic其实也是大电源在做功，所以也就是我们用小电源VBB控制了大电源VCC的做功。

• 从微观上看：三极管内部载流子的运动与外部电流

 

所以当三极管的发射结正偏了后，就是这个PN结正向导通了，就是产生了自由电子的扩散运动(说明：PN结反向导通是空穴产生了漂移运动)，就是发射区(参磷浓度高的N区)的自由电子往基区(很薄的参硼P区)扩散了，就产生电流IEN和IEP(IEP是空穴漂移电流,IEP大小相对IEN近似忽略), IEN和IEP电流的大小和VBB的电压相关，VBB越大，IEN和IEP之和就越大。
扩散到基区的IEN和IEP电子，一小部分在基区直接复合泄洪了IBN，一大部分一是由于电子浓度差的原因扩散到集电区(参磷浓度低的N区)，二是更是由于集电极还接着电平更高的外电源正极，外电源正极对集电区的电子有极强吸引力，所以集电极可以快速收集基区的自由电子，所以基区的更多自由电子是从集电区的正极泄洪了，就是电流ICN。其中，IBN与ICN之间的比例就是β=ICN/IBN。
但是这个β是和基区自由电子往集电区扩散速度有关。一旦大电源的电平没有小电源的电平高，甚至低的话，就是一旦集电极PN结正偏的话，那发射区(参磷浓度高的N区)的电子和集电区(参磷浓度低的N区)的电子都直接从P极泄洪了。就是IB变得很大，而IC就近似0了。就是说：如果大电源的正极电平如果小于小电源正极的电平，三极管的发射极和集电极之间是不导通的，此时就不能控制大电源的负载了。
ICBO就相当于集电极PN结的反向饱和电流，这个电流也非常小。
所以IB=IEP+IBN-ICBO,IEP和ICBO相对于IBN都非常非常小，所以IB近似等于IBN

• 放大系数
• 共射放大系数β：β=ICN/IBN约等于(IC-ICBO)/(IB+ICBO)也约等于IC/IB*
• 交流电流放大系数：β=ΔIC/ΔIB*
  ICEO:就是当IB=0时，就是当基极开路的时候，三极管的发射极和集电极之间也有一个很小的电流，这个电流叫穿透电流
  ICBO:集电极PN结的反向饱和电流
• 共基放大系数α：α约等于IC/IE*=β/(1+β)

4、BJT共射特性曲线
BJT有三个极，所以它的特性曲线不止一个
我们要在BJT的基极和发射极之间做一个输入回路，在集电极和发射极之间做一个输出回路，因为我们用BJT的目的就是做一个放大电路，就是用输入小信号去控制输出信号的，所以输入小信号是控制IB的，IB经过三极管的放大作用去控制大的输出信号IC，然后大输出IC再转化成一个能量的输出。

• 输入特性
  所以输入特性就是研究：当UCC=常数时，IB与UBB之间的关系：

 纵坐标是IB，就是放大电路的输入小信号的电流
横坐标是UBE，就是放大电路的输入小信号的电压
曲线是UCE,是在不同的输出电压下。
就是这个电路在不同的输出电压下，输入信号的电压和电流之间的关系。
所以：输入特性曲线就是描述输入电压如何控制输入电流，输入电流再对应不同的输出电压。

