本文详细介绍了IGBT管的工作原理，包括截止、开通、导通和关断状态；探讨了其高输入阻抗、高电流承受能力和快速开关的结构特点；阐述了从硅片准备到封装测试的工艺流程；并重点讨论了选型时需考虑的电流容量、电压容量、开关速度等关键参数。此外，还提醒设计者注意热设计、电压电流限制及驱动电路等问题。
1，概述
IGBT管，全称为绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极结型晶体管）的特性，拥有显著的开关特性。本文对IGBT管的工作原理，结构特点，工艺流程，选型参数及设计注意事项进行总结。
2，工作原理
IGBT管的工作原理可以归纳为以下几点。
2.1，截止状态
当IGBT管的栅极与发射极之间的电压为0V时，MOSFET部分截止，从而切断了PNP晶体管的基极电流供给
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