• 输出特性
  输出特性就是研究：当IB=常数时，IC与UCC之间的关系,即：

纵坐标是IC，就是放大电路中大电源的电流
横坐标是UCE，就是放大电路中大电源的电压
曲线IB0,IB1,IB2,IB3,IB4是电路中不同的输入小电源的电流，也就是输入的小信号电流
这个曲线就是在不同的输入小信号电流下，放大电路中的大电源的输出电压和电流之间的关系。而这个关系正是三极管中集电极PN结的反向截止曲线。因为输出曲线的默认前提是三极管基极PN结是正向导通的，就是正偏的，集电极PN结是反向导通的，是反偏的。
IB0曲线对应的截止区，就是IB=0,就是三极管的基极PN结就没打通，是正向截止的，那集电结PN结自然也是反向截止的。此时只有一个非常小的电流就是ICEO，就是穿透电流，穿透电流越小越好，因为越小说明截止得越好。
而饱和区是IC不受IB控制，就是你控制小信号IB爱多大多大，我IC不受你控制。IC最大几乎就是VCC/RC。就是这个区域内，IC的最大值也是小于IB的β倍的，二者之间的关系没有固定系数。或者说这个区域内基极PN结是正偏的，同时集电极PN结也是正偏的，此时三极管的C和E之间的电阻就很小,三极管就类似是一个闭合的开关，导致C和E之间只有一个很小的饱和压降UCES，硅管是0.3v，锗管是0.1v，所以此时IC几乎就等于VCC/RC
放大区是基极PN结正偏，集电极PN结反偏，集电极收集电子，宏观上就是大电源电平要高，此时IC/IB=β

5、温度对三极管输入、输出特性的影响

前面讲PN结的温度特性时：在室温下，温度每升高1摄氏度，正向压降2-2.5mv；温度升高到10摄氏度，反向电流增大一倍。

6、光电三极管
等效电路、符号、外形

就是一个发光二极管+放大功能的三极管
发光二极管的光照和电路中的电流大小成正比，就是一个光电传感器
光电耦合器

四、MOS管

场效晶体管、场效应管、FET，Field Effect Transistor
现在在集成电路中，用得最多的是场效应管。因为这种器件功率小，不费电，所以可以大规模集成。
这种器件是靠电场效应来控制的。三极管是通过小电流控制大电流的，小电流也是电流，是要做功的，费电。而MOS管是用电场控制的，电场几乎是没有电流的，就是不做功的，或者说我的控制电路几乎是不做功的，控制电路消耗非常小。
三极管是多子和少子两种物质导电，所以温度稳定性要差一些，而场效应管只有多子导电，所以它的温度稳定性要好很多。
场效应管分结型场效应管和绝缘栅型场效应管，其中绝缘栅型应用的比较多，而且结型场效应管的很多特性是可以用绝缘栅型场效应管代替的。

1、绝缘栅型场效应管
又叫MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管，简称MOS管。在这个元器件的基础上人们又造出了CMOS电路，耗电量特别小
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),互补金属氧化物半导体，是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。制造技术和一般计算机芯片没什么差别,是电压控制的一种放大器件,主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置。BIOS设置里面就有一种叫CMOS设置。

• N沟道增强型MOS管：结构示意图、符号

 

衬底是一大块P型(参硼)半导体，左右两块小的N型(参磷)半导体，P的上表面是一层特别薄的二氧化硅绝缘体，并在中间贴一个极板，所以叫绝缘栅。
在衬底上接出一个电极B；中间接出一个电极栅极g，也叫控制极；左边接出一个源极s，也就是载流子的发源地；右边接出一个漏极d，也就是载流子的漏出处。
上图中两个N周围的是PN结。
g是单独在二氧化硅绝缘体上的，所以g上是没电流的。

知识点总结：
PN结正偏是PN结正向导通；也是P端接电源正极，N端接电源负极；P端参杂的是硼B，硼外电子3个，所以喜欢得到一个电子;N端参磷P，磷外电子5个，所以喜欢丢掉一个电子，所以PN结的交界处天然的就是P端带一点点的负电，N端带一点点的正电，并且这个带电是由于两端电子浓度和空穴浓度差引起的，所以当浓度差不存在时，也就是稳定后，就形成一个内电场，这个电场中由于P端带负电所以会排斥电子过来，就是N端的电子不准再过来，同理，N端由于带一点点正电，P端的空穴你不准过来(其实空穴是不会移动的，移动的都是电子，那空穴过来不过来的潜台词就是你N端的电子不准过去，N端就不会出现空穴，P端就也不会增加空穴，看似就好像是空穴不能过去，其实质都是电子的流动)。所以PN结没有外加电压时，PN结的内电场是阻止电子流动的，所以当外加电压没有内电场电压大的时候，PN结就不导电。当外电压大于内电场时，在电势的压力下就导电了。或者说，PN结正向导通就是加强P端和N端的天然属性，P端不是喜欢得到电子么，那就加正极，让你更喜欢，N端不是喜欢失去电子么，那就加负极，让你更喜欢失去，这样PN两端的天然属性就变得极其强烈，强烈到电子和空穴都突破了内电场的束缚可以自由移动了，就是电子突破了内电场的束缚都从N端移动到N端，就是没有了耗尽层，可以通电了！反之，PN结反偏就是减弱P端和N端的天然属性，P端喜欢得到电子，我就加负极，让你得到，你的天然属性就消减了，N端不是喜欢失去电子嘛，我就给你加正极，让你失去吧，你就不喜欢失去了，那么PN之间都没强烈的得到和失去的特性了，就是加强了内电场的方向，就是耗尽层更宽了，就是电子和空穴，内电场说不让你过来你就不许过来，你的能量太低了，你得听内电场的话，不许自由移动，那就自然不导电了，也就是耗尽层大大的宽，不许导电，反向截止！所以：正偏是加强喜好，让你通电；反偏是满足你让你减弱喜好，不让你通电。

• N沟道增强型MOS管：工作原理

 

说明：绝缘栅型场效应管有2种构造，一种是在出厂是就把源极S和衬底P接在一起，拉出一个极，栅极g拉出一个极，漏极d拉出一个极。另一种是出厂就是4个极，就是衬底P单独拉出一个极，此时d和s就可以互换位置，因为d和s之间没有区别了。

当d和s之间不加电压、并且只给g和其他极之间加一个电压Ugs时，此时衬底P的顶部，就是挨着栅极g的下面的位置上的空穴的本性就极大的加强了，就是更希望得到电子了，此时衬底P下面的电子就被上面的空穴吸收，上面的空穴就被填补上电子了，上面就形成了一个比不通电时自然形成的耗尽层的一个更大的耗尽层，就是上图左图。
当Ugs电压继续增加时，栅极g下面对应的P的部分，就不止是有一个大大的耗尽层，它会更加的希望得到电子，这种欲望大到它都能把s和d中的电子也吸引走，吸引到它那里，此时这部分区域就形成一个反型层，这个反型层就像一个沟道，实际上我们就叫它沟道，就是聚集了很多电子的沟道。而电子可以自由移动，并且s和d在大电压的加持下也变得更加喜欢失去电子，所以此时s和d和沟道就变成了电子自由移动的载体区域。就是上图右图。上面的沟道又叫N沟道。

所以，当Ugs不变时，沟道的宽度就不会变。所以Ugs越小沟道越窄，Ugs越大沟道越宽。所以，沟道宽窄就是ds之间的电阻的大小。所以我们就得到一个用可变电压控制的可变电阻器。也即：Ugs决定了Rds,当Ugs不变时Rds也不变，就是一个固定的电阻; Ugs一变Rds也跟着变。此时这个场效应管就相当于是一个电压控制的可变电阻器。此时ds之间就相当于是一个电阻，想ds之间产生电流，ds之间加电压即可。

 Ugs(th)叫开启电压，th是threshold的意思。iD就是ds之间的电流大小。
当Ugs<Ugs(th)时，没有形成沟道，ds之间绝缘，没有电流。
当Ugs>Ugs(th)时，形成沟道，此时保存Ugs不变，让Uds大于0且逐渐上升。

当Uds从0变大时，图a,场效应管的沟道的形状就会发生变化，就是沟道的右边就会随着Uds的增大而变窄。如果说沟道的左边的宽窄是Ugs决定的,那么沟道的右边宽窄就是Ugs-Uds决定的，所以沟道变得左宽右窄。当Uds一直变大，沟道右边就一直变窄。在没有窄到封闭(图b)时，这个管就一直类似一个阻值一定的电阻器。当Uds继续增加，当Ugs-Uds=Ugs(th)时，就是图b的情况，这种情况叫预夹断。为什么叫预夹断就是电流在d端画红圈处(这个区域也叫缝隙)它是不会真的断的，因为一旦断了就是没电流了，没电流就没压降，没压降空隙又被打开，所以随着Uds继续增大，空隙就会变得越长，图C画红圈处。而缝隙变成就意味着Rds变大，此时就出现了iD不变的现象，就是出现了恒流现象。因为增加的电压都去对抗增加的电阻了。如下图所示：

 

 所以当Ugs>Ugs(th),并且当Uds大于0，并且当Ugs-Uds>Ugs(th)时，场效应管就相当于一个阻值固定的电阻器，所以电压和电流之间的比例就是一个固定值电阻，所以就是一个斜率固定的直线，所以这个区域就是一个阻值可变的电阻区域。而当Ugs-Uds<Ugs(th)时的区域就是一个恒流区域，此时电流的大小只和Ugs相关。所以在恒流区，栅极和源极之间的电压能控制源极和漏极之间的电流，这个区域就是我们用场效应管去实现放大功能。

 

N沟道增强型MOS管小结：
N沟道表示：衬底是P型半导体，两边是N型半导体，所以沟道是N型的；
增强型表示：必须有Ugs,而且Ugs要大于Ugs(th)这个增强的过程，MOS管才能导通。这点和结型MOS管是明显不同的，结型管是不需要增强天生就可以导通的；
栅极g是绝缘的，栅极g跟谁都不连接；
漏极d和源极s之间也是断开的，需要有一个沟道才能连通，而且这个沟通也不是天生就有的，需要Ugs才有沟道；
衬底B是P型半导体，箭头是PN结的方向，是从P指向N。 

 

• N沟道增强型MOS管的特性曲线
  特性曲线主要是从输入特性和输出特性两方面分析。
  在输入方面，由于输入没有什么特性，输入只是引起输出的变化，所以输入特性我们称为转移特性，其特性曲线就是下面左图。
  在输出方面，输出特性就是下面右图。
• 

 左图：当Ugs>Ugs(th)时，场效应管才能导通，左图是导通后Ugs和iD之间的关系，并且这个关系是：不仅是导通，而且是导通后还要已经处于恒流区的iD！
场效应管一定是要工作在恒流区！因为在没有进入恒流区之前，iD的大小一是要受Ugs决定的电阻的大小，二是受Uds的大小(因为iD=Uds/Rds)，所以说上面左图是恒流区的对应关系。

左图的曲线对应的公式是：

右图：输出特性曲线。在恒流区我们用来放大。怎么放大？ 用一个小信号去影响Ugs,让Ugs跟着小信号的变化而变化，Ugs变化就产生了iD的变化，iD是一个大信号(iD大是因为外面有直流电源，就是Uds,把外面这个大的Uds直流变成和小信号同频的大信号)，我们输出iD即可。
夹断区可以用来断路。

2、N沟道耗尽型MOS管
这种MOS管可以不用额外加电压就可以导通，就是不需要Ugs。如何实现的？在生产工艺中，就在最顶层的二氧化硅绝缘体中固定一些正电荷，就是让一种天生就带正电的物质固定到二氧化硅里面。这种物质多到天生就形成一个沟道：

那么我们直接在sd之间加电压，MOS管就可以工作了。如果我们想沟道变大就在gs加正向电压，如果我们想沟道变小就在gs加反向电压。如果我们想沟道消失，就在gs间加负电压Ugs(off),这个电压也称夹断电压，就是关断沟道

 耗尽型场效应管的转移特性曲线是：

Idss是饱和的漏极电流，在画毛刺的部分对应的公式是： 

3、结型场效应管 

N沟道结型场效应管的结构是：在一大块N型半导体上，下面和上面中间位置加了一层高浓度P型半导体。图1和图2都是它的结构图。
图2：一大块N型半导体，两边嵌入两小块高浓度P型半导体，然后N的一端拉出一级是d,另一端是s级；然后再把两个P连接到一起拉出一个栅极g。
有P有N，PN之间就会形成PN结，就有耗尽层，就是图2中画斜线的部分。

此时，如果栅源gs之间的电压为0，就是不加电压，而只给ds之间加电压，ds之间就可以导通，那么我们如何控制ds呢？
在gs之间加反压，就是P处加负压N处(s处)加正压，减弱P端和N端的天生属性，建立强大的内电场，电子和空穴都不许随便乱串，耗尽层大大的增加，直到增加到不导电。

 

所以，结型场效应管和栅型场效用管的区别就是：栅型管天生就没沟道，ds之间天生就不能导电，需要先加正压生成沟道，ds才能导电；而结型管天生就有大大的沟道，ds之间天生就可以导电，反而是需要加反压来控制沟道变小进而控制ds之间的导电性。当反压加到某个阈值时就出现夹断，这个夹断不是预夹断是真的断了，是真的不会导电了。

• 工作原理
  固定Ugs,给ds之间加压(d加正压，s加负压)，由于ds之间是一大块N性半导体(本性是喜欢失去电子)，所以下端(加负压处)失去电子的本性极大的增强，同时上端(加正压处)失去电子的本性极大的抑制了，所以上端的耗尽层更厚了，下端的耗尽层更薄了，就是下图左1。
• 

 随着Uds的上升，上端就出现预夹断。
所以在Ugs<Ugs(off)、并且Uds没有上升到预夹断之前这个区域，这个结型场效应管就是一个固定的电阻。
也就是在Ugs<Ugs(off)、并且Uds小于预夹断电压时的区域，场效应管就是一个可变电阻区；就是Ugs变，电阻变，Ugs不变，电阻不变。
也就是在Ugs不变时，电阻不变，Uds与iD之间呈正比，Uds越大iD就越大，Uds和iD的比例保持不变，就是电阻的大小。
当Uds继续增加，就出现了预夹断，此时iD就变成恒流，这个恒流的大小就只和Ugs有关。

上图中Ugs小于0是因为gs之间加的是反向电压！gs之间只能加反压，才能控制ds！如果gs之间加正压，PN结就被攻克了(或者说耗尽层就没有了，就打通了)，这样ds之间就完全导通了，就是一个导体了，还怎么控制ds？！所以要用结型场效应管，就一定要让PN结反偏，让PN结反向截止。

说明：前面讲的绝缘栅型，栅极g和源极s之间的PN结是很大的，就是栅源gs之间的电阻是很大的，gs之间是有一层二氧化硅绝缘体的，所以Rgs可以认为是无穷大的。而现在的结型管，gs之间是由于PN结处于反偏状态，而呈现出Rgs很大很大(虽然很大，但是反偏会有一点点反偏的漏电流)，但这个电阻也是要小于绝缘栅型gs之间的电阻的，绝缘栅型gs之间是完全没电流的。

说明：结型管比绝缘栅型管耐用，因为绝缘栅型的那层二氧化硅很薄，栅极的感应电荷很容易把二氧化硅击穿。就是那里就相当于一个很小的电容，当有一点点电荷在那个区域聚集，就会产生很高的电压，高电压就产生强电场，强电场就会把二氧化硅击穿，就坏掉了。

• 结型场效应管的特性
• 

上面右图：如果Uds过分大，就会把PN结击穿，所以结型管还有一个击穿区。 

 我们前面讲过三极管放大小交流信号时，小交流就是从某个点进入的，同理，MOS管也是，上上图左图，小交流就是从Ugs周的某个点进入的。就是从直流上找一个点，在这个点加入交流信号，此时的等效电阻就不是上上左图的直线的斜率了，就是上图的ΔiD/ΔUgs了。

极和极之间还有电容，但这个电容一般都皮法级的。当有高频信号加入时就会出现问题，因为高频时就相当于极间电容导通了。